Diskussion:Magnetoresistive Random Access Memory
Lese-/Schreibzyklus[Quelltext bearbeiten]
Zitat: "Ein Lese-/Schreibzyklus dauert 35 ns, also um ein vielfaches länger als bei SDRAM oder gar neueren RAM-Technologien."
Das ist Unsinn.
Ein MRAM wie der MR2A16A wird als asynchroner SRAM angesteuert, also Adresse anlegen und nach x ns das Datenwort abholen. Besagte 35ns gelten als Zugriffszeit für *beliebige* Adressen.
SDRAM hingegen wird zweistufig adressiert (RAS bzw. CAS Zugriffe) und erreicht wohl beim Zugriff auf mehrere Adressen innerhalb der selben Speicherseite geringere Zeiten, aber nicht wenn die Daten auf verschiedenen Seiten liegen. Beim wahlfreien Zugriff muß man bei SDRAM also mit der CAS-Zykluszeit rechen und die liegt auch bei neuesten DDR3 SDRAMs bei 50-60ns - ist also *länger* als besagte 35ns beim MRAM.
-- 89.12.107.193 14:44, 20. Aug. 2007 (CEST)
- Im Burst-Zugriff ist aber SDRAM wesentlich schneller mit 1 Taktzyklus, DDR-SDRAM schafft das sogar in 1/2 Taktzyklus. Das wären dann z.B. bei DDR2-800 1,25ns. --MrBurns 00:33, 25. Nov. 2008 (CET)