Diskussion:Memristor

Diese Diskussionsseite dient dazu, Verbesserungen am Artikel „Memristor“ zu besprechen. Persönliche Betrachtungen zum Thema gehören nicht hierher. Für allgemeine Wissensfragen gibt es die Auskunft.

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http://technology.newscientist.com/article/dn13812-engineers-find-missing-link-of-electronics.html
(nicht signierter Beitrag von Kyber (Diskussion | Beiträge) 19:05, 1. Mai 2008 (CEST)) --JoBa2282 ^{Red mit mir} 10:33, 7. Nov. 2008 (CET)

http://www.science20.com/alpha_meme/memristor_another_science_scandal-92795 (nicht signierter Beitrag von 87.181.187.86 (Diskussion) 17:41, 22. Aug. 2012 (CEST))

Fehlende Erklärung für Laien

Trotz guten Physik-Grundkurses und dreimaligen Lesens des Artikels weiss ich immer noch nicht, was das Ding _tut_. Eine Erklärung auch ohne Integrale wäre nett. --Anon
(nicht signierter Beitrag von 129.13.186.1 (Diskussion) 02:10, 14. Jul. 2008 (CEST)) --JoBa2282 ^{Red mit mir} 10:33, 7. Nov. 2008 (CET)

Ich, als Laie, verstand Mr. Leon Chua so, dass der aktuelle Widerstand dieses Bauelements davon abhängig ist, wieviel Elektronen zuvor in welche Richtung durchgeflutscht sind (ähnlich einer Tür: wenn sie in die 'richtige' Richtung durchflutschten, ging sie weiter auf - wenn sie in die 'falsche' Richtung durchflutschten, ging sie weiter zu). -- Kyber 12:19, 14. Jul. 2008 (CEST)

"Der aktuelle Widerstand dieses Bauelements ist davon abhängig ist, wieviele Ladungen, in welche Richtung geflossen sind." Ich habe mir mal getraut deine Satz umzubauen und gleich in den ersten Absatz zustecken. Finde die Erklärung super! Das Beispiel mit der finde ich noch nicht so ganz enzyklopädietauglich.-- 92.228.245.221 23:39, 15. Okt. 2010 (CEST)

Sehe ich genauso. Mir fällt ohnehin auf, dass Wikipedia zunehmend eine Forschungsanlaufstelle wird und für den Normalgebrauch an einigen Stellen nicht mehr anwendbar zu schein seind. Man muss sich, alleine um die Beschreibung des Wortes um das es geht zu verstehen, schon recht tief einlesen. Und dass verfehlt den Sinn einer Enzyklopädie wie ich finde und macht es somit zu etwas was nicht für alle gedacht ist, sondern wir einige wenige. 84.174.244.36 09:57, 28. Okt. 2012 (CET)

Beschreibung für Laien: Ein Memristor ist ein Halbleiter-Datenspeicher, ähnlich einer Computerfestplatte. Allerdings hat er keine beweglichen Teile. Es speichert Daten wie auch eine Computerfestplatte im ausgeschalteten Zustand(Zustand ohne Versorgungsspannung). Die Daten werden jedoch nicht magnetisch wie in einer Computerfestplatte gespeichert sondern, in an den Kreuzungspunkten von Leitungen in einer Gitterstruktur befindlichen Leitungen in Kristallen. Die Geschwindigkeit der Memristoren ist etwa 1000 fach schneller als aktuelle Flash Speicher. Die Leistungsaufnahme liegt unterhalb der Leistungsaufnahme aktueller SSD Festplatten. (nicht signierter Beitrag von Europafan (Diskussion | Beiträge) 20:50, 11. Okt. 2015 (CEST))

@Europafan

Memristoren sind keine Halbleiter Datenspeicher. Sie sind Halbleiter Bauteile die als Speicher verwendet werden können was jedoch sehr unwahrscheinlich ist weil sie mit Zeit ihren Zustand ändert dies könnte eben nicht in Festplatten verwendet werden aber vlt in Datenspeichern verwendet werden die nur kurzzeitige Datenspeicherung benötigen wie RAM oder Cache aber durch sowohl Preis als auch übermäßiger Komplexität würde sich mir auch bei diesen Verwendungen kein sinnvoller Anwendungsbereich einfallen.

Ich würde auch gerne die Quellen zu dieser Aussage sehen. Jer.re10542ce (Diskussion) 11:05, 11. Jan. 2022 (CET)

Abschnitte mit Spekultationen

Hi, habe mir erlaubt die Abschnitte und Textpassagen mit reinen Spekulationen, was denn in Zukunft so sein könnte, zu entfernen. Ebenso Abschnitte die sich wie begeisterte Werbetexte aus einer Marketing-Abteilung lesen. Wikipedia ist keine Glaskugel und auch keine Werbeplattform.

Wenn dieser Memristor wirklich das hält und ein solches Wunderding ist, was manche in der Glaskugel zu sehen glauben, dann besteht dann wenn es soweit ist und das Teil entsprechend grossflächig eingesetzt wird immer noch die Möglichkeit die dann ach so phantastischen Anwendungen in den Artikel als Tatsachen aufzunehmen.--wdwd 19:18, 2. Mai 2008 (CEST)

ack.

Im Bereich "künstliche Intelligenz" kann man jede Art von Elektrik und Elektronik brauchen. Deshalb möchte ich das hier auch als Buzzword sehen. Die Herstellung passiver künstlicher Neuronen (welche NICHT wie biologische Neuronen arbeiten) halte ich jedoch angesichts der Eigenschaften von Memristoren für realistisch.

— MovGP0 13:34, 3. Mai 2008 (CEST)

Hi, der Hinweis mit dem Mikrowellenherd und das sich der Herd wegen Memristoren die Zubereitungszeiten von Speisen "merken kann", macht (auf mich) einen amüsanten bis lächerlichen Eindruck - diese Funktionalität ist doch trivial mit herkömmlichen (nicht flüchtigen) Speichern und mittels ein paar Programmzeilen in einem simplen 8051er auch realisierbar. Gibt's da keine besseren Anwendungsbeispiele? --wdwd 14:10, 3. Mai 2008 (CEST)

geht sogar noch einfacher: ein simpler 0815-Kondensator kann sich ebenfalls die Zeit in Form einer gespeicherten Ladung merken. Ein komplexer µC ist also gar nicht erforderlich ;-) — MovGP0 14:18, 3. Mai 2008 (CEST)

Nebeinbei bemerkt: meine Mikrowelle hat diese Funktionalität bereits: wenn ich auf die Tee/Kaffe-Taste drücke wird mein Tee/Kaffe genau mit den richtigen Parametern erwärmt ;-) — MovGP0 14:21, 3. Mai 2008 (CEST)

Theorie korrigiert aber nicht kapiert?

