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Datei:LOCOS birds beak DE.svg

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Beschreibung

Beschreibung
English: Detail cross section at the edge of an isolation windows after a simple LOCOS process. The schematic shows partial growth of Silicon dioxide into the silicon substrate and distortion of the silicon nitrite mask because of volume increase under the mask.
Deutsch: Schnitt an der Kante eines Isolationsfenster nach einem einfachen LOCOS-Prozess. Zusehen ist das teilweise Wachstum in das Silicium-Substrat und die Verbiegung der Siliciumnitritmaske durch die Volumenzunahme auch unter der Maske.
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Cepheiden


Lizenz

Public domain Ich, der Urheberrechtsinhaber dieses Werkes, veröffentliche es als gemeinfrei. Dies gilt weltweit.
In manchen Staaten könnte dies rechtlich nicht möglich sein. Sofern dies der Fall ist:
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16:01, 17. Feb. 2011Vorschaubild der Version vom 16:01, 17. Feb. 2011485 × 326 (5 KB)Cepheidentypo; thicker nitride film
11:47, 17. Dez. 2009Vorschaubild der Version vom 11:47, 17. Dez. 2009485 × 326 (9 KB)Cepheidensmall fix
09:51, 22. Jan. 2009Vorschaubild der Version vom 09:51, 22. Jan. 2009485 × 326 (9 KB)Cepheiden removed bitmap link
00:02, 22. Jan. 2009Vorschaubild der Version vom 00:02, 22. Jan. 2009485 × 400 (9 KB)Cepheiden{{Information |Description={{en|1=Detail cross section at the edge of an isolation windows after a simple LOCOS process. The schematic shows partial growth of Silicon dioxide into the silicon substrate and distortion of the silicon nitrite mask because of

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