Sergei Wiktorowitsch Iwanow

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Sergei Wiktorowitsch Iwanow (russisch Сергей Викторович Иванов; * 24. Juni 1960 in Leningrad) ist ein sowjetisch-russischer Festkörperphysiker und Hochschullehrer, korrespondierendes Mitglied der Russischen Akademie der Wissenschaften (seit 2022).[1][2]

Leben

Iwanow besuchte die Leningrader Physik-Mathematik-Schule Nr. 239 mit Abschluss 1977. Das Studium am Leningrader Elektrotechnik-Institut (LETI) schloss er 1983 am Lehrstuhl für Optoelektronik mit Auszeichnung ab.[1]

Nach dem Studium trat er in das Joffe-Institut ein, in dem er vom Praktikanten zum Leiter des Laboratoriums für Quanten-dimensionierte Heterostrukturen und Molekularstrahlepitaxie aufstieg.[3] Mit Erfolg verteidigte er dort 1989 seine Dissertation über die Untersuchung von Wachstumsprozessen von epitaktischen (Al,Ga)As-Schichten und Heterostrukturen niedrigschwelliger Halbleiter-Injektionslaser mit der Methode der Molekularstrahlepitaxie zur Promotion zum Kandidaten der physikalisch-mathematischen Wissenschaften.[4]

Iwanows Forschungsgebiet wurde die Physik der Heterostrukturen der AIIBVI-, AIIIBV- und AIII-Nitrid-Halbleiter. Er entwickelte Nanoheterostrukturen, CdSe-Quantenpunkt-Strukturen und magnetische Halbleiter.[3]

1994–1996 verbrachte Iwanow 4 Monate als Gastwissenschaftler am Samsung Advanced Institute of Technology. 1998–2009 war er Gastprofessor an den Universitäten in Deutschland (Würzburg, Ulm, Regensburg – Gesamtdauer 1 Jahr) und Japan (Nagoya, Hokkaidō, Chiba, Ritsumeikan-Universität – gesamt 2 Monate).[1]

2000 verteidigte Iwanow mit Erfolg seine Dissertation über quantendimensionale Halbleiter-Heterostrukturen von AIIBVI-Verbindungen mit breiten Bandlücken zur Habilitation (in russischer Terminologie: Promotion zum Doktor der physikalisch-mathematischen Wissenschaften).[5] Seit 2004 hält Iwanow eine Vorlesung über Molekularstrahlepitaxie an der von Schores Iwanowitsch Alfjorow 2002 gegründeten St. Petersburger Nationalen Akademischen Forschungsuniversität und auch an seiner Heimathochschule LETI. Mit seinen zahlreichen Veröffentlichungen wurde sein Hirsch-Index h=38.[6][7]

Im Oktober 2018 wurde Iwanow zunächst kommissarischer Direktor des Joffe-Instituts.[8] Im Mai 2019 wählten ihn die Mitarbeiter zum Direktor des Joffe-Instituts.

Im Juni 2022 wurde er zum korrespondierenden Mitglied der Russischen Akademie der Wissenschaften (Fachabteilung: Physik) gewählt.[2]

Einzelnachweise

  1. a b c Кафедра физики СПб АУ РАН: Иванов Сергей Викторович (abgerufen am 22. September 2020).
  2. a b N. Lanskoj: Избранные члены Российской академии наук [Gewählte Mitglieder der Russischen Akademie der Wissenschaften]. Портал «Научная Россия», 2. Juni 2022, abgerufen am 11. Juni 2022.
  3. a b Laboratory of Quantum-size Heterostructures, Group of Molecular Beam Epitaxie (abgerufen am 23. September 2020).
  4. Иванов, Сергей Викторович: Исследование процессов роста примолекулярно-пучковой эпитаксии слоев и гетероструктур в системе (Al, Ga)As с целью создания низкопороговых инжекционных гетеролазеров : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Leningrad 1989.
  5. Иванов, Сергей Викторович: Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. St. Petersburg 2000.
  6. eLibrary.Ru: ИВАНОВ СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ (abgerufen am 3. Oktober 2020).
  7. Корпус экспертов по естественным наукам: Список CI7 ≥ 100 (abgerufen am 23. September 2020).
  8. Wiktorija Usdina: Глава ФТИ Сергей Иванов: мы надеемся на новую Нобелевскую премию. In: RIA Novosti. 10. Januar 2019, abgerufen am 23. September 2020.