Jede x-beliebiege Spule(genaugenommen jeder Leiter) ist sowohl durch Induktivität als auch die Memristivität gekennzeichnet. Memristivität bezeichnet dabei die Fähigkeit, die Energie des Magnetfeldes als 'gespeicherte Ladung' über ein mehr oder minder großes Zeitinterval in Form von Strom abzugeben. Das wird technisch so schon lange in Schwingkreisen, Zündspulen u.ä. ausgenutzt. Die kürzlich hergestellten angeblich ersten Memristoren sind genaugenommen keine solchen, und haben zum Teil noch nicht mal einen Bezug zum magnetischem Fluß. Seh ich das richtig? 92.193.127.227 01:29, 3. Mai 2008 (CEST)

Jeder Leiter und jede Spule stellen jeweils Spezialfälle von Induktivitäten dar. Die Memresistitvität unterscheidet sich jedoch grundlegend von der Induktivität, da die Memristivität nicht nur in Hinsicht auf den magnetischen Fluss, sondern gleichzeitig auch in Hinsicht auf die elektrische Ladung zeitabhängig ist.

— MovGP0 13:38, 3. Mai 2008 (CEST)

Von einer Zeitabhängigkeit steht nichts in der Gleichung der Memristivität, sondern nur der Bezug von Ladungsänderung zur Änderung des magnetischen Flusses. Die Ladungsänderung ergibt sich jedoch als Integral des Stromes über die Zeit. 92.193.127.227 02:49, 4. Mai 2008 (CEST)

Stimmt. Das habe ich wohl falsch ausgedrückt. Was ich meinte war, dass der magnetische Fluss nicht über die Zeit differenziert wird, weshalb sich eine Zeitabhängigkeit des Flusses in Form einer Zeitabhängigkeit des Betrags der Memristivität auswirkt. — MovGP0

Da liegst Du wohl immer noch falsch. Warum sollte sich die Memristivität ändern? Aus einer Zeitabhängigkeit des magnetischen Flusses folgt bei konstanter Memristivität lediglich eine Zeitabhängigkeit der Ladung, ergo ein Stromfluß. Memristivität ist, auch wenn sich als Einheit ein Widerstandswert ergibt, keinesfalls ein ohmscher Widerstand, da aus einem abnehmenden magnetischen Fluß ein negatives Differential der Ladung resultiert. Sofern der Strom, der den magnetischen Fluß verursacht, sinkt, resultiert aus der Memristivität und dem negativem Differential des magnetischen Flusses lediglich ein zusätzlicher Strom, d.h. der Memristor wird dann zur Stromquelle. Ein Memristor wirkt quasi Stromschwankungen entgegen. 92.193.127.227 21:08, 4. Mai 2008 (CEST)

Ich schätze ich lieg richtig. Nur wegen der Ähnlichkeit der Einheiten ging man wohl davon aus, daß die Memristivität einem Widerstand gleichzusetzen sei, obwohl es sich physikalisch um eine davon völlig unabhängige Größe handelt. 92.193.127.227 01:44, 5. Mai 2008 (CEST)

Ich glaube ich habe dich nun verstanden: die Memristivität bleibt konstant, während sich der Widerstand des Bauteils verändert. Also so ähnlich wie bei einem Kondensator die Kapazität konstant bleibt, auch wenn der Strom kleiner wird. — MovGP0 00:09, 10. Mai 2008 (CEST)

Ja, eine Kapazität würde ja auch niemand als Ohmschen Widerstand ansehen. Und der Unterschied ist laut den Gleichungen ja lediglich, daß der Stromfluß bei einer Kapazität von einer Änderung der Spannung und bei einer Memristivität von der Änderung des magnetischen Flusses abhängt. Das Problem der neu erfundenen Bauteile von HP ist aus meiner Sicht, daß diese rein gar nichts mit einem magnetischen Fluß zu tun haben und eher im Bereich galvanischer Elemente o.ä. anzusiedeln sind. Memristivität hingegen dürfte eher bei Spulen zu Stromglättung, Trafos, Schwingkreisen u.ä. eine Rolle spielen. 92.193.127.227 01:53, 14. Mai 2008 (CEST)

Chua erwähnte in einem Interview, dass zwischen dem theoretischen Memristor und diesem Bauelement von HP zu unterscheiden ist. (In dem Bauelement tut sich nix mit magn. Fluß - aber es verhält sich wie der theoretische Memristor.)

Er erzählte darin auch, dass das grundlegende Variablenpaar nicht Spannung und Strom sind (wie es in den Lehrbüchern steht) sondern magn. Fluß und Ladung. Diese Erkenntnis mußte erstmal 37 Jahre reifen. Und nun wird man vielleicht auch verstehen, wie ne Lambda-Sonde funktioniert. -- Kyber 10:40, 14. Mai 2008 (CEST)

Frage bzgl. eine Formulierung

Im Artikel heißt es: "Diese Integration verläuft in der praktischen Realisierung allerdings nicht exakt linear, sehr wohl aber monoton steigend."[1] Was bedeutet das? Heißt das, in der Praxis ist die Formel falsch, oder heißt das nur, dass es (bisher?) keine reinen Memristoren gibt. Ich könnte mir zum Beispiel vorstellen, dass die Vorhanden Bauteile immer Mischungen aus Widerstand, Induktion, Kapazität und Memristor sind und sich die Effekte überlagern. Oder gibt es einfach keinen exakten Zusammenhang und es gibt nur falls U_1>=U_2 für alle t<t_0, dass dann auch \Phi_1(t_0)>=\Phi_2(t_0). Oder bezieht sich das mit der Monotonie gar nicht auf das Integral als Abbildung von einem Funktionenraum nach C? Ist vielleicht eher gemeint, dass es ein positive, messbare Funktion \psi gibt, so dass \Phi(t)=\int_{-\infty }^tU(s) \psi (s)\dd s? Weiß jemand etwas mit dem Satz anzufangen? -- JanCK 15:17, 3. Mai 2008 (CEST)

Das Problem ist, dass der Memristor in der Praxis mit endlicher Größe gebaut wird. Daher kann nicht unbegrenzt linear integriert werden. Es fehlt in der Formel eine Korrekturfunktion. Wie diese aussieht ist mir nicht klar, weshalb ich diesen Satz formuliert habe. — MovGP0 18:45, 3. Mai 2008 (CEST)

