BEDO-DRAM

Die Abkürzung BEDO-DRAM, kurz für englisch Burst Extendend Data Out DRAM, bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Dabei handelt es sich um eine spezielle Variante eines Extendend Data Out DRAM (EDO-DRAM), d. h., ein dynamisches RAM (DRAM) bei denen die Ausgabedaten länger als normal anliegen und so einen schnelleren Zugriff auf die nächste Speicheradresse erlaubt.

'Burst Read' eines asynchronen BEDO-DRAMs. Hier musste noch für jedes Burst-Bit die zugehörige Spaltenadresse (Col) vorgegeben werden.

Im Unterschied zum EDO-DRAM wurde beim BEDO-DRAM die interne Steuerung dahingehend geändert, dass Daten in einem sogenannten Burst (dt. ungefähr Häufung) gelesen werden können, d. h., nach dem Anlegen einer Adresse kann die nachfolgende Speicheradressen einer Zeile in nur einem Taktzyklus gelesen. Dazu wird beim ersten Zugriff die Spalten- und Zeilenadresse mit mit RAS (Row Address Strobe, Adressabtastimpuls für die Spalte) und CAS (Column Address Strobe, Adressabtastimpuls für die Spalte) angelegt, wie beim normalen DRAM. Für den Zugriff auf nachfolgende Speicherzellen der gleichen Zeile, wird jedoch nur noch ein CAS-Signal genutzt. Dabei wird bei aktivieren des CAS-Signal der interne Adresszähler erhöht, dies wird als Burst-Mode und erlaubt einen schnelleren Speicherzugriff auf aufeinander folgenden Speicheradressen.

Da nur weniger Chipsätze unterstützt wurde, konnte sich diese Technik nicht am Markt durchsetzen.

Quellen

• Rolf Klaus, Hans Käser: Grundlagen der Computertechnik. vdf Hochschulverlag AG, 1998, ISBN 978-3-7281-2475-3, S. 85. 
• Axel Sikora: Taschenbuch Digitaltechnik. Hanser Verlag, 2007, ISBN 978-3-446-40903-3, S. 320. 
• Klaus Urbanski, Roland Woitowitz: Digitaltechnik: Ein Lehr- und Ubungsbuch. Springer, 2004, ISBN 978-3-540-40180-3, S. 230–231.