Meißner-Schaltung

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Meißner-Oszillator, Patentschrift

Ein Meißner-Oszillator, oder auch Armstrong-Oszillator, ist ein rückgekoppelter Verstärker mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis, welcher zur Gruppe der Sinus-Oszillatoren zählt. Die Schaltung ist nach ihrem Erfinder Alexander Meißner benannt, der sie 1913 patentierte.[1]

Beim Meißner-Oszillator liegt der Schwingkreis am Ausgang des Verstärkerbauteiles. Bei der Audion-Schaltung von Edwin Howard Armstrong liegt der Schwingkreis am Eingang des Verstärkerbauteiles.[2]

Aufbau[Bearbeiten]

Der Oszillator kann mit unterschiedlichen aktiven Bauelementen als Verstärker wie einem Bipolartransistor, Feldeffekttransistor oder auch mittels Elektronenröhre realisiert werden. Der eigentliche Schwingkreis wird aus einer Spule L2 und einem Kondensator C2 gebildet. Zusätzlich wird über eine zweite Wicklung L1, die wie bei einem Transformator magnetisch mit L2 gekoppelt ist, die Spannung am Schwingkreis mit passender Phase zurückgeführt. In der ersten Schaltung dient der Bipolartransistor Q als Verstärker, in der zweiten Schaltung der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET) Q1.

Meißner-Oszillator mit Bipolartransistor[Bearbeiten]

Schaltschema eines Meißner-Oszillators mit Bipolartransistor

Damit die Schaltung eine ungedämpfte Schwingung erzeugt, muss die Schleifenverstärkung gleich 1 und die Rückkopplung in Phase sein (0° oder ein anderes Vielfaches von 360°). Da die Meißner-Schaltung im Schaltungsbeispiel eine Emitterschaltung ist, wird durch den Transistor das Signal invertiert. Dies wird durch den Transformator rückgängig gemacht, da L1 und L2 einen entgegengesetzten Wicklungssinn haben, in der Schaltung durch die zwei schwarzen Punkte gekennzeichnet, die den Wicklungsanfang angeben.

Die gezeigte erste Schaltung ist eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung, bei der die Verstärkung gleich dem Verhältnis von Kollektorwiderstand (Wechselstromwiderstand des Schwingkreises) und dem Emitterwiderstand R3 ist. Da übliche LC-Parallel-Schwingkreise außerhalb der Resonanzfrequenz sehr kleine Widerstände haben, ist nur für die Resonanzfrequenz die Schleifenverstärkung größer als eins. Das Übersetzungsverhältnis des Transformators wird so gewählt, dass die Schleifenverstärkung für den Resonanzwiderstand des LC-Kreises sicher größer als eins ist, und die Spannung am Eingang den Transistor nicht übersteuert.

Meißner-Oszillator mit JFET[Bearbeiten]

Meißner-Oszillator mit JFET

In der JFET–Schaltung besteht der Schwingkreis aus C2 und Wicklung L2 des Transformators TR1. Der JFET Q1 in Source-Schaltung hat eine Phasenverschiebung von 180°. Wie bei der Bipolar-Schaltung erzeugt der Transformator eine weitere 180° Phasenverschiebung. Die Amplitudenregelung des Oszillators erfolgt durch den Widerstand R1. R1 ist mit dem Verstärker-Eingang, der Gate-Source-Strecke, und mit dem Verstärker-Ausgang, der Drain-Source-Strecke, verbunden. Wegen der 180° Phasenverschiebung zwischen Eingang und Ausgang wirkt R1 als Gegenkopplung. Wird R1 und das Übersetzungsverhältnis des Transformators passend zu den JFET–Bauteileigenschaften gewählt, dann sorgt die Gegenkopplung für einen stabilen Arbeitspunkt. Steigt die Spitzen-Spannung über dem Schwingkreis, steigt auch die Spitzen-Spannung über R1 und wirkt einem weiteren Anstieg der Spitzen-Spannung über dem Schwingkreis entgegen.

Die Ausgangsfrequenz berechnet sich nach der thomsonschen Schwingungsgleichung:

f_O = {1 \over {2 \cdot \pi \cdot \sqrt{L_2 \cdot C_2}}}

Dimensionierung[Bearbeiten]

Animation der Funktionsweise mit einer Elektronenröhre als Verstärker

Meißner-Oszillatoren können leicht falsch dimensioniert werden; sie schwingen dann zwar, aber die Schwingung weicht merklich von der Sinusform ab. Idealerweise ist die Gesamtverstärkung des Oszillators beim Einschalten größer als 1 und wird im Betrieb auf genau 1 reduziert. Für diese Amplitudenregelung benutzt man beim FET die Eigenschaft, dass die Spannungsverstärkung von der Gate-Spannung abhängig ist. Andere Oszillatorschaltungen, insbesondere mit mehr als einem Transistor, lassen sich besser hinsichtlich ihrer Amplitude regeln. Wie bei allen LC-Kreisen ist das Verhältnis von L zu C zu beachten, damit die Schaltung schwingt.

