Simon Sze

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Simon Min Sze (chinesisch 施敏Pinyin Shī Mĭn; * 21. März 1936 in Nanking, China[1]) ist ein chinesischer Elektroingenieur und Autor bzw. Co-Autor mehrere Standardwerke im Bereich der Halbleitertechnik und Halbleiterphysik.

Leben und Werk[Bearbeiten]

Siman M. Sze studierte an der National Taiwan University Elektrotechnik und erhielt 1957 seinen Abschluss als Bachelor of Science (B.Sc.). Für ein anschließendes Masterstudium ging er in die USA, wo er 1960 an der University of Washington seinen Abschluss als Master of Science (M.Sc.) und 1963 einen Doktor[2] (Ph.D.) von der Stanford University erhielt.

Im Anschluss ging Sze an die Bell Telephone Laboratories und blieb dort bis 1989 als wissenschaftlicher Mitarbeiter (englisch member of the technical staff). Bereits während dieser Zeit war Sze als Dozent/Gastdozent an verschiedenen Universitäten tätig, beispielsweise an der National Chiao Tung University (1968–1969) oder an der National Taiwan University (1974–1977). Dies setzte er nach einer Zeit an den Bell Labs mit der Annahme einer Professur (Distinguished Professor) an der National Chiao Tung University (NCTU, 1990–2006) fort.

Bekannt ist Sze für seine Arbeiten im Bereich der Halbleiterphysik und -technik, vor allem Metall-Halbleiter-Kontakte und Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren. Hierzu zählt seine Mitarbeit bei der Entdeckung des Floating-Gate-Transistors[3] durch Dawon Kahng (1967). Darüber hinaus ist er Autor und Herausgeber zahlreicher Bücher zu diesem Thema, darunter oft zitierte Standardwerke wie Physics of Semiconductor Devices (1. Auflage, 1967), Semiconductor Devices: Physics and Technology oder VLSI Technology. Für diese Leistungen erhielt er unter anderem den J.J. Ebers Award der IEEE (1991).[4]

Veröffentlichung (Auswahl)[Bearbeiten]

  •  Physics of semiconductor devices. 3. Auflage. John Wiley and Sons, 2007, ISBN 0-471-14323-5.
  •  Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2. Auflage. John Wiley & Sons, New York 2001, ISBN 0-471-33372-7.
  •  VLSI Technology. 2. Auflage. McGraw-Hill Inc., New York 1988, ISBN 0-07-062735-5.

Quellen[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1.  Institute of Electrical and Electronics Engineers: IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers., 1996, ISBN 9780780399570.
  2.  Simon Min Sze: Hot electrons in thin gold films. 1963 (Ph.D. Thesis, Dept. of Electrical Engineering, Stanford University).
  3.  D. Kahng, S. M. Sze: A floating-gate and its application to memory devices. In: The Bell System Technical Journal. 46, Nr. 6, 1967, S. 1288–1295 (PDF).
  4. Electron Devices Society J.J. Ebers Award. IEEE, abgerufen am 12. März 2012.