Ich finde die Formulierung "nicht unbegrenzt linear integrieren" verwirrend. Ich finde sie verleitet dazu anzunehmen, dass das was nicht funktioniert die lineare Abbildung ist, die durch das Integral definiert wird. Aber das ist ja gerade nicht das was Du meinst, .. oder etwa doch? Das Integral definiert ja eine lineare Abbildung von $L^{1}\mapsto \mathbb {R}$. Dies ist aber nicht das was hier in erster Linie bezweifelt wird. Hier soll doch gesagt werden, dass bei Variation der Oberen Grenze nicht mehr unbedingt der Hauptsatz der Integralrechnung Anwendung findet, weil ggfs. die "Stammfunktion" von "U" nicht wirklich eine Stammfunktion ist, sondern nach oben beschränkt seien muss. -- JanCK 13:18, 4. Mai 2008 (CEST)

Ja. Die Funktion muss bei realen Bauteilen gewisse Grenzen haben. Der Widerstand kann z.B. weder ∞ noch 0 sein. Und auch die Zahl der Ladungsträger ist sowohl begrenzt, als auch gequantelt. Das theoretische Modell sieht das allerdings nicht vor. Leider wird es wohl schwer sein an reale Kennlinien zu gelangen. — MovGP0 00:19, 10. Mai 2008 (CEST)

Fehler in der Tabelle?

Hallo Leute, ich bin der Meinung, dass es in der Tabelle nicht $R={\frac {dU}{dI}}$ heißen muss, sondern $R={\frac {U}{I}}$. Die erstere Variante ist nämlich die Definition des Kleinsignalwiderstandes, während mein Vorschlag die Definition des ohmschen Widerstandes ist. Dies gilt dann anolog auch für die anderen 3 Felder der Tabelle. Außerdem denke ich, dass die Überschrift des oberen linken Feldes "reziproke Kapazität" und nicht "Konduktivität" heißen muss, wobei ich mir da nicht ganz sicher bin, denn das Wort "Konduktivität" hab ich noch nie gehört. Ich kenne nur "Konduktanz", was dem Leitwert entspräche und hier völlig verkehrt wäre... Gruß Alex --141.30.212.155 10:15, 25. Jun. 2008 (CEST)

Die reziproke Kapazität hat den Namen Elastanz. Siehe: Elastanz --86.59.9.45 18:56, 11. Dez. 2022 (CET)

Ok, ich hab mal nach "Konduktivität" gegoogelt und herausgefunden, dass es ein Synonym für "elektrische Leitfäfigkeit" ist und somit in der Tabelle völlig verkehrt ist. Gruß Alex --141.30.212.155 13:48, 26. Jun. 2008 (CEST)

Die Formel in der Tabelle ist immernoch "falsch", der Meinung bin ich auch. Bin da beim Lesen drüber gestolpert. dI würde ja eine Änderung des Stromes nahe legen, nachdem sich der Strom über einem Widerstand aber nicht ändert (--> dI = 0) muss hier irgendwo der Wurm drin sein. Schaut zwar gut aus, aber richtiger wäre wohl R = U / I. --ein interessierter Gast 20:00, 13.04.2010 (falsch signierter Beitrag von 84.152.192.98 (Diskussion | Beiträge) 20:00, 13. Apr. 2010 (CEST))

Nee, das ist schon korrekt, dass man bei genauerem Hinschauen erstmal (sozusagen "vorsichtiger") die Differentiale verwendet. Das ist vor allem dann besser, wenn man eben nicht einfach eine lineare/proportionale Kennlinie vorliegen hat wie bei einem simplen Widerstand, sondern sowas exotisches wie diesen Memristor, der bestimmt nicht eine simple gerade Kennlinie hat. Ich kenne ehrlich gesagt auch keine konkrete Darstellung der Kennlinie, aber mit der Schreibweise mit den Differentialen bewegt man sich eben gerade für solche Fälle auf der sichereren Seite. --PeterFrankfurt 02:34, 14. Apr. 2010 (CEST)

Äquivalenz zum Wasser

häufig wird ja die wasserleitung(Druck=Spannung Menege/s=Strom...) als erklärung für die elektritzität im leiter verwendet... wie würden die Bauelemente dann dabei aussehen? ... Bsp.: Kondensator= Hochspeicher(Wasserturm)
(nicht signierter Beitrag von 87.172.63.172 (Diskussion) 14:49, 12. Jul. 2008 (CEST)) --JoBa2282 ^{Red mit mir} 10:24, 7. Nov. 2008 (CET)

Also: Ein elektrischer Widerstand entspräche einem Engpaß in der Wasserleitung; je größer der elektrische Widerstand, desto kleiner der Querschnitt der Wasserleitung im Engpaß. Eine Spule wäre schon trickreicher nachzubilden. Beispiel wäre eine (leer laufende) Turbine im Wasserstrom. Je höher die Induktivität der Spule, desto MASSEreicher die Turbine. Die hohe Masse bewirkt, daß sich (wie beim elektr. Strom die Spule) die Turbine einer (Wasser-)Stromänderung entgegenstelllt. Aber wie sähe ein Memristor in dieser Analogie aus ?
(nicht signierter Beitrag von 80.130.81.112 (Diskussion) 21:24, 19. Aug. 2008 (CEST)) --JoBa2282 ^{Red mit mir} 10:24, 7. Nov. 2008 (CET)

Rückschlagventil#Kugelrückschlagventil tät etwa einer Diode entsprechen. Dem Memristor entspricht mehr so ´ne schwergängige Rückschlagklappe. -- Crato 14:43, 24. Aug. 2008 (CEST)

wenn ich es richtig verstanden hab dann so:

wenn wasser von der einen richtung durch die wasserleitung fließt, dann wird der durchmesser der leitung größer. von der anderen richtung, dann wird der durchmesser kleiner. fließt kein wasser bleibt der durchmesser stabil. es gibt ne art sättigung bei der durchmesser nicht mehr größer oder kleiner wird.

bitte sage mir jemand ob ich richtig liege und ob die menge des wasserdurchflusses pro zeit wichtig ist. muss ich insgesamt 100 liter durch die leitung geschoben haben um den max/min durchmesser erreicht zu haben oder 100 liter pro sekunde.

Ich denke: Ja & Ja (darum schrieb ich "schwergängige" Klappe)

Siehe auch en:Hydraulic analogy#Component equivalents & Limits -- Crato 13:49, 13. Dez. 2008 (CET)

Der Wasser - Strom Vergleich hinkt aber arg. Wie erklärst du damit die Induktivität und Polarität? --78.52.131.12 23:44, 19. Mai 2009 (CEST)

Kennlinien

Hallo!

