Diskussion:Lift-off-Verfahren

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Lift-off-Verfahren- Review März 2012 [1]

Das Lift-off-Verfahren (englisch lift-off technique oder auch pattern-transfer technique, dt. ‚Musterübertragungstechnik‘) ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik ein Herstellungsverfahren von strukturierten dünnen Schichten auf der Oberfläche eines Substrats (z. B. Wafer) mit Hilfe einer Opferschicht. Die Größe der erzeugten Strukturen reicht von einigen Nanometern bis zu Zentimeter. Die typischen Strukturgrößen liegen jedoch im Mikrometerbereich.

Hallo, ich habe den Artikel vor einiger Zeit erstellt und seitdem ruht er mehr oder weniger. Mich würde interessieren was aus der Sicht von Außenstehenden an dem Artikel noch hinsichtlich Verständnis usw. fehlt. Größere Ergänzungen sind meiner Meinung nach nicht notwendig, um den Artikel auf das Niveau von Lesenswert zu bekommen. Eine erfolgreiche Kandidatur wäre aber schön. Was meint ihr? -- Cepheiden 21:41, 19. Jan. 2012 (CET)

Hi, einige Punkte:

1. gibt es vielleicht (mit entsprechender Freigabe/Lizenz verfügbare) Prozessbilder (Nahaufnahmen), von der Chipoberfläche von z.B. aus dem 3. Prozessschritt aus dieser Skizze? Wäre interessant, wie sowas "optisch" ausschaut. Oder ggf. auch Aufnahmen von defekten Wafern mit "typischen Prozessfehlern".
2. Im Abschnitt "Anwendung" steht, dass das Lift-off-Verfahren wird vor allem für die Strukturierung von metallischen Schichten verwendet wird. Wozu wird es sonst noch verwendet? Oder anderes herum gefragt, gibt es auch andere Prozessverfahren um metallische Leiterschichten auf den Die aufzubringen?
3. Wieviele metallisierungsschichten übereinander lassen sich damit maximal realisieren? Bei größeren FPGAs sind es, nur aus Erinnerung und eventuell falsch, runde 6 bis 8 Metallisierungsschichten? Kommt das hin?
4. Gibt es Halbleitermaterialien bei denen sich diesesn Verfahren nicht anwenden lässt? (warum auch immer, z.B. weil sich die Prozessschritte in der Fertigung nicht realisieren lassen) - Wird diese Technik nicht nur bei Si sondern zum Beispiel auch bei GaAs oder anderen Halbleitern verwendet? (mit anderen Opferschichtmaterial/Fotolacke)--wdwd 11:27, 4. Feb. 2012 (CET)

Hallo, danke für die Kommentare und Anmerkungen

1. Bilder ist immer so ein Thema, geben tut es die sicher aber Technologieschnitte mit freien Lizenzen sind Mangelware. Ich kann ja mal Ausschau halten.
2. Alternative Materialien werde ich demnächst noch ergänzen. Ich hoffe aber, dass der Text nicht den Eindruck erweckt, dass Lift-off der Hauptprozess für die Erstellung der Leiterbahnebenen ist. Leiterbahnebenen werden hauptsächlich durch ganzflächige Abscheidung (PVD) und trocken Ätzen (Aluminium-Leiterbahnen) oder durch Grabenfertigung und Galvanischer Abscheidung (Kupfer-Leitbahnen) hergestellt.
3. Mehrebige Metallisierungen durch Lift-Off sind mir nicht bekannt, aber wird es sicher geben. Aber nicht in dem Rahmen, dass damit die Leiterbahnebenen für ICs oder FPGAs gefertigt werden. Die Frage ist häufig auch nicht wie viele Ebenen sich theoretisch realisieren lassen - das werden mit entsprechenden Planarisierungsebenen sicher einige sein - , sondern was wirtschaftlich sinnvoll ist.
4. Puh, Prozessvarianten und Materialkomponenenten sind ein Teil, den ich nicht intensiver bearbeitet habe, das könnte auch eine sehr ausufernde Arbeit werden. Ich kann ja mal in die Standardbücher schauen.

