HMOS
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HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierte Schaltkreise hoher Packungsdichte mit NMOS-Technik Anwendung.
| Generation | Einführung | Kanallänge | Gatterverzögerung |
|---|---|---|---|
| HMOS I | 1976 | ≈ 3 µm | 100 ns |
| HMOS II | 1979 | ≈ 2 µm | 30 ns |
| HMOS III | 1982 | ≈ 1,5 µm | 10 ns |
Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert.
Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.
[Bearbeiten] Literatur
- K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund: HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 16, Nr. 5, 1981, S. 454–459 (Abstract).
[Bearbeiten] Einzelnachweise
- ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth: Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3540621317.