Gibt es/Hat jemand entsprechende Kennlinien für einen Memristor? Das würde die Verständlichkeit des Artikels erheblich verbessern...

Gruß
--JoBa2282 ^{Red mit mir} 10:26, 7. Nov. 2008 (CET)

Es gibt für den Memristor in der U-I-Ebene keine Kennlinie, sondern nur in der Phi-Q-Ebene. Und in dieser Ebene kann man sich dann eine beliebige Linie vorstellen. Wenn die Linie eine Gerade ist, hat man einen linearen Memristor. Ansonsten ist es ein nichtlinearer. Man kann natürlich mit Gewalt eine "Kennlinie" in der U-I-Ebene zeichnen. Man erhält dann eine Hystere, deren Form von der Kennlinie in der Phi-Q-Ebene abhängt. Eine Hysterese ist aber keine richtige Kennlinie, weil man ohne zusätzliche Info nie weiß auf welchem Zweig man sich zu befinden hat.

Ähnliches gilt übrigens auch für Kapazitäten und Induktivitäten. Sie haben keine richtige Kennlinie in der U-I-Ebene. Die Induktivität hat eine in der Phi-I-Ebene und die Kapazität hat halt eine in der U-Q-Ebene.

Wichtig für das Verständnis des Memristors ist, dass man sich von der Linearität verabschiedet. Ein linearer Memristor verhält sich genau so wie ein ohmscher (also linearer) Widerstand. Interessant wirds erst mit nichtlinearen Memristoren. Nur die können für die Rechentechnik benutzt werden.

Sich von der Linearität verabschieden heißt z.B. eine Diode als nichtlinearen Widerstand auffassen und nicht als ein zusätzliches Bauelement. Deshalb sind auch die Formeln in der Tabelle falsch bzw. ungeeignet, weil die Differentialquotienten ja gerade für Linearmachung sorgen (vgl. Kleinsignalverhalten).

Gruß Alex --217.10.60.85 14:55, 28. Mai 2010 (CEST)

Die derzeitige Kennliniendarstellung verwirrt nur und führt somit zu Interpretationen wie der Diodenkennlinie. Was ist omega? Warum kommt omega nicht in den Gleichungen vor? Das Missverständnis kann einfach durch die Achsbezeichnungen U(t) und I(t) behoben werden. Dazu vielleicht noch der Zusatz U(t) = Udach *sin(omaga*t). --Feinmechaniker (Diskussion) 10:38, 26. Mär. 2012 (CEST)

Funktionsgraphen zeigen mehr als Tausend Worte

Kann denn niemand ein Zeit-Diagramm und Lade-/-Entladekurve hochladen damit man sich darunter mehr vorstellen kann? --78.43.181.98 07:22, 8. Aug. 2009 (CEST)

Übersetzung von Flux

Der Text geht irrtümlich davon aus, daß das Zeitintegral einer Spannung

$\Phi (t)=\int \limits _{-\infty }^{t}U(t)\ \mathrm {d} t=\Phi (t_{0})+\int \limits _{t_{0}}^{t}U(t)\ \mathrm {d} t$

automatisch ein magnetischer Fluß ist. Diese Vorstellung ist sachlich falsch und in Bezug auf den Memristor irreführend. Das Zeitintegral einer Spannung ist nur dann mit einer Änderung des magnetischen Flusses verbunden, wenn es sich bei der vorliegenden Spannung um eine Umlaufspannnung ("Summe der Spannungen im Kreis herum") handelt. Bei einer elektrischen Spule ist die an den Klemmen anliegende Spannung tatsächlich gleich groß wie die Umlaufspannung, da im Spulendraht selbst keine Spannung abfällt. Daher bewirkt eine Klemmenspannung eine Änderung des magnetischen Flusses in der Spule. Bei einem Widerstand bewirkt eine Klemmenspannung keine Änderung des magnetischen Flusses.

Der Memristor beschreibt keine hat nicht notwendigerweise magnetischen Eigenschaften. Mit dem Spannungsintegral ist das Integral einer Klemmenspannung gemeint. Diese Klemmenspannung bewirkt im Material des Memristors eine reversible Umdotierung durch Einlagerung von Ladungen und damit verbunden eine Änderung der Leitfähigkeit. Das hat mit Magnetismus jedoch nichts gemein. Der Begriff "magnetischer Fluß" gehört daher sicher nicht in den Artikel.

Ich möchte daher anregen, nicht von einem "magnetischen Fluß" zu sprechen. In Englischen Vorträgen heißt es schlicht "flux", das könnten wir übernehmen, wenn es nichts Besseres gibt. Im Deutschen könnte man etwas umständlich, aber exakt von "Spannungszeitfläche" sprechen. Dieser Begriff stammt aus der elektrischen Energietechnik und meint das Zeitintegral über der elektrischen Klemmenspannung. --Michael Lenz 01:20, 15. Mai 2010 (CEST)

Hatten wir das nicht schon bei der Spule (oder dem Transformator), Stichwort "halbe Windungen"? Da wurde doch argumentiert, halbe Windungen gäbe es gar nicht, irgendwo müsse sich der Stromkreis ja schließen, und dann ergäben sich immer ganze Anzahlen. Hier entsprechend halt immer mindestens eine Windung und damit wohl auch einen magnetischen Fluss, irgendwo. Von einer Wortschöpfung "Flux" im Deutschen halte ich überhaupt nichts (solange es nicht um "Zurück in die Zukunft" geht). --PeterFrankfurt 03:13, 15. Mai 2010 (CEST)

Von "Flux" im Deutschen halte ich auch nichts; ich meinte die Übersetzung "Fluß" - am besten ist, wir finden eine deutsche Quelle, die sich hoffentlich nicht auf "magnetischer Fluß" festlegt. Die Bezeichnung "magnetischer Fluß" für das Zeitintegral der Memristor-Klemmenspannung ist zumindest Unsinn. Der Begriff ist anderweitig schon vergeben.

Wenn ich an einen Memristor eine Gleichspannung anlege, entwickelt er kein linear mit der Zeit gegen unendlich ansteigendes Magnetfeld. Genau das müßte entsprechend der Integralgleichung aber passieren, und bei der Spule passiert es auch: Der Strom steigt linear mit der Zeit an und verursacht einen Kurzschluß.