Ist der Text ansonsten verständlich? --Cepheiden 14:46, 4. Feb. 2012 (CET)

Ja, meiner Meinung ist Text verständlich und liest sich gut.--wdwd 15:05, 4. Feb. 2012 (CET)

Also es wurde wohl doch in den 1980ern für die Herstellung von mehreren Leiterbahnebenen eingesetzt. Mehr als 4 Ebenen waren aber wohl nicht möglich. Ich habe unter anderem dazu noch ein paar Informationen ergänzt. --Cepheiden (Diskussion) 02:44, 6. Mär. 2012 (CET)

KLA-Diskussion vom 21. März bis 2. April 2012 (lesenswert)

Das Lift-off-Verfahren (englisch lift-off technique oder auch pattern-transfer technique, dt. ‚Musterübertragungstechnik‘) ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik ein Herstellungsverfahren von strukturierten dünnen Schichten auf der Oberfläche eines Substrats (z. B. Wafer). Bei dem additiven, d. h. aufbauenden, Verfahren wird das Zielmaterial ganzflächig auf eine bereits strukturierte Opferschicht abgeschieden und anschließend durch Entfernen der Opferschicht strukturiert. Die Größe der mit dem Lift-off-Verfahren herstellbaren Strukturen reicht von einigen zehn Nanometern bis zu Zentimeter. Die typischen Strukturgrößen liegen jedoch im Mikrometerbereich.

Nach einer Review mit leider sehr geringen Beteiligung schlage ich meinen Artikel dennoch als Lesenswert-Kandidat vor. Evtl. kommen ja durch die Kandidatur noch weitere Verbesserungsvorschläge zusammen. Grüße --Cepheiden (Diskussion) 09:50, 21. Mär. 2012 (CET)

Ich habe den Eindruck, die Bezeichnung lift-off-Verfahren steht für eine ganze Klasse von aus Fotolithografie, chemischem Ätzen und weiterem kombinierten Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen zB auf Wafern. Leider ist der Artikel mit vielen orthografischen Fehlern bis zur Unleserlichkeit gespickt, dass ich  Kontra urteilen muss.Nachden auf meine Kritik hin einiges geändert wurde, halte ich den Artikel bei ausgeprägten Fachartikelcharakter für fachlich Interessierte  Lesenswert --SonniWP✍ 20:11, 21. Mär. 2012 (CET)

Der Eindruck ist richtig, aber was sagt das Wesen eines Verfahrens über den Artikel aus? Was die orthografischen Fehler angeht, hier bin ich über jeden Hinweis dankbar. Das Urteil "bis zur Unleserlichkeit" finde ich aber übertrieben. Dennoch danke für deine Meinung. --Cepheiden (Diskussion) 12:29, 21. Mär. 2012 (CET)

mM trifft das Lemma den Inhalt nicht; Die Bildbeschriftung des dritten Teilbildtext bei Fotolithografie mit Bildumkehrschritt "bewirkt eine Quervernetzungen" ergibt keinen Sinn. --SonniWP✍ 13:44, 21. Mär. 2012 (CET)

Könntest du die Kritik evtl. etwas genauer ausführen? Ein einfaches "ergibt keinen Sinn" ist wenig aussagekräftig darüber, ob du der Meinung bist, dass dieser Quervernetzungsprozess dort nicht stattfindet, an dieser Stelle keinen Nutzen hat, hier ein Verständisproblem auftritt oder ähnliches vorliegt. Des Weiteren würde mich interessieren, warum du meinst "das Lemma trifft den Inhalt nicht." Was wäre denn, deiner Meinung nach ein passendes Lemma bzw. was müsste deiner Meinung nach Inhalt eines Artikels sein, der sich mit dem in der Technik üblichen Begriff Lift-off-Verfahren beschäftigt? Derzeit hilft mir deiner Kritik leider wenig weiter, um zu erkennen was du überhaupt bemängelst und wie man diese Mängel beseitigen könnte. Danke --Cepheiden (Diskussion) 14:09, 21. Mär. 2012 (CET)

Ich habe in meinem ersten Kommentar schon einen Text formuliert, der so oder ähnlich den Artikel einleiten könnte. Die beteiligten Verfahren oder Technologiegebiete, aus denen diese Verfahren stammen etc, kenne ich nicht alle. Wenn in der Bildbeschriftung schon Numerus und Substantiv nicht zusammenpassen, ist nicht klar, was an dem Satzfragment noch richtig ist. Einfache Orthografiefehler könnt ich ja selbst beheben - aber beim Versuch, zu verstehen, was gemeint ist, habe ich schon aufgeben müssen. Ich hatte in meinem Berufsleben Kollegen, die mit solchen Verfahren gearbeitet haben, aber deren Erklärungen konnte ich verstehen - hier wird verallgemeinert, ohne dass die spezielleren Verfahren wenigstens durch Links auf erklärende Artikel angegeben werden. Mir ist schon allein unklar, auf welchem Wege die lift-off-Verfahren abstrahiert werden; zunächst sollte erstmal erklärt werden, was der Artikel zeigen will. Gottgegeben ist hier gar nichts, ohne vernünftige Einleitung weiß auch niemand, worauf der Artikel hinaus will. Verfahrenskollagen braucht WP nicht. --SonniWP✍ 14:51, 21. Mär. 2012 (CET)

