Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor

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Struktur des CNTFET, Objekt der Forschung

Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (englisch carbon nanotube field-effect transistor, CNTFET) ist eine Weiterentwicklung des Feldeffekttransistors (FET), bei dem Teile der Halbleiterstruktur durch Kohlenstoffnanoröhren (CNT) ersetzt wurden.

Die ersten funktionsfähigen CNTFETs wurden im Jahr 1998 von einer Gruppe der Universität Delft vorgestellt.[1]

Die CNTFETs sind kleiner als die derzeit (2010) in der Mikroelektronik üblichen Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf Basis von Silizium und gelten als eines der Bauelemente, die diese in den kommenden Jahren oder Jahrzehnten ersetzen könnten. Neben der Größe, ist die höhere elektrische Leitfähigkeit der CNTs und die damit zusammenhängenden höheren erreichbaren Schalt- und Transitfrequenzen ein wesentlicher Vorteil dieser Technik. Große Probleme bereite derzeit noch die gezielte Herstellung der einzelnen Transistoren.

Literatur[Bearbeiten]

  • Lorraine Rispal: Large Scale Fabrication of Field-Effect Devices based on In Situ Grown Carbon Nanotubes. Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2010 (PDF-Version online, abgerufen am 12. Juli 2010).

Weblinks[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1.  Sander J. Tans, Alwin R. M. Verschueren, Cees Dekker: Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. In: Nature. 393, Nr. 6680, 7. April 1998, S. 49–52, doi:10.1038/29954.