Das Magnetfeld, das Du meinst, ist das Magnetfeld des Gesamtstromkreises. Es hat mit dem Memristor als solchem nicht viel zu tun, außer daß der Memristor es irgendwann (genau wie ein Widerstand) begrenzt. Du kannst es genauso auch bei einem Stromkreis mit einem "normalen" Widerstand beobachten. In der Netzwerktheorie würde man dieses Magnetfeld ohnehin vernachlässigen. --Michael Lenz 05:03, 15. Mai 2010 (CEST)

Ist doch egal, ob tatsächlich ein magnetischer Fluss vorliegt oder nicht. Man kann ja auch aktive Spulen bauen, bei denen physikalisch kein magnetischer Fluss vorliegt. Sie verhalten sich dann trotzdem wie echte Spulen und daher kann ihnen rechnerisch ein magnetischer Fluss zugeordnet werden. Wenn man sich beim Memristor vom Begriff "magnetischer Fluss" verabschieden wollte, müsste man sich auch vom Begriff "elektrische Ladung" verabschieden sondern analog zur "Spannungszeitfläche" von einer "Stromzeitfläche" sprechen. Der Memristor hat schließlich nicht notwendigerweise Platten, auf denen er Ladung speichert. Es ist einfach so, dass ein Memristor einen Zusammenhang zwischen dem Zeitintegral der Spannung und dem Zeitinteral des Stromes herstellt. Bei der Spule nennt man das Zeitintegral der Spannung "magnetischer Fluss" und beim Kondensator nennt man das Zeitintegral des Stromes "elektrische Ladung". Für den Memristor hat man diese Begriffe einfach übernommen ohne dass eine eine echte physikalische Repräsentation für sie vorliegen muss (aber kann -- je nachdem, wie der Memristor nun genau gebaut wurde. Bei dem Memristor von HP liegt keine physikalische Repräsentation vor). Gruß Alex --217.10.60.85 11:36, 7. Jun. 2010 (CEST)

Hallo Alex, der Clou beim magnetischen Fluß besteht darin, daß die Flußänderung entsprechend dem Induktionsgesetz

• nicht das Zeitintegral einer Klemmenspannung (Spannung von A nach B, A <> B), sondern
• das Zeitintegral einer Umlaufspannung (Spannung von A nach A, ein- oder mehrmals im Kreis herum) ist.

Bei einer Spule sind beide Werte deshalb gleich, weil innerhalb des Metalldrahtes bei idealtypischer Betrachtung kein E-Feld und damit auch keine Spannung existiert. Doch eine physikalische Allgemeingültigkeit hat nur der Zusammenhang von Umlaufspannung und Magnetfeld, der im Induktionsgesetz beschrieben wird.

Es wäre sehr irreführend, das Zeitintegral einer Klemmenspannung als "magnetische Flußänderung" zu bezeichnen, nur weil das beim Bauelement "Spule" zufällig näherungsweise so zutrifft. Es geht mir also nicht darum, den Begriff der magnetischen Flußänderung abzuschaffen, weil mir der Begriff nicht gefällt, sondern weil der Begriff ein schiefes Bild der zugrundeliegenden Physik zeichnet.

Bei den Strömen stimmt das physikalische Bild hingegen im wesentlichen. Denn das Zeitintegral des elektrischen Stromes entspricht beim Memristor tatsächlich der geflossenen Ladung, zumindest solange wir wir die Verschiebeströme vernachlässigen können. --Michael Lenz 21:19, 20. Jun. 2010 (CEST)

Hallo Michael,

es stimmt natürlich, dass der Begriff "magnetischer Fluss" ein falsches Bild von der zugrunde liegenden Physik liefern kann. Das Problem liegt in der Sichtweise. Zur Erläuterung ziehe ich wieder das Beispiel der aktiven (also mit Hilfe von Transistoren realisierten) Spule heran. Obwohl bei ihr kein magnetischer Fluss vorliegt, kann er ihr rechnerisch zugeordnet werden, so als ob es ihn gäbe.

Nichts anderes wird beim Memristor gemacht. Es sind Realisierungen denkbar, bei denen ein Fluss vorliegt und es sind Realisierungen denkbar (der Memristor von HP), bei denen kein magnetischer Fluss vorliegt. Trotzdem kann der Fluss beiden möglichen Realisierungen rein rechnerisch zugeordnet werden.

Ich habe an der TU Dresden Gastvorlesungen von Prof. Chua besucht. In ihnen hat er den Begriff "magnetic flux" synonym zu "Zeitintegral der Spannung" verwendet. Er ist auch auf die Problematik, die dieser Begriff erzeugt, eingegangen. Er meinte, dass er diesen Begriff in Analogie zur Spule verwendet und dass nicht notwendigerweise ein Fluss physikalisch vorliegen muss, um memristives Verhalten zu erzeugen. Chua ist ein Schaltungstechniker, kein Physiker. Er fasst den Memristor nur als theoretisches Konzept auf, quasi als "Blackbox", die einen definierten Zusammenhang zwischen dem Zeitintegral des Stromes und dem Zeitintegral der Klemmenspannung herstellt. Über das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Flusses macht er sich keine Gedanken. Die Möglichkeit der rechnerischen Zuordnungbarkeit reicht ihm als Legitimation für den Begriff "magnetic flux".

Viele Grüße, Alex --93.135.105.232 20:06, 24. Jun. 2010 (CEST)

Vom magnetischen Fluss war da keine Rede.

Diskussion:Leon Chua: "What the researchers contend is that the fundamental relationship is actually between changes-in-voltage, or flux, and charge"

(Electronic theorists have been using the wrong pair of variables all these years--voltage and charge. The missing part of electronic theory was that the fundamental pair of variables is flux and charge) -- Vermag sich da jemand von seinem Schulwissen zu distanzieren und das Interview bei eetimes.com zu begreifen? -- 91.15.236.251 13:38, 8. Jul. 2010 (CEST)

Demzufolge müßten wir ja in Maxwellsche Gleichungen#Erläuterungen die genannten drei Größen auf zwei reduzieren und in Materialgleichungen der Elektrodynamik "Die physikalisch relevanten Messgrößen sind die elektrische Feldstärke und die magnetische Flussdichte" die Feldstärke durch Ladung ersetzen. -- 93.218.99.150 23:05, 21. Jul. 2010 (CEST)

Ja, manchmal lässt er das "magnetic" eben weg. Das ändert aber nichts am Grundproblem. Erstens ist "flux" ebenfalls kein etablierter Begriff für das Zeitintegral der Spannung und zweitens dürfte klar sein, dass mit "flux" implizit "magnetic flux" (eben wie bei der Spule) gemeint sein dürfte. Er verwendet ja auch das gleiche (meiner Meinung nach etablierte) Formelzeichen Φ. Mein Vorschlag: Wir nennen es "virtueller magnetischer Fluss".

