Direct Bonded Copper

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche
Struktur eines Direct-Bonded-Copper-Substrates (oben) und eines isolierten Metal-Substrates (unten).

Direct bonded copper, (DBC, auch engl. Direct copper bonded, DCB), ist in der Aufbau- und Verbindungstechnik eine Struktur, die eine enge elektrisch/thermische Verbindung elektronischer Bauteile und Chips über Kupfer ermöglicht. Dies ist besonders in der Leistungselektronik für eine bessere Wärmeableitung wichtig. Es werden sowohl Hybridschaltkreise mittels Chip- und Drahtbonden als auch Metallkern-Leiterplatten gefertigt.

Auf dem DBC-Substrat werden aus bzw. auf der Kupferschicht Leiterbahn-Strukturen und Kontaktflächen hergestellt, um Bauteile aufzulöten, die so besonders gut gekühlt werden, was bei konventionellen Leiterplatten aufgrund der schlechten Wärmeleitfähigkeit des Substrates nicht erreichbar ist.

Andere Substratmaterialien[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Mit der Marken-Bezeichnung IMS (Insulated metal substrate, Henkel AG), werden Metallkern-Leiterplatten bezeichnet, bei denen die dielektrische Schicht aus mit Keramikpulver gefülltem Polymer besteht[1]. Die wärmeableitende Platte besteht meist aus Aluminium statt aus Kupfer (siehe Bild).

Weitere Substrate zur besonders guten Wärmelableitung sind neben Aluminiumoxidkeramik Berylliumoxid-Keramik, Aluminiumnitrid-Keramik und Saphir. Aluminiumoxid-Keramikscheiben als Basisplatte von Halbleiterauteilen oder Hybritschaltungen werden oft auch ohne Metallplatte auf Kühlkörper montiert.

Wegen der komplizierteren Herstellung sind Keramiksubstrate nur bedingt für Prototypen geeignet.

Literatur[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  • Michael Pecht: Handbook of Electronic Package Design. CRC Press, 1991, ISBN 0-8247-7921-5, S. 145 ff.
  • http://www.bergquistcompany.com/pdfs/techLibrary/tclad_2013_web_fullguide.pdf Anwenderrichtlinien für IMS, abgerufen am 24. Mai 2018