Berechnungsbeispiel[Bearbeiten]

Ein typischer Kleinsignaltransistor hat in dem betrachteten Bereich eine Gleichstromverstärkung B von ungefähr B = 100 und eine Basis-Emitter-Spannung UBE = 0,65 V.

Ferner sei IC = 2 mA (Kollektorstrom im Arbeitspunkt) und UB = 15 V (Versorgungsspannung der Schaltung)

Der Spannungsabfall an R3 soll 1 V betragen, also:

R_3 = {1 \rm{V}\over I_C} = {1 \rm V \over \rm{2 mA}} = 500 \rm\Omega

Damit muss der Spannungsteiler von R1 und R2 diese 1 V plus die Basis-Emitterspannung von ungefähr 650 mV liefern. Der Spannungsteiler wird durch den Basisstrom IB = IC / B = 2 mA / 100 = 20 µA belastet; nimmt man den zehnfachen Querstrom von 0,2 mA, dann kann man den Basistrom vernachlässigen und erhält:

R_2 = {1 \rm V + 0,65 \rm V \over 0,2 \rm mA} = 8,2 \rm{k\Omega}
R_1 = {15 \rm V-(1 \rm V +0,65 \rm V) \over 0,2 \rm{mA}} = 67 \rm k\Omega

Für eine Spule mit der Induktivität von L1 = 22 mH und einen Kondensator von C2 = 33 nF ergibt sich eine Schwingfrequenz von:

f_O = {1 \over {2 \cdot \pi \cdot \sqrt{22 \rm{mH} \cdot 33 \rm{nF}}}} = 5,9 \rm{kHz}

Um den Transistor Q nicht zu übersteuern und ein gutes Sinussignal zu erzeugen, darf die rückgekoppelte Spannung nicht wesentlich größer als 1,5 Vpp (Spannung Spitze-Spitze) sein. Die Spannung am Schwingkreis ist in Resonanz etwa 28 Vpp. Damit ergibt sich eine Untersetzung von 1:18 und für die Schaltung eine Verstärkung von v=18, für die der Kollektorwiderstand mindestens 9 kΩ sein muss (inkl. Ausgangswiderstand des Transistors von etwa 100 kΩ).

Nimmt man als Gütefaktor g = 50 an, dann ist der Widerstand des LC-Kreises bei der Resonanzfrequenz

R_{LC} = g \cdot \sqrt{L \over C}  = 50 \cdot \sqrt{22 \rm{mH} \over 33 \rm{nF}} = 41 \rm k \Omega

Das erscheint ausreichend und entspricht einem ohmschen Spulenwiderstand von 16 Ω.

Die Koppelkondensatoren C1 und C3 lassen nur die Wechselspannung passieren und verändern nicht den Arbeitspunkt des Transistors. C1 arbeitet auf den Eingangswiderstand der Emitterschaltung (ca. R2). C3 und der Eingangswiderstand der nachfolgenden Stufe belasten bzw. verstimmen den Schwingkreis. Eine Auskopplung an R3 liefert jedoch selten ein gutes Sinussignal.

Anwendungsbeispiele[Bearbeiten]

Die Meißner-Schaltung findet eher selten Anwendung, da der Transformator einen erheblichen Aufwand darstellt; die Hartley- und Colpitts-Schaltung, in manchen Zusammenhängen auch die Clapp-Schaltung werden meist bevorzugt, insbesondere wenn nur ein Transistor verwendet werden soll. Mit mehreren Transistoren sind weitere Oszillatorschaltungen möglich.

Literatur[Bearbeiten]

  • H. Barkhausen: Lehrbuch der Elektronenröhren und ihrer technischen Anwendungen. 3. Band: Rückkopplung. Hirzel, Leipzig 1951.
  • Andrei Grebennikov: RF and Microwave Transistor Oscillator Design. Wiley, Chichester u. a. 2007, ISBN 978-0-470-02535-2.
  • Günter Kurz, Wolfgang Mathis: Oszillatoren. Schaltungstechnik, Analyse, Eigenschaften. Hüthig, Heidelberg 1994, ISBN 3-7785-2251-5.
  • U. Tietze, Ch. Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik. 12. Auflage. Springer, Berlin u. a. 2002, ISBN 3-540-42849-6.
  • O. Zinke, H. Brunswig: Hochfrequenztechnik. 2: Elektronik und Signalverarbeitung. 5. neubearbeitete Auflage. Springer, Berlin u. a. 1999, ISBN 3-540-64728-7, (Springer-Lehrbuch).

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. Patent DE291604: Einrichtung zur Erzeugung elektrischer Schwingungen. Angemeldet am 13. April 1913, Erfinder: Alexander Meissner (Online @ DepatisNet).
  2. Patent US1113149: Wireless Receiving System. Angemeldet am 29. Oktober 1913, Erfinder: E. H. Armstrong.