• Ich habe mal ein Vorschlag für die Einleitung auf meiner Spielwiese erstellt. Ich musste mir erst den Prozess-Abschnitt durchlesen um diese zu verstehen. Ich habe mal versucht es ein wenig verständlicher zu formulieren. Soweit erstmal - MfG--Krib (Diskussion) 21:24, 21. Mär. 2012 (CET)

Ist etwas besser als im Artikel. Der bestimmte Artikel gehört raus, weil mehrere Verfahren beschrieben werden - das gehört genauer gesagt - ob es eine ganze Klasse ist, weiß ich nicht, eine Struktur der Beschreibung wäre einer solchen Aussage gemäß anzupassen. Wenn der Artikel alle lift-off-Verfahren? beschreiben soll und diese Menge eine Struktur hat, soll diese dargestellt sein - noch enthält er ja nur Aussagen zu mehreren solchen Verfahren. --SonniWP✍ 10:01, 22. Mär. 2012 (CET)

Danke für die Hilfen (sowas hatte ich mir eigentlich von der Review erwartet), insgesamt wirkt der Vorschlag verständlicher. Ich denke es wäre ein Verbesserung, wenn Krib den Text ersetzt (er ist ja der Autor). Allerdings fällt mir dabei auf, dass sowohl in der neuen Einleitung als auch in der jetzigen, der Eindruck erweckt wird, dass mit dem Lift-off-Verfahren ganze IC gefertigt werden können. Richtig ist aber, dass nur einige Teilbereiche mit Lift-off gefertigt werden können und dieses Verfahren bei heutigen ICs auch kaum noch eine Rolle spielt. Das muss ich noch ändern. --Cepheiden (Diskussion) 10:23, 22. Mär. 2012 (CET)

OK, habe den Text übertragen und bitte ändert jetzt noch die von euch angesprochenen Unklarheiten im Text (ganze IC gefertigt?! und mehrere Verfahren beschrieben?!). MfG--Krib (Diskussion) 10:38, 22. Mär. 2012 (CET)

So, ich hoffe einige Kritikpunkte sind nun behoben. Grüße --Cepheiden (Diskussion) 11:28, 22. Mär. 2012 (CET)

Jein, so paßt es noch nicht richtig zusammen. Gehen wir die Sache mal anders an: In Fotolithografie (FL) gehört eine solche Technik zum Standardrepertoire. Was erläutert uns dieser Artikel, das in FL nicht schon behandelt ist? --SonniWP✍ 16:55, 22. Mär. 2012 (CET)

Welche Technik/Variante des Lift-off-Verfahren gehört denn bitte bei Fotolithografie zum Standardrepertoire? Doch nicht etwa weil eine fotolithografische Strukturierung zu einem der eingesetzten Prozesse in der Prozessfolge bei Lift-off gehört oder? Hier scheint irgendwie immer noch ein Verständnisproblem vorzuliegen. --Cepheiden (Diskussion) 18:34, 22. Mär. 2012 (CET)

Warum erklärt dieser Artikel nicht, was an lift-off nicht FL ist? Ich finde keinen Hinweis auf einen wesentlichen Unterschied. --SonniWP✍ 21:54, 22. Mär. 2012 (CET)

Also wenn ich es richtig verstanden habe kann man beim Lift-Off die Opferschicht mit Hilfe der FL strukturieren! MfG--Krib (Diskussion) 16:01, 23. Mär. 2012 (CET)

