Pseudostatisches RAM
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Pseudostatisches RAM (PSRAM) bezeichnet einen Typ von Speicherbausteinen für Computer. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren.
Ein PSRAM besteht aus einem DRAM mit eingebauter Steuerschaltung für das nötige Auffrischen der Speicherzellen und einer Schaltung zur Umsetzung der SRAM-Schnittstelle auf eine DRAM-Schnittstelle. Dadurch vereinigt es die Vorteile des geringen Flächenbedarfs des DRAMs mit der relativ einfachen Ansteuerung eines SRAMs.
Produktnamen für den PSRAM sind je nach Hersteller CellularRAM[1] (Micron Technology), 1T-SRAM[2] (MoSys) und PSiRAM[3] (Tezzaron Semiconductor, 2003).
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ PSRAM/CellularRAM. Micron Technology, 2012, archiviert vom (nicht mehr online verfügbar) am 20. September 2012; abgerufen am 12. September 2012 (Produktseite von Micron Technology).
- ↑ P. N. Glaskowsky: MoSys explains 1T-SRAM technology. In: Microprocessor Report. Band 13, Nr. 12, 1999, S. 1–2 (PDF [abgerufen am 12. September 2012]).
- ↑ Mark LaPedus: Tezzaron rolls out 'PSiRAM' memory technology. In: EE Times. News and Analysis. 18. August 2003, abgerufen am 12. September 2012.