Robert H. Dennard

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Robert H. Dennard

Robert Heath Dennard (* 5. September 1932 in Terrell, Texas, USA) ist ein US-amerikanischer Elektroingenieur und Erfinder.

Leben und Werk[Bearbeiten]

Dennard studierte Elektrotechnik an der Southern Methodist University in Dallas. Dort erhielt 1954 einen B.S.- und 1956[1] einen M.S.-Abschluss in Elektrotechnik. Danach ging er an das Carnegie Institute of Technology in Pittsburgh, Pennsylvania, wo er 1958 promovierte (Ph.D.).[2] Anschließend nahm er eine Stelle in der Forschungsabteilung bei International Business Machines (IBM) an.

Bei IBM beschäftigte er sich mit der Erforschung neuer Bauelemente und Schaltungen für Logik- und Speicheranwendungen. Zu seien wichtigstens Beiträgen in diesem Bereich zählt die Erfindung des dynamischen RAMs (DRAM, Dynamic Random Access Memory) im Jahr 1966.[3][4] Die DRAM-Technik war ein großer technologischer Sprung für die elektronische Informationsspeicherung und -verarbeitung. Sie ist bis heute (2010) eine der wichtigsten Komponenten im Computer. Darüber hinaus war er einer der ersten Wissenschaftler, die das enorme Potenzial der Verkleinerung von MOSFETs erkannten. Zusammen mit Kollegen formulierte er 1974 eine „Skalierungs-Theorie“[5][6] für MOSFET – eine Feldeffekttransistor-Variante. Diese steht in engem Zusammenhang mit dem mooreschen Gesetz und der Entwicklung der Mikroelektronik in den letzten Jahrzehnten.

Auszeichnungen und Ehrungen[Bearbeiten]

Im Laufe seines Lebens erhielt Dennard bisher eine Vielzahl von Auszeichnungen und Ehrungen. Zu den wichtigsten gehören:

Weblinks[Bearbeiten]

  • Robert Dennard. IEEE, archiviert vom Original am 18. Mai 2006, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
  • Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1.  Robert Dennard: A design of an electronic analog computer for educational use. 1956, OCLC 26689446 (Master-Arbeit an der Southern Methodist University).
  2.  Robert Dennard: Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor. 1958, OCLC 227253865 (Dissertation an der Carnegie Institute of Technology).
  3. Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
  4. Patent US3387286: Field-effect transistor memory. Veröffentlicht am 4. Juni 1968, Erfinder: Robert H. Dennard.
  5. R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. Leblanc: Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions. In: IEEE Journal of Solid State Circuits. SC-9, Nr. 5, 1974, S. 256–268 (PDF, abgerufen 1. Mai 2010).
  6. The Impact of Dennard's Scaling Theory. In: IEEE solid-state circuits society news. Vol. 12, Nr. 1, 2007 (Das ganze Heft beschäftigt sich mehr oder weniger mit dem Thema, PDF, abgerufen am 1. Mai 2010).
  7. Technology Administration - The National Medal Of Technology Recipients. In: IEEE History Center. IEEE, archiviert vom Original am 28. September 2007, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
  8. 2009 - Robert N. Dennard. IEEE Medal of Honor Recipients, abgerufen am 1. Mai 2010.
  9. Robert H. Dennard, Ph.D.. Franklin Laureate Database, 2007, abgerufen am 1. Mai 2010.