Die Betonung sollte hier unter anderem auf "kann" liegen, die strukturierte Opferschicht kann auch anders erzeugt werden. Beim Verständis sollte man nie einen der Teilprozesse mit der Prozessfolge Lift-off verwechseln. Denn quasi alle Einzelprozesse können auch durch andere Verfahren ersetzt werden, beispielsweise die FL durch Elektronenstrahlt- oder Imprintlithografie. Evtl. verwirrt der Abschnitt "Fotolithografie mit Bildumkehrschritt", dieser beschreibt aber nur wie man ein FL-Schicht mit unterschnittenem Profil erzeugen kann. Das ist streng genommen eher was für den Artikel Fotolithografie, dort aber wiederum zu speziell, da diese Methode für einen typischen fotolithografischen Prozess eher untypisch ist. Er wird eben nur bei solchen speziellen Verfahren wie dem Lift-off genutzt, bei denen die Kantenprofile eine bestimmte Form aufweisen sollten. Der Abschnitt zur Prozessvariante beschreibt also nur einen Teilprozess (Herstellung der strukturierten Opferschicht) aus der Prozessfolge Lift-off, so wie die anderen Abschnitte auch. FL liefert im Lift-off eben nur die Maskierungsschicht, so wie sie es in allen Bereichen der Halbleitertechnik tut. Die Schichtabscheidung mit bestimmten Randbedingungen ist zum Beispiel nicht Fotolithografie ebenso wären Ätzschritte die teilweise bei der Herstellung von Opferschichtsystemen oder für die Ätzung der untersten Schicht in einem solchen Stapel verwendet werden nicht Fotolithografie. Eherlich gesagt weiß ich nicht, wie ich das mit wenigen Worten anders beschreiben könnte als es nicht schon im Artikel steht. --Cepheiden (Diskussion) 21:13, 24. Mär. 2012 (CET)

• Weiter im Text, Vorschlag zum einleitetenden Satz der Prozessbeschreibung:

Das Lift-off-Verfahren ist eine relativ einfache und effiziente Folge aus verschiedenen Grundverfahren der Halbleitertechnik. Eine typische Prozessfolge ist zum Beispiel die fotolithografischen Strukturierung, das Schichtabscheiden und das anschließende Ätzen. Im Laufe der Zeit haben sich jedoch verschiedene Varianten entwickelt, wobei deren Möglichkeiten sehr von den verwendeten Prozessbedingungen bzw. -einstellungen abhängen. Im Folgenden werden daher nur die grundlegenden Prozessschritte beschrieben.

• Dann sollte der Text mit dem Bildtext konform sein und ich würde:

...Seitenwände mit leichtem Unterschnitt (negativer Seitenwandwinkel) ergeben. ergänzen.

• Weiterhin steht geschrieben:

Dabei sollte es keine physikalische Verbindung zwischen dem Zielmaterial auf dem Substrat auf der Opferschicht bestehen, zum einen damit diese Verbindung später nicht nachträglich aufgetrennt werden muss, zum anderen damit die Seitenflächen der Opferschicht weiterhin unbedeckt sind. Letzteres ist für den letzten Prozessschritt wichtig, in dem die Opferschicht entfernt wird, denn eine beschichtete Seitenfläche verhindert den chemischen Angriff beim Auflösen der Opferschicht.

Physikalische Verbindung finde ich hier zu ungenau und zwischen dem Zielmaterial auf dem Substrat auf der Opferschicht bestehen passt nicht! Besser:

Dabei sollte es zu keiner Verbindung zwischen dem Zielmaterial auf dem Substrat und dem abgeschiedenen Zielmaterial auf der Opferschicht kommen, damit zum einen diese Verbindung später nicht nachträglich aufgetrennt werden muss, zum anderen die Seitenflächen der Opferschicht weiterhin unbedeckt sind und somit die Entfernung der Opferschicht im letzten Prozessschritt nicht behindert wird.

Soweit erstmal - MfG--Krib (Diskussion) 17:37, 23. Mär. 2012 (CET)

Habe schon mal begonnen die Änderungen durchzuführen...(konnte mich nicht zurückhalten ;) ) MfG--Krib (Diskussion) 08:53, 24. Mär. 2012 (CET)

• Der letzte Satz unter Prozessfehler: Günstig sind hierbei eine Kombination aus unterschnittenen (negativen) Flanken oder Opferschichtsystemen, bei denen die unterste Schicht zurückgeätzt wurde, und einem Beschichtungsverfahren mit schlechter Kantenbedeckung. solltest du umformulieren und evtl. ein wenig detalierter Gestalten, denn mir unverständlich (Opferschichtsystem + mehrere Schichten wurden noch nirgends bis dahin erwähnt). MfG--Krib (Diskussion) 09:34, 24. Mär. 2012 (CET)

Ist mir nach weiterer Lektüre jetzt klar geworden und du solltest irgendwie vermerken...siehe im folgenden Abschnitt...oder so ?! MfG--Krib (Diskussion) 10:48, 24. Mär. 2012 (CET)

Hier reiche ich am Besten eine Abbildung nach. --Cepheiden (Diskussion) 21:13, 24. Mär. 2012 (CET)

