„Nickeldisilicid“ – Versionsunterschied

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Version vom 7. Juli 2016, 08:58 Uhr

Kristallstruktur
Keine Zeichnung vorhanden
Allgemeines
Name Nickeldisilicid
Verhältnisformel NiSi2
Kurzbeschreibung

graublauer Feststoff[1][2]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12201-89-7
PubChem [1] [2] [3]
Wikidata Q18211996
Eigenschaften
Molare Masse 114,86 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[3]

Dichte

4,83 g·cm−3[4]

Schmelzpunkt

1200 °C[4]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[3]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 350i​‐​372​‐​317​‐​410
P: ?
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Nickeldisilicid ist eine anorganische chemische Verbindung des Nickels aus der Gruppe der Silicide.

Gewinnung und Darstellung

Nickeldisilicid kann durch Reaktion von Nickel mit Silizium bei 750 °C gewonnen werden. Bei niedrigeren Temperaturen entstehen Ni2Si und NiSi.[5]

Eigenschaften

Nickeldisilicid ist grau blauber Feststoff.[1][2] Er ist ein Halbleiter und besitzt eine Kristallstruktur vom Fluorittyp mit der Raumgruppe Fm3mVorlage:Raumgruppe/?.? .[6]

Verwendung

Nickeldisilicid wird als Kontaktmaterial in der Halbleiterindustrie verwendet.[7] Die Gitterabstände der Verbindung ist nur 0,4% kleiner als die von Silizium.[8]

Verwandte Verbindungen

Neben Nickeldisilicid sind mit Ni3Si, Ni31Si12, Ni3Si2, NiSi und Dinickelsilicid (Ni2Si) mindestens fünf weitere bei Raumtemperatur stabile Nickelsilicide bekannt. Das Phasendiagramm zeigt insgesamt elf Nickelsiliicde.[9][10]

Einzelnachweise

  1. a b scielo.org.za: Aspects of coloured precious metal intermetallic compounds, abgerufen am 7. Juli 2016
  2. a b Open Publications of UTS Scholars, Supansomboon, S: Properties and applications of metastable precious metal intermetallic compounds, abgerufen am 7. Juli 2016
  3. a b Eintrag zu CAS-Nr. 12201-89-7 in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA (JavaScript erforderlich).
  4. a b Dale L. Perry: Handbook of Inorganic Compounds. CRC Press, 1995, ISBN 978-0-8493-8671-8, S. 13 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  5. B.A Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, D. Adams: A study of the NiSi to NiSi2 transition in the Ni–Si binary system. In: Thin Solid Films. 347, 1999, S. 201, doi:10.1016/S0040-6090(99)00004-8.
  6. Jane E. Macintyre: Dictionary of Inorganic Compounds. CRC Press, 1992, ISBN 978-0-412-30120-9, S. 3669 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  7. Johann-Friedrich Luy, Peter Russer: Silicon-Based Millimeter-Wave Devices. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-3-642-79031-7, S. 74 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  8. Inder P. Batra: Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer Science & Business Media, 2012, ISBN 978-1-4613-0795-2, S. 216 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  9. William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 94th Edition. CRC Press, 2016, ISBN 978-1-4665-7115-0, S. 77 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  10. Yoshio Nishi, Robert Doering: Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition. CRC Press, 2007, ISBN 978-1-4200-1766-3, S. 18 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).