Indiumphosphid

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Kristallstruktur
Struktur von Indiumphosphid
__ In3+     __ P3−
Allgemeines
Name Indiumphosphid
Andere Namen

Indium(III)-phosphid

Verhältnisformel InP
CAS-Nummer 22398-80-7
Kurzbeschreibung

dunkelgrauer Feststoff[1]

Eigenschaften
Molare Masse 145,79 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

4,79 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

1070 °C[2]

Löslichkeit

praktisch unlöslich in Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus EU-Verordnung (EG) 1272/2008 (CLP) [3]
08 – Gesundheitsgefährdend

Gefahr

H- und P-Sätze H: 350​‐​361f​‐​372
P: 201​‐​281​‐​308+313 [1]
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [4][5]
Giftig
Giftig
(T)
R- und S-Sätze R: 45​‐​48/23​‐​62
S: 45​‐​53
MAK

aufgehoben, da cancerogen[1]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
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Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber[6] und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.

Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Vorkommen[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Indiumphosphid ist eine künstlich hergestellte Verbindung. Von den beiden Bestandteilen ist Indium, im Gegensatz zum Phosphor, ein seltenes Element.

Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

InP basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

Eigenschaften[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 Kelvin (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 eV.[7]

Sicherheitshinweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.[1]

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. a b c d e Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 1. Februar 2016 (JavaScript erforderlich).
  2. a b Datenblatt Indiumphosphid bei AlfaAesar, abgerufen am 6. Februar 2010 (JavaScript erforderlich).
  3. Eintrag aus der CLP-Verordnung zu CAS-Nr. 22398-80-7 in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA (JavaScript erforderlich).
  4. Für Stoffe ist seit dem 1. Dezember 2012, für Gemische seit dem 1. Juni 2015 nur noch die GHS-Gefahrstoffkennzeichnung gültig. Die EU-Gefahrstoffkennzeichnung ist daher nur noch auf Gebinden zulässig, welche vor diesen Daten in Verkehr gebracht wurden.
  5. Harmonisierte Einstufung von Indiumphosphid im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 18. November 2015.
  6. Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.
  7. Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)