IEEE Lotfi A. Zadeh Award for Emerging Technologies

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Dies ist eine alte Version dieser Seite, zuletzt bearbeitet am 6. August 2016 um 23:12 Uhr durch Benerees (Diskussion | Beiträge) (→‎Weblinks). Sie kann sich erheblich von der aktuellen Version unterscheiden.
Zur Navigation springen Zur Suche springen

Der IEEE Daniel E. Noble Award for Emerging Technologies ist ein Technik-Preis des IEEE für neu entstehende Technologien, die auf Entwicklungen der letzten Jahre basieren. Er wird seit 2001 an Einzelpersonen oder Gruppen bis drei Personen vergeben.

Er löst den seit 1919 vergebenen IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award ab und ist nach Daniel E. Noble (1901–1980) benannt, einem Motorola-Ingenieur, der das erste FM-Sprechfunksystem für die Polizei in einem Bundesstaat in den USA entwarf und installierte.

Preisträger

Jeweils mit offizieller Begründung

  • 2001: Katsutoshi Izumi, For pioneering development of Separation by Implanted Oxygen (SIMOX) technology
  • 2002: Masataka Nakazawa, For pioneering development of 1.48 μm InGaAsP laser-diode pumping of erbium-doped fiber amplifiers (EDFA)
  • 2003: Kenichi Iga, For pioneering developments of surface emitting semiconductor lasers and arrays
  • 2004: Larry J. Hornbeck, For his pioneering work and sustained development of the Digital Micromirror Device, used in projection displays
  • 2005: David L. Harame, For the development of manufacturable Silicon Germanium, HBT Bipolar and BiCMOS technologies
  • 2006: Carlos A. Paz de Araujo, For fundamental contributions and commercialization in the field of Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM)
  • 2007: Stephen R. Forrest, Richard Henry Friend, Ching W. Tang, For pioneering contributions to the development of organic light emitting diodes (OLEDs)
  • 2008: James M. Daughton, Stuart Parkin, Saied Tehrani, For fundamental contributions to the development of magneto-resistive devices for non-volatile, high density, random access memory
  • 2009: Larry F. Weber, For pioneering contributions to Plasma Display Technology and its commercialization
  • 2010: Shinichi Abe, Shoichi Sasaki, Takehisa Yaegashi For pioneering contributions to the development and market penetration of hybrid electric vehicles (HEVs) through the establishment of innovative architectures and control technologies
  • 2011: Mark L. Burgener, Ronald E. Reedy For basic research and development of silicon on sapphire technology culminating in high-yield, commercially viable integrated circuits
  • 2012: Subramanian S. Iyer, For the development and implementation of embedded DRAM technologies
  • 2013: Jan P. Allebach, For the development of the Tone-Dependent Error Diffusion algorithm used widely in inkjet and laser printers
  • 2014: Gabriel M. Rebeiz, For pioneering contributions enabling commercialization of RF MEMS technology and tunable micro- and millimeter-wave systems
  • 2015: Khalil Najafi, For leadership in micro-electro-mechanical systems (MEMS), technologies, and devices and for seminal contributions to inertial devices and hermetic wafer-level packaging
  • 2016: Mark G. Allen, For contributions to research and development, clinical translation, and commercialization of biomedical microsystems.
  • 2017: Miguel A. L. Nicolelis, For seminal contributions to brain-machine interfaces.[1]

Weblinks

  1. 2017 IEEE Technical Field Award Recipients and Citations (PDF, 70 kB); abgerufen am 23. Juni 2016.