„BEDO-DRAM“ – Versionsunterschied
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Die Abkürzung '''BEDO-DRAM''', kurz für {{enS|''Burst Extendend Data Out DRAM''}}, bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Dabei handelt es sich um eine spezielle Variante eines {{lang|en|''[[Extended Data Output Random Access Memory|Extendend Data Out DRAM]]''}} (EDO-DRAM), d. h., ein [[dynamisches RAM]] (DRAM) bei denen die Ausgabedaten länger als normal anliegen und so einen schnelleren Zugriff auf die nächste Speicheradresse erlaubt. |
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Im Unterschied zum EDO-DRAM können beim BEDO-DRAM die Daten in einem Burst (dt. ungefähr ''Häufung'') gelesen werden, d. h., nach dem Anlegen einer Adresse werden bis zu drei nachfolgende Speicheradressen einer Zeile in nur einem Taktzyklus gelesen. Dazu wird beim ersten Zugriff die Spalten- und Zeilenadresse mit mit [[Dynamic Random Access Memory#RAS|RAS]] ({{lang|en|''Row Address Strobe''}}, Adressabtastimpuls für die Spalte) und [[Dynamic Random Access Memory#CAS|CAS]] ({{lang|en|''Column Address Strobe''}}, Adressabtastimpuls für die Spalte)angelegt, wie beim normalen DRAM. Für den Zugriff auf nachfolgende Speicherzellen der gleichen Zeile, wird jedoch nur noch ein CAS-Signal genutzt. Dabei wird bei aktivieren des CAS-Signal der interne Adresszähler erhöht, dies wird als Burst-Mode und erlaubt einen schnelleren Speicherzugriff auf aufeinanderfolgenden Speicheradressen. |
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== Quellen == |
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* {{Literatur | Autor = Rolf Klaus, Hans Käser | Titel = Grundlagen der Computertechnik. | Verlag = vdf Hochschulverlag AG | Jahr = 1998 | ISBN = 9783728124753 | Seiten = 85}} |
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* {{Literatur | Autor = Axel Sikora | Titel = Taschenbuch Digitaltechnik | Verlag = Hanser Verlag | Jahr = 2007 | ISBN = 9783446409033 | Seiten = 320}} |
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* {{Literatur | Autor = Klaus Urbanski, Roland Woitowitz | Titel = Digitaltechnik: Ein Lehr- und Ubungsbuch | Verlag = Springer | Jahr = 2004 | ISBN = 9783540401803 | Seiten = 230–231}} |
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Version vom 2. April 2013, 20:03 Uhr
Die Abkürzung BEDO-DRAM, kurz für englisch Burst Extendend Data Out DRAM, bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Dabei handelt es sich um eine spezielle Variante eines Extendend Data Out DRAM (EDO-DRAM), d. h., ein dynamisches RAM (DRAM) bei denen die Ausgabedaten länger als normal anliegen und so einen schnelleren Zugriff auf die nächste Speicheradresse erlaubt.
Im Unterschied zum EDO-DRAM können beim BEDO-DRAM die Daten in einem Burst (dt. ungefähr Häufung) gelesen werden, d. h., nach dem Anlegen einer Adresse werden bis zu drei nachfolgende Speicheradressen einer Zeile in nur einem Taktzyklus gelesen. Dazu wird beim ersten Zugriff die Spalten- und Zeilenadresse mit mit RAS (Row Address Strobe, Adressabtastimpuls für die Spalte) und CAS (Column Address Strobe, Adressabtastimpuls für die Spalte)angelegt, wie beim normalen DRAM. Für den Zugriff auf nachfolgende Speicherzellen der gleichen Zeile, wird jedoch nur noch ein CAS-Signal genutzt. Dabei wird bei aktivieren des CAS-Signal der interne Adresszähler erhöht, dies wird als Burst-Mode und erlaubt einen schnelleren Speicherzugriff auf aufeinanderfolgenden Speicheradressen.
Quellen
- Rolf Klaus, Hans Käser: Grundlagen der Computertechnik. vdf Hochschulverlag AG, 1998, ISBN 978-3-7281-2475-3, S. 85.
- Axel Sikora: Taschenbuch Digitaltechnik. Hanser Verlag, 2007, ISBN 978-3-446-40903-3, S. 320.
- Klaus Urbanski, Roland Woitowitz: Digitaltechnik: Ein Lehr- und Ubungsbuch. Springer, 2004, ISBN 978-3-540-40180-3, S. 230–231.