Habe noch weiteren Feinschliff an den Formulierungen durchgeführt und habe bei folgendem Satz Verständnisprobleme (aus Fotolithografie mit Bildumkehrschritt - habe ich schon leicht bearbeitet, Anmerk. direkt im Satz):

• Bei basischen Umkehrfotolacken wird die Fotolackschicht nach der Belichtung zunächst einem Amin-Dampf oder einer Ammoniak-Lösung ausgesetzt. Dabei diffundiert ein basischer Katalysator in die Schicht, der beim anschließenden Umkehrheizen zur Zersetzung der gebildeten 3-Indencarbonsäure (in welchen Bereichen ist diese entstanden?) führt. Die so entstehenden Inden-Derivate sind sehr wirksame Löslichkeitshemmer, welche anschließend durch eine Flutbelichtung mit sehr hohen Belichtungsdosen komplett zerstört werden. Durch diesen Prozess kann ein sehr hohen Kontrast erzielt werden. (im Gegensatz zu anderen Verfahren?)
• Weiterhin ist der gesamte Abschnitt Fotolithografie mit Bildumkehrschritt ohne ein Einzelnachweis! - MfG--Krib (Diskussion) 12:43, 24. Mär. 2012 (CET)

• Die Kontrastangabe ist absolut, man kann aber auch sagen er ist höher als beim direkten Prozess. Hier genauer zu unterscheiden wäre zu speziell. Da es für Lift-Off eher eine geringere Bedeutung, hab ich die Teile, dies sich auf den höheren Kontrast beziehen, gelöscht.
• EN nachgetragen (Sind die im Artikel angegebenen Hauptquellen) --Cepheiden (Diskussion) 21:13, 24. Mär. 2012 (CET)

Zum Abschnitt Elektronenstrahllithografie:

• Ich bin mir nicht sicher was du mit folgendem Satz ausdrücken wolltest: Die oberste Schicht ist 150 nm dick und die Empfindlichkeit der unteren Schicht wird angenommen.
• Hier: Häufig verwendete Materialkombinationen für ein solches Schichtsystem sind Polymethylmethacrylat (PMMA; mit hoher molarer Masse) und seine Copolymere (z. B. P(MMA-MAA) mit niedriger molarer Masse).[5] Beide sind empfindlich gegenüber einer Belichtung mit Elektronen und werden mit derselben Lösung entwickelt. Die Hinterschneidung hängt nur von ihren unterschiedlichen Empfindlichkeiten ab. ...wird für mich nicht klar woher der Empfindlichkeitsunterschied kommt (molarer Masse => Streuung?) und welches Material nun oben und welches unten verwendet wird!
• Im nächsten Satz: Neuere Arbeiten zeigen auch Versuche mit PMMA und Aluminium als obere Schicht. Sie bieten die Möglichkeit, die Elektronenstrahllithografie auch auf isolierenden Substraten anzuwenden, denn durch die Aluminiumbeschichtung lässt sich eine Aufladung der Probe effektiv verhindern. ...bin ich verwirrt! Gehört Al noch zur Opferschicht und wenn ja was ist das Zielmaterial und wie bricht man die geschlossene obere Al-Opferschicht auf, denn man will ja diese vor dem abscheiden des Zielmaterials strukturieren? Oder ich habe gerade ein Knoten im Kopf ;) - MfG--Krib (Diskussion) 16:44, 24. Mär. 2012 (CET)

• Ui, da müssen mir Gedanken abhanden gekommen sein. Korrigiert.
• das PMMA (obere Schicht) soll eine geringere Elektronenempfindlichkeit haben als die Copolymere (untere Schicht).
• Aluminium bildet hier die unterste Schicht der Opferschichtstapels. Ich will das eigentlich nicht weiter ausführen, da es keine Standardtechnik ist und habe es daher entfernt.

Danke für die kleinen Korrekturen und die vielen Hinweise. Ich habe versucht den Text entsprechend zu ergänzen. --Cepheiden (Diskussion) 21:13, 24. Mär. 2012 (CET)

So der Artikel wird und wird und ich bin auch fast durch! Zur Carbon-Dioxide-Snow-Technik:

• Festes Kohlendioxid bildet sich bei Temperaturen unterhalb von −60 °C und damit deutlich unterhalb typischer Prozesstemperaturen bei der Beschichtung. - Ich gehe davon aus, dass die CO2-Partikel erst nach der Beschichtung eingesetzt werden, und dann ist der 2. Teil des Satzes doch überflüssig?! (aus Neugier, was hat es auf sich mit dem Kommentar in der angegebenen Ref: Radulescu, F., et al., Introduction of Complete Sputtering Metallization in Conjunction with CO 2 Snow Lift-Off for High Volume GaAs Manufacturing, in Proc. GaAs MANTECH Conference, 2002, San Diego. ?) MfG--Krib (Diskussion) 08:53, 25. Mär. 2012 (CEST) ...und soll es tatsächlich ...oder durch Veraschung entfernt... heißen? Wenn ja erklären!!!