Gruß Alex --217.10.60.85 16:17, 8. Jul. 2010 (CEST)

Hallo Alex, wenn Prof. Chua die Größe tatsächlich als "magnetic flux" bezeichnet, sollte die Wikipedia dem Begriff m. E. folgen. Die Erläuterungen zur Verwechslungsgefahr stehen jetzt ja irgendwo im Text verstreut; ich werde sie bei Gelegenheit mal in einem kleinen Absatz zusammenfassen. Gruß, -- Michael Lenz 21:11, 21. Jul. 2010 (CEST)

Der engl. Artikel erklärt das mit flux linkage (Flussverkettung). Ich habe die Befürchtung, das da immer noch ein paar Größen verwechselt sind. --Virtualiter 13:43, 31. Jan. 2012 (CET)

Abschnitt Kommentare auskommentiert

ich habe den besagten Abschnitt auskommentiert und stelle dies hier zur Debatte. Er enthielt

• Aussagen von Insidern, die sich oder sich gegenseitig loben und das in Form journalistischer Prosa
• 2 Zitate vom erfindenden HP-Ingenieur sind definitiv zu viel
• es war derart dick aufgetragen, wie es der Sache bisher nicht angemessen ist

Vielleicht fndet sich ja noch ein unabhängiger Kommenta(to)r von Rang...--Ulfbastel 20:21, 19. Nov. 2010 (CET)

Habe jene Kommentare entfernt. Das Thema Memristor ist ziemlich stark durch abgehobene Visionen, "Selbstbeweihräucherung" und diverse Arten von "Lobhudelei" gekennzeichnet. Gleichzeitig sind aber die Wunderdinger offensichtlich real gar nicht vorhanden/verfügbar, was schon reichlich kurios wirkt. Aktuelle Form von Des Kaisers neue Kleider? Wenngleich es komisch ist, dass sich dieser bekannte Effekt bei solch eher nüchternen (Rand)themen ausbreitet. Ist das nur Folge der Drittmittelwerbung von einigen US-Eliteunis/Labors zum finden/halten von Kreditgebern?--wdwd 12:05, 26. Dez. 2010 (CET)

Anwendungen von Memristoren

Bitte darum mögliche (hypothetische) Anwendungen von realen, tatsächlichen Anwendungen zu unterscheiden bzw. klar begrifflich zu trennen. Man korrigiere mich bitte, aber offensichtlich sind Memristoren abseits einiger weniger "Prototypen" aus diversen Labors und Universitäten, die diese selbst herstellen und noch auf sehr einfachen Niveau verschiedene Grundlagenversuche damit anstellen, noch nicht am Markt verfügbar. Memristoren werden, da schlicht nicht vorhanden, auch nicht in elektronischen Geräten eingesetzt. Somit sind alle Aussagen wie "Ablöse von herkömmlichen Transistoren", "Ersatz von DRAM-Speichern", bis hin zu "neuronalen Netzen" etc pp. Wunschdenken und Glaskugelei. (vielleicht können die Memristoren der Zukunft auch guten Kaffee kochen? scnr, ;-) .--wdwd 11:36, 26. Dez. 2010 (CET)

Das siehst Du wohl richtig. --PeterFrankfurt 18:21, 28. Dez. 2010 (CET)

Die Ziele ernsthaft arbeitender Forschergruppen sind kein "Wunschdenken und Glaskugelei", auch wenn der Weg noch weit und der Erfolg nicht sicher ist. Aber natürlich darf das im Text nicht so aussehen, als ob man es schon kaufen kann. Im Übrigen würden Memristor-Speicher wahrscheinlich zuerst mit Permanentspeichern wie EEPROMs konkurrieren, nicht vorrangig mit DRAMs. --141.24.214.76 15:46, 5. Jun. 2013 (CEST)

Je mehr an Erklärungen reingesteckt wird, desto klarer wird mir, dass ich noch nicht verstehe, wie man die Teile nun verwendet:

1. Ist das Lesen des aktuellen Zustands zerstörend oder zerstörungsfrei?
2. Muss man da wie bei alten Ringkernen oder bei DRAM refreshen?
3. Kommt es beim Schreiben wirklich nur auf die geflossene Ladungsmenge an?

Ratlos. --PeterFrankfurt 02:15, 1. Feb. 2012 (CET)

Zu der Frage ob man ihn wie bei einem DRAM refresehn musskann ich mit einem Nein beantworten. Die Zustände die ein Memristor bestitzt werden auch zb. Nach dem Abschalten beibehalten und können frei umgeändert werden. Es kommt auserdem nicht nur auf die geflossene Ladungsmenge an sondern auch auf die größe des Widerstandes und der Richtung.

1. Ist das Lesen des aktuellen Zustands zerstörend oder zerstörungsfrei?

Wenn ich das Richtig verstehe willst du wissen ob beim Lesen der Widerstand zurückgesetzt wird.(Wenn nicht sag mir das doch ;)) Der Wiederstand belibt immer Konstantt beim Schreiben das einzige was Zerstört wird ist wiederum der Wiederstand und die Flussmenge beim Überschreiben. 22.Februar 2012 (CET) (nicht signierter Beitrag von 80.149.113.198 (Diskussion) 11:16, 22. Feb. 2012 (CET))

Das letztere glaube ich aber nicht so richtig, dass der Widerstand beim Lesen unverändert bleibt: Denn das Prinzip ist ja, dass der Widerstand sich ändert, wenn man Strom durchschickt. Und das muss man beim Lesen doch tun. Also wird der Widerstand doch in eine bestimmte Richtung gesetzt, spätestens, wenn man ihn öfters ausliest, was im Computer ja sehr oft der Fall ist. Und da das alles schon so miniaturisiert ist, kann ich mir gut vorstellen, dass man nicht einen Schwellenstrom angeben kann, ab dem das Schreiben erst losgeht und dass man nur da drunter bleiben müsste, damit nix passiert. Wie gesagt, man stelle sich das millionen Male hintereinander gelesen vor, nicht unrealistisch. --PeterFrankfurt 02:07, 23. Feb. 2012 (CET)

Ohne Stromfluss bleibt der Widerstandswert konstant, mit Stromfluss ändert er sich. Ohne Stromfluss kann man aber den Wert nicht erfahren, deshalb gibt es beim "Lesen" freilich eine Änderung des Wertes. Man kann aber das "Lesen" so konstruieren, dass die Änderung kompensiert wird. Zum Beispiel indem man einen Wechselstrom verwendet oder zwei gleichgroße Impulse unterschiedlicher Polarität. --141.24.214.76 13:28, 5. Jun. 2013 (CEST)

