„Elektronenrückstreubeugung“ – Versionsunterschied
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'''Elektronenrückstreubeugung''' (EBSD) (nach engl: '''Electron backscatter diffraction''') ist eine [[Kristallographie|kristallografische]] Technik, mit der die Struktur von [[Kristall]]en analysiert werden kann. |
'''Elektronenrückstreubeugung''' (EBSD) (nach engl: '''Electron backscatter diffraction''') ist eine [[Kristallographie|kristallografische]] Technik, mit der die Struktur von [[Kristall]]en analysiert werden kann.<ref name="Adam J. Schwartz, Mukul Kumar, Brent L. Adams, David P. Field">{{Literatur| Autor=Adam J. Schwartz, Mukul Kumar, Brent L. Adams, David P. Field | Titel=Electron Backscatter Diffraction in Materials Science | Verlag=Springer Science & Business Media | ISBN=978-1-4757-3205-4 | Jahr=2013 | Online={{Google Buch | BuchID=m8fSBwAAQBAJ | Seite=17 }} | Seiten=17 }}</ref> |
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EBSD-Systeme werden größtenteils in [[Rasterelektronenmikroskop]]en oder [[Transmissionselektronenmikroskop]]en eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende [[Elektronenquelle|Primärelektronenstrahl]] [[Raman-Streuung|inelastisch]] an den Atomen der Probe [[Streuung (Physik)|streut]] und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die [[Bragg-Bedingung]] erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver [[Interferenz (Physik)|Interferenz]]. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: ''electron backscatter pattern, EBSP'', auch [[Kikuchi-Pattern]]) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines [[Phosphor]]schirms aufgenommen<ref>{{internetquelle |autor= |hrsg=Kristallographisches Institut, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg|url=http://www.krist.uni-freiburg.de/studium/Praktikum/Praktikum_Manuskripte/EBSD/EBSD.pdf |format=pdf; 1,2 MB |sprache=de |titel=Electron Backscatter Diffraction EBSD |werk= |seiten= |datum= |zugriff=24. Januar 2011}}</ref>. |
EBSD-Systeme werden größtenteils in [[Rasterelektronenmikroskop]]en oder [[Transmissionselektronenmikroskop]]en eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende [[Elektronenquelle|Primärelektronenstrahl]] [[Raman-Streuung|inelastisch]] an den Atomen der Probe [[Streuung (Physik)|streut]] und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die [[Bragg-Bedingung]] erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver [[Interferenz (Physik)|Interferenz]]. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: ''electron backscatter pattern, EBSP'', auch [[Kikuchi-Pattern]]) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines [[Phosphor]]schirms aufgenommen<ref>{{internetquelle |autor= |hrsg=Kristallographisches Institut, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg|url=http://www.krist.uni-freiburg.de/studium/Praktikum/Praktikum_Manuskripte/EBSD/EBSD.pdf |format=pdf; 1,2 MB |sprache=de |titel=Electron Backscatter Diffraction EBSD |werk= |seiten= |datum= |zugriff=24. Januar 2011}}</ref>. |
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Version vom 19. Februar 2017, 19:12 Uhr
Elektronenrückstreubeugung (EBSD) (nach engl: Electron backscatter diffraction) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann.[1]
EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter pattern, EBSP, auch Kikuchi-Pattern) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines Phosphorschirms aufgenommen[2].
Die Nutzung der hohen örtlichen Auflösung von Elektronenmikroskopen (~10 nm) und die automatisierte Bildauswertung mit Hilfe von Computern ermöglicht die ortsaufgelöste Ermittlung (Mapping) der Kristallsymmetrien (Kristallstruktur) und deren Ausrichtung (Kristallorientierung), sowie mit entsprechender Software und hochauflösender Detektion die Analyse von Materialverspannungen (Strain-Analyse).
Siehe auch
Weblinks
Literatur
- Joseph Goldstein et al.: Scanning Electron Microscopy and X-ray microanalysis 690 Seiten – Springer, New York. 2003 – 3. Auflage – ISBN 978-0-306-47292-3
- F. J. Humphreys: Review Grain and subgrain characterisation by electron backscatter diffraction, Journal of Materials Science, Volume 36, Number 16, Seiten 3833 bis 3854, 2001
Einzelnachweise
- ↑ Adam J. Schwartz, Mukul Kumar, Brent L. Adams, David P. Field: Electron Backscatter Diffraction in Materials Science. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-1-4757-3205-4, S. 17 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Electron Backscatter Diffraction EBSD. (pdf; 1,2 MB) Kristallographisches Institut, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, abgerufen am 24. Januar 2011.