Indium-Gallium-Zink-Oxid

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Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) ist ein Halbleitermaterial, das als Kanal für einen transparenten Dünnschichttransistor verwendet werden kann. Es ersetzt amorphes Silizium als aktive Schicht in einem LCD-Bildschirm und ermöglicht mit einer 40-mal höheren Elektronenbeweglichkeit gegenüber amorphem Silizium sowohl kleinere Pixel (für Bildschirmauflösungen höher als HDTV) als auch schnellere Reaktionsgeschwindigkeit für einen Bildschirm.

Der Vorteil gegenüber Zinkoxid ist, dass es als einheitliche amorphe Phase abgeschieden werden kann. Und dies unter Beibehaltung der hohen Ladungsträgerbeweglichkeit des Oxid-Halbleiters. Die Transistoren sind etwas lichtempfindlich, aber der Effekt wird nur im tief violett bis ultraviolett (Photonenenergie oberhalb von 3 eV) Bereich sichtbar und bietet die Möglichkeit eines vollständig transparenten Transistors.

Sharp kündigte Mitte April 2012 an, dass die Firma IGZO-Panels (32-Zoll-Panels mit Auflösungen von 3840 × 2160 Pixel und 2560 × 1600 Pixel sowie 10-Zoll- und 7-Zoll-Panels mit 1280 × 800 Pixel) in hoher Stückzahl produzieren werde. Zunächst war geplant, dass die „Retina-Displays“ für das iPad 3 mit einem IGZO-Display von Sharp ausgestattet werden, doch dies wurde aus Zeitgründen verworfen.

Im April 2013 hat Sharp erstmals einen IGZO-Monitor in den Handel gebracht. Der PN-K321H soll gegenüber der Konkurrenz einige Neuerungen bringen. Das IGZO-Display bietet eine 4K-Auflösung mit insgesamt 3840 × 2160 Bildpunkten. Die Bildschirmdiagonale beträgt 32 Zoll (≈80 cm). Inzwischen will auch Samsung IGZO-Displays bei Sharp produzieren lassen. Ein 11,6-Zoll-IGZO-Display für Notebooks ist geplant und soll noch vor dem Sommer in Produktion gehen.

Im Frühherbst 2013 präsentierte DELL sein erstes Notebook (eine mobile Workstation) mit 15,6-Zoll-Quad-HD+-IGZO-Panel.[1]

Weblinks[Bearbeiten]

Fußnoten[Bearbeiten]

  1. Estes Notebook mit 15,6-Zoll-Quad-HD+-IGZO-Panel von DELL (13. September 2013)