• Also der 2. Teil des Satzes soll auf den Temperaturunterschied deutlich machen. Denn dieser Unterschied zusammen mit den unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten bewirkt eine Verspannung. Es geht hier ja um ähnliche Effekte wie beim Bimetall, nur dass man eben die Trennung der beiden Materialien bewirken will.

Das ist mir schon klar, aber der Satz suggeriert das das CO2 bei der Beschiochtung eingesetzt wird und ich denke doch erst danach!? (Schau mir deine Veränderungen gleich mal an) MfG--Krib (Diskussion) 20:30, 25. Mär. 2012 (CEST)

• Der Kommentar gibt die im Beleg genannte Quelle an. Ich mach das mal in der Form XY zitiert nach: AB. Hab gerade noch das zugehörige PDF gefunden und muss da mal bei gelegenheit reinschauen.
• Jupp, Veraschung, genauer Plasmaveraschung --Cepheiden (Diskussion) 20:03, 25. Mär. 2012 (CEST)

Zu den Anwendungen:

• den folgenden Satz verstehe ich nicht! Da hierbei keine Ätzprozesse benötigt werden, kann hierbei immer annähernd gleiche Prozess genutzt werden.
• Diesen Satz: Denn anders als bei den steilen Seitenwänden, wie sie beim Trockenätzen entstehen, können hier gute Kantenbedeckungen mit einer breiten Auswahl von Beschichtungsverfahren erreicht werden... habe ich mir erlaubt umzustellen/-zuformulieren, aber wenn ich alles richtig verstanden habe sind Kantenbedeckungen schlecht beim Lift-off? Oder?

Ansonsten bin ich mit dem Artikel durch und kann ein klares  Lesenswert vergeben! Die OMA wird hier wohl überfordert sein, aber auch dieses Verfahren muss erklärt werden in der WP, wobei interessierte ja in der Regel Vorkenntnisse mitbringen werden. Weiterhin sollte die WP auch für "Experten" da sein (denn bei der Spezialisierung heutzutage kann man nicht alles Wissen), um sich schnell einen Überblick verschaffen zu können mit Verweisen auf entsp. Literatur. Da gewisse Fachsprachlichkeit ausdrücklich tolleriert wird für lesenswert, ist mMn eine Auszeichnung gerechtfertigt. MfG--Krib (Diskussion) 10:22, 25. Mär. 2012 (CEST)

Kann mir jemand erklären warum der Zeitstempel in den Versionsgeschichten zwei Stunden hinterher hinkt??? --Krib (Diskussion) 10:30, 25. Mär. 2012 (CEST)

• ja, etwas kurz und für Laien nicht unbedingt ersichtlich. Dies bezieht sich auf das Verfahren und den Vergleich mit einer subtraktiven Strukturierung durch Ätzen. Ich hab das noch etwas umschrieben. ich hoffe das reicht zum Verständnis.
• Ja, hier spring ich wieder im Thema. Es geht hier schon wieder um die weitere Verwendung der abgeschiedenen Schichten. Deren Form bzw. Topografie natürlich nachfolgende Abscheidungsprozesse beeinflusst.

--Cepheiden (Diskussion) 20:03, 25. Mär. 2012 (CEST) P.S. Sommerzeit und falsche Zeitzone unter Spezial:Einstellungen#mw-prefsection-datetime?

Meine Anmerkungen habe ich schon im Review kund getan - dass es keine (wohl nicht leicht zu beschaffende) Fotografien (Makroaufnahmen) von den typischen Prozessfehlern gibt, ist zwar schade, tut aber  Lesenswert keinen Abbruch.--wdwd (Diskussion) 19:41, 26. Mär. 2012 (CEST)

•  Lesenswert allemal. --PeterFrankfurt (Diskussion) 02:16, 27. Mär. 2012 (CEST)

übertragen von --Hepha! ± ion? 13:03, 2. Apr. 2012 (CEST)