Indium-Gallium-Zink-Oxid

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Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) ist ein Halbleitermaterial, das als Kanal für einen transparenten Dünnschichttransistor verwendet werden kann. Es ersetzt amorphes Silicium als aktive Schicht in einem LC-Bildschirm und ermöglicht mit einer 40-mal höheren Elektronenbeweglichkeit gegenüber amorphem Silicium sowohl kleinere Pixel (für Bildschirmauflösungen höher als HDTV) als auch schnellere Reaktionsgeschwindigkeit für einen Bildschirm.

Der Vorteil gegenüber Zinkoxid ist, dass es als einheitliche amorphe Phase abgeschieden werden kann, und dies unter Beibehaltung der hohen Ladungsträgerbeweglichkeit des Oxid-Halbleiters. Die Transistoren sind etwas lichtempfindlich, aber der Effekt wird nur im tiefvioletten bis ultravioletten (Photonenenergie oberhalb von 3 eV) Bereich sichtbar und bietet die Möglichkeit eines vollständig transparenten Transistors.

Sharp kündigte Mitte April 2012 an, dass die Firma IGZO-Panels (32-Zoll-Panels mit Auflösungen von 3840 × 2160 Pixel und 2560 × 1600 Pixel sowie 10-Zoll- und 7-Zoll-Panels mit 1280 × 800 Pixel) in hoher Stückzahl produzieren werde. Zunächst war geplant, dass die „Retina-Displays“ für das iPad 3 mit einem IGZO-Display von Sharp ausgestattet werden, doch dies wurde aus Zeitgründen verworfen.[1]

Seit Mitte 2013 produziert Sharp IGZO-Panels auch für Notebooks[2] und seit Ende 2013 auch für Smartphones.[3]

Literatur[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  • Chiao-Shun Chuang et al.: P-13: Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays. In: SID Symposium Digest of Technical Papers. Band 39, Nr. 1, 2008, S. 1215–1218, doi:10.1889/1.3069354 (PDF).

Fußnoten[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. Tony Smith: Sharp starts punching out IGZO LCDs for retina screens. 13. April 2012.
  2. Sharp to Produce 3 Types of IGZO LCD Panels for Notebook PCs, 14. Mai 2013
  3. Sharp to Begin Production of IGZO*1 LCD Panels for Smartphones at Kameyama Plant No. 2, 17. Oktober 2013