Aluminiumgalliumindiumphosphid

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche

Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlInGaP), auch als Aluminiumindiumgalliumphosphid bezeichnet, ist ein III-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus Aluminium und der Legierung Galliumindiumphosphid. Der Werkstoff ist ein direkter Halbleiter und dient zur Herstellung von hellen Leuchtdioden und Laserdioden im Farbbereich orange-rot, gelb bis grün-gelb.[1] Die Farbe der Leuchtdiode wird über die Veränderung des Bandabstandes durch das Mischungsverhältnis der beiden Ausgangssubstanzen gewählt.

Kristalline Schichten aus AlInGaP werden durch Epitaxie auf einem Substrat von Galliumarsenid (GaAs) oder Galliumphosphid (GaP) gezüchtet.

Literatur[Bearbeiten]

  •  Gerald B. Stringfellow, George M. Craford: High Brightness Light Emitting Diodes. 1. Auflage. Band 48 (Semiconductors & Semimetals), Academic Press, 1997, ISBN 978-0-12752156-5.

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. Patentanmeldung DE10020612: LED auf Basis eines AIGalnP-Systems und epitaxialer Wafer für die LED. Angemeldet am 27. April 2000, Anmelder: Hitachi Cable, Erfinder: Naoki Kaneda, Taichiro Konno, Masahiro Noguchi, Kenji Shibata, Masatomo Shibata.