„Majoritätsladungsträger“ – Versionsunterschied
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Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle [[Bändermodell#Isolatoren und Halbleiter|Donatoren]] beziehungsweise [[Bändermodell#Halbleiter|Akzeptoren]] ionisiert sind ([[Störstellenerschöpfung]]). Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der [[Eigenleitungsdichte]] ( <math>N_\mathrm{A}^- \gg n_\mathrm{i} </math> bzw. <math>N_\mathrm{D}^+ \gg n_\mathrm{i} </math>) des Halbleiters zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration der <math>p</math> (der Defektelektronen) bzw. <math>n</math> (der Elektronen) im |
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Aktuelle Version vom 2. August 2020, 22:40 Uhr
Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen.
Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung). Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte ( bzw. ) des Halbleiters zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration der (der Defektelektronen) bzw. (der Elektronen) im
- p-Gebiet:[1]
- n-Gebiet:[1]
mit der Eigenleitungsdichte , den Konzentrationen der ionisierten Donator- und Akzeptoratome sowie der Konzentration aller (geladenen und neutralen) Donatoren und Akzeptoren .
Literatur
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- Albrecht Möschwitzer, Klaus Lunze: Halbleiterelektronik. Lehrbuch. 2., bearb. Auflage. Verl. Technik, Berlin 1975, DNB 200142224.
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ a b Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.