„Minoritätsladungsträger“ – Versionsunterschied
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'''Minoritätsladungsträger''' ist die Bezeichnung der [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträgerart]] eines [[Dotierung|dotierten]] [[Halbleiter]]s, welche seltener vorkommt als die [[Majoritätsladungsträger]]. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die [[Elektron]]en, bei n-Dotierung sind es die [[Defektelektron|Defektelektronen (Löcher)]]. |
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Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration<ref name="Thuselt"/> für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters im |
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*:<math>n_p \approx \frac{n_i^2}{N_A} = \mathrm{const.}\ll p_p</math> |
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*:<math>p_n \approx \frac{n_i^2}{N_D} = \mathrm{const.}\ll n_n</math> |
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== Einzelnachweise == |
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==Siehe auch== |
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*[[Majoritätsladungsträger]] |
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|Autor=Frank Thuselt |
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|Titel=Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker |
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|Verlag=Springer |
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|Ort=Berlin/Heidelberg/New York |
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|Datum=2005 |
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|ISBN=3-540-22316-9 |
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|Seiten=68 ff.}} |
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</ref> |
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</references> |
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{{SORTIERUNG:Minoritatsladungstrager}} |
{{SORTIERUNG:Minoritatsladungstrager}} |
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[[Kategorie:Festkörperphysik]] |
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Version vom 2. August 2020, 22:46 Uhr
Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher).
Berechnung der Ladungsträgerdichte
NA | Akzeptorenkonzentration (Dotierung) |
ND | Donatorenkonzentration (Dotierung) |
NA− | ionisierte Akzeptoratome |
ND+ | ionisierte Donatoratome |
ni | Intrinsische Ladungsträgerdichte |
nn | Majoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
pn | Minoritätsladungsträger (bei n-Dotierung) |
pp | Majoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
np | Minoritätsladungsträger (bei p-Dotierung) |
n | Dichte der freien Ladungsträger (Elektronen) |
p | Dichte der freien Ladungsträger (Löcher) |
mn | effektive Masse der Elektronen |
mp | effektive Masse der Löcher |
WG | Energie der Bandlücke in eV |
k | Boltzmann-Konstante in eV / K |
T | absolute Temperatur |
h | plancksches Wirkungsquantum |
Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration[1] für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte des Halbleiters im
p-Gebiet
- (bei Raumtemperatur)
bzw. n-Gebiet
- (bei Raumtemperatur)
ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen
die Minoritätsladungsträgerkonzentration[1] für
- p-Gebiet
- n-Gebiet
Einzelnachweise
- ↑ a b Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.