Landauer-Prinzip

Im Juli 2012 wurde Kritik laut, dass das physikalische Konzept für sogenannte „memristive Systeme“
im Widerspruch zu dem Landauer-Prinzip, einem grundsätzlichen Prinzip der Informationsverarbeitung,
stehen könnte.[6]

Erm, kann mir das jemand mal genauer erklären? memresistoren gibt es doch soweit ich verstanden habe und sind nicht nur ein hypothetisches bauteil. wie kann dann diese kritik an den memresistoren angebracht werden, müsste nicht eher das landauer prinzip kritisiert werden? 212.90.151.90 14:56, 8. Aug. 2013 (CEST)

Weder noch. Die Bauteile haben zunächst mal nur die Eigenschaft ihren Widerstand durch eine andere elektrische Größe wie Ladung zu verändern. Nutzbar wäre dies in Informationsspeichern. Diese resistiven Schalter wurden schon in den 1960iger Jahren vorgestellt, HP hat also nicht den Memristor "erfunden" sondern nur diese bekannten Bauteile mit einer bislang kaum beachteten Theorie verkünpft. Sehr fraglich ist, ob diese Bauteile sich durch die Memristor Theorie beschreiben lassen oder ob der Memristor Hype nur ein Marketing Gag von HP ist. Wenn man weiss wie HP zum Memristor kam wird letzteres wahrscheinlicher (vom Molekül http://dx.doi.org/10.1109/ISCAS.2000.857011 zum Memrisitor: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl034795u). Das stellt allerdings weder die Arbeiten von L. Chua in den 1960igern in Frage noch die Forschungsergebnisse von HP und hunderten anderen Gruppen auf der Welt --Wwdf (Diskussion) 02:38, 19. Aug. 2013 (CEST)

Die Kritik von P. Meuffels und R. Soni (http://arxiv.org/abs/1207.7319) bezüglich der Verletzung des „Landauer Prinzips“ wurde mittlerweile von M. Di Ventra und Y. V. Pershin, (http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/25/255201) bestätigt. Nichtflüchtige Informationsspeicherung erfordert das Vorhandensein von Energiebarrieren, die unterschiedliche Speicherzustände (Widerstandszustände) voneinander trennen. Memristoren, deren aktuelle Widerstandszustände ausschließlich davon abhängen, welcher Strom vorher durch das System geflossen ist (wie z.B. der HP-Memristor), wären daher nicht in der Lage, ihre Speicherzustände gegen unvermeidliche elektrische Schwankungen zu schützen und würden somit einen ständigen Informationsverlust erleiden: das von L. Chua vorgeschlagene hypothetische Memristor-Konzept weist keinen physikalischen Mechanismus auf, wie ein solcher Memristor seine aktuellen Speicherzustände beibehalten kann, wenn die Spannungsversorgung abgeschaltet wird. Solche Memristor-Elemente können daher nicht existieren, da sie immer einer sogenannten "stochastischen Katastrophe" unterliegen würden (http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/25/255201). (nicht signierter Beitrag von 80.187.108.44 (Diskussion) 14:02, 20. Okt. 2013 (CEST))

erm, aber die dinger existieren doch, oder nicht? ... oder reden wir hier von mehreren verschiedenen typen von memristoren? 212.90.151.90 14:05, 25. Nov. 2014 (CET)

Der „Memristor“ als neues „passives elektrisches Bauelement“ ist bis zum jetzigen Zeitpunkt nur eine Hypothese, die aufgrund von Symmetriebetrachtungen im System der elektrischen Grundgrößen postuliert wurde, d.h., es liegt nur ein Satz von mathematischen Gleichungen als Beschreibung vor. Allem Anschein nach gibt es aber bisher kein konsistentes physikalisches Modell (Realisierbarkeit), auf dessen Grundlage diese Gleichungen abgeleitet werden können. Man stößt irgendwann auf Unstimmigkeiten, wenn man das Ganze unter thermodynamischen Gesichtspunkten betrachtet. Das von HP vorgeschlagene physikalische Modell für einen Memristor („The missing memristor found“, NATURE), lässt sich z.B. mit elektrochemischen Argumenten leicht wiederlegen (siehe Meuffels & Soni, „Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors“).

Bei dem, was als „Memristoren“ bezeichnet wird, handelt es sich daher um resistiv schaltende Metall/Isolator/Metall-Strukturen (ReRAM, https://en.wikipedia.org/wiki/Resistive_random-access_memory). Derartige Effekte, d.h., die sprunghafte Änderung der Leitfähigkeit von Materialien unter elektrischer Belastung – wahrscheinlich aufgrund induzierter lokaler Phasenumwandlungen –, sind schon lange bekannt und haben mit dem theoretischen Memristorkonzept überhaupt nichts zu tun. (nicht signierter Beitrag von Lost C'Mell (Diskussion | Beiträge) 16:28, 26. Nov. 2014 (CET))

Erste Muster ab 2015?

Siehe diesen Artikel auf Heise.de und diesen Vortrag, der im Rahmen der HP Discover 2014 gehalten wurde. Es scheint, diese Technologie ist nicht sehr weit von der Markteinführung weg. --hg6996 (Diskussion) 16:17, 12. Jul. 2014 (CEST)

Trotzdem: Es zieht sich verdächtig lang hin. Es gibt nichtmal kleinere, langsame Testversionen, sowas würde ich lange vor der großflächigen Einführung so einer Theorie eigentlich erwarten. --PeterFrankfurt (Diskussion) 01:20, 13. Jul. 2014 (CEST)

Ich denke auch, dass man diese Ankündigung von HP auch als "Aktienkurshochtreibungsmaßnahme" verstehen kann. Nun, wir werden ja bald sehen, wohin die Reise geht. --hg6996 (Diskussion) 16:50, 13. Jul. 2014 (CEST)

"Aktienkurshochtreibungsmaßnahme" hat nur für den Sinn, der verkaufen will. So pessimistisch bin ich nicht. Ist vielleicht eher eine Maßnahme, um "Mitarbeiter" im weitesten Sinne zu gewinnen, die sich z.B. schon mal mit den Eigenheiten der Programmierung der neuen Architektur beschäftigen, Compiler und Bibliotheken schreiben etc. Wäre nicht das erste überlegene System, das an der Markteinführung gescheitert ist.

