Diffusionsstrom
Wenn die Dichte von freien Ladungsträgern nicht konstant ist, dann werden sich diese auf Grund der Wärmebewegung naturgemäß so bewegen, dass diese Konzentrationsunterschiede ausgeglichen werden. Durch diese Diffusion entsteht auch ohne Vorhandensein eines Kraftfeldes ein Ladungsträgerstrom, der (elektrische) Diffusionsstrom. Diese Erscheinung tritt beispielsweise an pn-Übergängen auf und überlagert sich durch entstehende Raumladungen mit dem „normalen“ Driftstrom.
Die Diffusionsstromdichte
ist proportional zur Ladung q der einzelnen Ladungsträger und dem „Gefälle“ der (ortsabhängigen) Ladungsträgerkonzentration n. Der Proportionalitätsfaktor ist der Diffusionskoeffizient D. Damit erhält man die Vektorform
Die Diffusionskoeffizient bei Halbleitern ist temperaturabhängig und proportional zur Beweglichkeit b der Ladungsträger und damit abhängig vom Material und der Art der Ladungsträger. Für Elektronen in Silizium beträgt er beispielsweise 35 cm²/s[1].
Da im Allgemeinen die Ladungsträgerkonzentration sich nicht nur linear in einer Richtung ändert, ist praktisch auch der Diffusionsstrom nicht konstant. Wegen der Gültigkeit der Kontinuitätsgleichung muss dieser durch einen Feldstrom ausgeglichen werden. Beispielsweise baut sich an Halbleitergrenzschichten durch den Diffusionsstrom eine Raumladung auf, die wiederum ein elektrisches Feld bewirkt (Diffusionsspannung), wodurch ein Driftstrom (auch Feldstrom) entsteht, der dem Diffusionsstrom „entgegen fließt“.
Damit gilt für die Gesamtstromdichte
die Summe aus Driftstromdichte
und Diffusionsstromdichte
als sogenannte Transportgleichung
Literatur[Bearbeiten]
- Klaus Lunze: Einführung in die Elektrotechnik – Lehrbuch. Verlag Technik GmbH, Berlin 1991, ISBN 3-341-00980-9.
Einzelnachweise[Bearbeiten]
- ↑ Reinhold Paul: Transistoren. Verlag Technik, Berlin 1969.

