Borphosphid

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Kristallstruktur
Kristallstruktur von Borphosphid
__ B3+      __ P3−
Kristallsystem

Zinkblende

Raumgruppe

F43m[1]

Allgemeines
Name Borphosphid
Verhältnisformel BP
CAS-Nummer 20205-91-8
PubChem 88409
Kurzbeschreibung

farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle[2]

Eigenschaften
Molare Masse 41,78 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[1]

Schmelzpunkt

1227 °C (Zersetzung)[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [3]
keine Einstufung verfügbar
H- und P-Sätze H: siehe oben
P: siehe oben
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.[4][5]

Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten]

Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Boroxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.[6]

Eigenschaften[Bearbeiten]

Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.[7] Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.[2]

Verwendung[Bearbeiten]

Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.[8]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. a b c  Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3642588425, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. a b L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2.
  3. Diese Substanz wurde in Bezug auf ihre Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
  4. P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957. doi:10.1038/1791075a0.
  5. H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113, 1891, S. 726–729.
  6. K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
  7. O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86.
  8. Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.