Für den Artikel ist das aber trotzdem zu früh, vielleicht in zwei Jahren noch einmal schauen. --Rainald62 (Diskussion) 19:13, 13. Jul. 2014 (CEST)

HP ist als Firma sicher immer am Verkauf interessiert, insofern kann man diesen Punkt wohl nicht gänzlich ausschließen. Denkbar ist auch, dass beides stimmt. Man möchte HP als innovative Firma darstellen und daneben auch Mitarbeiter für das Projekt gewinnen. Glaubt man der Ankündigung von Martin Fink hier, so müssen wir keine zwei Jahre mehr warten und die von Benutzer PeterFrankfurt erwarteten Testversionen sind tatsächlich schon nächstes Jahr verfügbar. Spannend ist das Thema allemal. Im Artikel Richard Stanley Williams habe ich diesen Vortrag verlinkt, den ich jedem, der sich für das Thema interessiert, empfehlen kann. --hg6996 (Diskussion) 19:51, 13. Jul. 2014 (CEST)

Die „hier“ gezeigte Zeitleiste bestätigt mich. In zwei Jahren will HP Memristor DIMMs präsentieren. Das wäre der richtige Zeitpunkt, über "The Machine" zu berichten. --Rainald62 (Diskussion) 21:54, 13. Jul. 2014 (CEST)

Jahr stimmt, HP nicht: http://www.heise.de/newsticker/meldung/Memristoren-fuer-den-Gehirn-Prozessor-2744249.html, Paper dazu: http://journals.plos.org/plosone/article?id=10.1371/journal.pone.0085175 --InfoGeist (Diskussion) 17:39, 9. Jul. 2015 (CEST)

Update (auch schon nicht mehr frisch): The Machine wird, falls überhaupt, ohne Memristor-Crossbar realisiert, und zwar immer noch nicht bald (zurzeit ist von 2020 die Rede). Daher gilt es, die HP-Dominanz in der Darstellung des Artikels zu mindern. --Rainald62 (Diskussion) 14:29, 26. Aug. 2018 (CEST)

Titandioxid basierte ReRAM gleich Memristor?

Der gesamte Artikel bedarf einer grundlegenden Überarbeitung. Das resistive Schalten in oxydischen Dünnschichten wird durch die Memristortheorie nur unzureichend beschrieben (vgl. P. Meuffels und R. Soni) und sollte aus diesem Grunde in einem getrennten Artikel behandelt werden (Stichwort ReRAM). Besonders deutlich wird das Versagen des Models in dem Paper von I. Valov "Nanobatteries in redox-based resistive switches require extension of memristor theory", erschienen in nature communications: "Our results strongly suggest that in all bipolar ReRAM devices a nanobattery with dedicated emf voltages is present. This fact has far-reaching consequences on the application of the theory of memristive elements and on the device modelling in general. (...) In fact, any electrochemical system is active by nature, thus two-terminal nanoionic-resistive switches cannot be pure passive memristors."

Ferner gehören Titanoxid basierte ReRAM-Zellen - in der von HP gezeigten Konfiguration - zu den am unzuverlässigsten funktionierenden Zellen bezogen auf die Endurance. Viel erfolgversprechendere Materialien wie TaOx oder HfOx werden in dem Artikel nicht genannt.

Im Bereich "Hypothetische Anwendung" wird damit geworben das HP in den 15 nm-Bereich vorgestoßen sei und die Grenze der herkömmlichen Fotolithografie mit 16 nm angegeben ist. Die Grenzen der Lithografie sind an dieser Stelle unerheblich und sollten an anderer Stelle diskutiert werden. Vielmehr muss hier die inhärente Grenze genannt werden bis zu der ein Schalteffekt noch messbar ist. Beispielsweise wird in "Switching the electrical resistance of individual dislocations in single-crystalline SrTiO3." Nature Mater. 5, 312–320 (2006) die Grenze mit ungefähr 1 nm bis 2 nm angegeben.

Im selben Bereich wird die Speicherdichte des von HP hergestellten Speichers mit 100 Gibit/cm2 angegeben. Dabei wird die Problematik des sneak path unterschlagen der im passiven Memory-Array auftritt und zu einer Reduzierung der effektiven Speicherdichte führt. (nicht signierter Beitrag von 134.94.161.1 (Diskussion) 11:47, 9. Nov. 2014 (CET))

Dieser Themenbereich ist (leider) PR-belastet - wieso auch immer. Wäre zu überlegen, den Abschnitt "Hypothetische Anwendung" ganz raus zu nehmen - denn entweder gibt es Memristoren in diesen Anwendungsfeldern, dann als Fakten erwähnen. Hingegen Phantasien, Vermutungen und PR-Meldungen sind wenig sinnvolle Glaskugelei. Wie auch immer, wenn Du den Artikel abseits davon verbessern willst, bitte WP:SM als Motto nehmen.--wdwd (Diskussion) 19:43, 12. Okt. 2015 (CEST)

Fehler in Abbildung "Einordnung des Memristors in die elektrischen Grundgrößen"

Ich denke in der Abbildung "Einordnung des Memristors in die elektrischen Grundgrößen" sollte es nicht dΦ=L*dt sondern dΦ =L*di lauten. (nicht signierter Beitrag von 132.230.122.35 (Diskussion) 17:19, 14. Sep. 2016 (CEST))

Ja, das ist ein Fehler. Habe Text in Bild korrigiert --Gd~dewiki (Diskussion) 22:03, 7. Nov. 2016 (CET)

Widerspruch aktiv/passiv

Einleitung: Es wurde jedoch gezeigt, dass es nur drei fundamentale passive Bauelemente geben kann und der Memristor ein aktives Bauelement ist. Abschnitt "Funktionsgleichung": "Da es sich beim Memristor um ein passives Bauelement handelt, [...]" --83.64.20.10 14:39, 6. Okt. 2020 (CEST)

Gibt es dazu Belege?

Meines Wissens nach ist der Memristor durch die Eigenschaftn selbständig zu tun was es tut und kein Steuersignal zu haben eigentlich sehr wohl ein Passives Bauelement.

Außerdem sind die Eigenschaften passiver Bauteile zu als abgeschwächte Komponente in jedem Leiter zu finden und Memristivität ist glaube ich in jedem Leiter existent.

Und warum steht da Einleitung und dann das bekannte Text hier abgekürzt Symbol und dann nichts mehr als hätte man den Text einfach irgendwo aus einer Textbox hinauskopiert.

Jer.re10542ce (Diskussion) 10:50, 11. Jan. 2022 (CET)