Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid

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Kristallstruktur
CIGS-Struktur
__ Kupfer     __ Selen     __ Indium oder Gallium
Raumgruppe

I42d

Allgemeines
Name Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid
Andere Namen

CIGS

Verhältnisformel CuInxGa(1−x)Se2
CAS-Nummer nicht vergeben
Eigenschaften
Molare Masse variabel
Dichte

≈ 5,7 g/cm3[1]

Schmelzpunkt

990–1070 °C (x=1−0)[2]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [3]
keine Einstufung verfügbar
H- und P-Sätze H: siehe oben
P: siehe oben
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (Kurzbezeichnung CIGS, chemische Formel CuInxGa(1−x)Se2) ist ein I-III-VI-Verbindungshalbleiter bestehend aus Kupfer (Cu), Indium (In), Gallium (Ga) und Selen (Se). Es stellt ein Mischkristall aus den beiden Ausgangssubstanzen Kupfer-Indium-Diselenid, oft auch als CIS bezeichnet, und Kupfer-Gallium-Diselenid, oft auch als CGS bezeichnet, dar. Die chemische Bindung ist wegen ihres Kristallaufbaues den Chalkopyriten mit der Raumgruppe I42d zugeordnet. Über das Mischungsverhältnis der beiden Ausgangssubstanzen, ausgedrückt durch den Faktor x in der chemischen Bezeichnung der im Bereich 0 bis 1 liegen kann, können verschiedene Stoffeigenschaften beeinflusst werden. So beträgt der Bandabstand je nach Mischungsverhältnis 1,02 eV bis 1,7 eV für x=1−0.[2] Der Bandabstand für reines Kupfer-Indium-Diselenid beträgt 1,02 eV.

CIGS wird unter anderem als Werkstoff in Dünnschicht-CIGS-Solarzellen eingesetzt. Durch entsprechende Wahl des Bandabstandes kann die Anwendung dieses Halbleiterwerkstoffes in der Photovoltaik optimiert werden.[4]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. LTS Chem: MSDS
  2. a b T. Tinoco, C. Rincón, M. Quintero, G. Sánchez Pérez: Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys. In: Physica Status Solidi (a). 124, Nr. 2, 1991, S. 427. doi:10.1002/pssa.2211240206.
  3. Diese Substanz wurde in Bezug auf ihre Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
  4. DOE Solar Energy Technologies Program Peer Review (PDF; 1,1 MB) U.S. department of energy 2009. Abgerufen am 10. Februar 2011.