Diffusionstransistor

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Als Diffusionstransistor bezeichnet man jeden Transistor, bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch Diffusion von Fremdatomen (Dotierung) in ein Halbleiter-Substrat (z. B. Silizium-Wafer) hergestellt werden. Diffusionstransistoren umfassen Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren.

Mitarbeiter der Bell Labs entwickelten 1954 den ersten Prototypen eines Diffusionsbipolartransistors, bei dem das Basisgebiet auf diese Weise hergestellt wurde.[1] Wichtige Vertreter dieser Gruppe von Transistoren sind unter anderem der Mesatransistor und der Planartransistor.

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. Bell Labs Prototype Diffused Base Germanium Silicon Transistor. Transistor Museum Photo Gallery, abgerufen am 10. Februar 2010.