Gordon Teal

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche

Gordon Kidd Teal (* 10. Januar 1907 in Dallas[1]; † 7. Januar 2003) war ein US-amerikanischer Chemiker, bekannt für Beiträge zur Halbleiterfertigung und der Entwicklung des Bipolartransistors.

Leben[Bearbeiten]

Teal machte 1927 einen Bachelor-Abschluss in Mathematik und Physik an der Baylor University. Anschließend ging er an die Brown University und schloss dort 1928 ein Master-Studium im Bereich physikalisch-anorganischer Chemie ab. 1931 folgte die Promotion zum Ph.D. durch die Brown University für seine Arbeit über die elektrochemischen Eigenschaften von Germanium, die er parallel zu seiner Tätigkeit an den Bell Laboratories (ab 1930) anfertigte. In der Zeit der Großen Depression war er nur in den Teilzeit an den Bell Labs und arbeitete in dieser Zeit mit Harold Urey an der Columbia University zum Beispiel an Forschung zu Schwerem Wasser.[2]

Er ist bekannt für die Herstellung der ersten hochreinen Germanium-Einkristalle (1951, auf Grundlage des alten Czochralski-Verfahrens) für die Transistorfertigung (mit dem Ingenieur John Little)[3], ein Meilenstein in der frühen Transistorentwicklung.[4] Nach der Entwicklung des Spitzentransistors (1948) durch William B. Shockley und andere zeigte Teal mit Morgan Sparks an den Bell Labs, wie durch eine Modifikation des Verfahrens der Herstellung von Germanium-Einkristallen (mit Dotierung der Schmelze) Bipolartransistoren aus einem Kristall hergestellt werden konnten (npn-Flächentransistor). Das Patent auf diese grown-junction transistors (engl.; dt. „gezogener Transistor“) hatte Shockley schon 1948 eingereicht, doch konnten sie erst 1950 durch Morgan Sparks Dank der durch Teal und Kollegen erzielten Fortschritte in der Kristallzüchtung praktisch realisiert werden.[5]

William Shockley bezeichnete die von Teal mit anfangs wenig Unterstützung vorangetriebenen Entwicklung hochreiner Germanium (und bald darauf Silizium) Einkristalle bei Bell Labs später als wahrscheinlich wichtigste wissenschaftliche Entwicklung in den frühen Jahren im Halbleiterbereich nach der Ankündigung des Transistors.[6]

1953 wechselte er zu Texas Instruments (TI), damals eine kleine Firma, die aber in seiner Heimat Dallas lag. Er baute dort das Zentrallabor auf. 1954 entwickelte er dort den ersten kommerziellen Silizium-Transistor[7][8] (vorgestellt auf einer IRE-Konferenz in Dayton (Ohio) im Mai 1954) und 1957 ein chemisches Verfahren zur Erzeugung hochreinen Siliziums. Beides trug wesentlich zum Erfolg der Firma bei. 1963 wurde er International Technical Director bei TI und lebte zeitweise in Frankreich, England und Italien. 1965 verließ er TI für einige Jahre und wurde Direktor des Materialforschungsinstituts des National Bureau of Standards. 1968 bis zu seinem Ruhestand 1972 war er wieder bei TI als Vizepräsident und Chefwissenschaftler für Corporate Development.

1968 erhielt Teal die IEEE Medal of Honor und 1984 die Centennial Medal des IEEE. Er war Fellow des IEEE, der National Academy of Engineering, der American Chemical Society, des American Institute of Chemists, der American Physical Society und der American Association for the Advancement of Science.

Er war mit Lana Smith verheiratet und hatte drei Söhne. Mit seiner Frau war er im Leitungsrat des Dallas Museum of Contemporary Art.

Literatur[Bearbeiten]

  • Frederik Nebeker: Finding the Right Material: Gordon Teal as Inventor and Manager. In: Sparks of Genius: Portraits of Electrical Engineering Excellence. IEEE Press, Piscataway, NJ, 1994, S. 93–126.
  • Michael Riordan, Lillian Hoddeson: Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. Norton, New York 1997, S. 474.

Weblinks[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. Lebens- und Karrieredaten nach American Men and Women of Science. Thomson Gale 2004.
  2. IEEE Oral History Interview mit Andrew Goldstein 1991
  3. G. K. Teal, J. B. Little: Growth of Germanium Single Crystals. In: Physical Review. 78, Nr. 5, 1950 S. 647. Teil von  Proceedings of the American Physical Society. Minutes of the Meeting at Oak Ridge, March 16–18, 1950. In: Physical Review. 78, Nr. 5, 1950, S. 637–647, doi:10.1103/PhysRev.78.637.
  4. 1951 - First Grown-Junction Transistors Fabricated, Computer History Museum
  5.  G. K. Teal, M. Sparks, E. Buehler: Growth of Germanium Single Crystals Containing p-n Junctions. In: Physical Review. 81, Nr. 4, 1951, S. 637–637, doi:10.1103/PhysRev.81.637.
  6. Shockley: there was probably no more important scientific development in the semiconductor field in the early days following the announcement of the transistor, than the development of high-quality, single crystals of germanium at Bell Telephone Laboratories, Carl F. J. Overhage (Hrsg.) The Age of Electronics: Lincoln Laboratories Decennial Lectures, McGraw Hill 1962, Kapitel 7, Transistors, S. 148, zitiert nach Gordon Teal, IEEE Oral History Interview 1991
  7. Der erste Siliziumtransistor wurde wahrscheinlich im Januar 1954 von Morris Tanenbaum bei Bell Labs demonstriert, aber Bell Labs patentierten dies nicht und hielten die Entdeckung geheim. Zur Geschichte des Siliziumtransistors siehe Silicon Transistor. IEEE, abgerufen am 24. Januar 2014.
  8. 1954 - Silicon Transistors Offer Superior Operating Characteristics, Computer History Museum. Danach war man sogar bei Bell Labs nicht an Silizium-Transistoren interessiert.