„Meißner-Schaltung“ – Versionsunterschied
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In der JFET–Schaltung nach <ref>{{Literatur|Autor=Wes Hayward|Titel=Radio Frequency Design|Kapitel=7.3 Further LC oscillator topics|Seiten=283|Verlag=ARRL|ISBN=0-87259-492-0|Jahr=1994}}</ref> besteht der Schwingkreis aus C<sub>1</sub> und Wicklung L<sub>1</sub> des Transformators L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>. C<sub>1</sub> ist oft ein [[Variabler Kondensator|variabler Kondensator]]. Der JFET J<sub>1</sub> in Gate-Schaltung hat eine Phasenverschiebung von 0°. Der Verstärker-Eingang ist |
In der JFET–Schaltung nach <ref>{{Literatur|Autor=Wes Hayward|Titel=Radio Frequency Design|Kapitel=Kapitel 7.3 Further LC oscillator topics|Seiten=283|Verlag=ARRL|ISBN=0-87259-492-0|Jahr=1994}}</ref> besteht der Schwingkreis aus C<sub>1</sub> und Wicklung L<sub>1</sub> des Transformators L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>. C<sub>1</sub> ist oft ein [[Variabler Kondensator|variabler Kondensator]]. Der JFET J<sub>1</sub> in Gate-Schaltung hat eine Phasenverschiebung von 0°. Der Verstärker-Eingang ist die Source und der Verstärker-Ausgang ist der Drain. Der Transformator erzeugt keine Phasenverschiebung. Nach dem Einschalten arbeitet der JFET in der [[Endstufe#A-Betrieb|Betriebsart Klasse A]]. Die Spannung am Drain des JFET ist ungefähr die [[Betriebsspannung]]. Eine kleine Änderung der Spannung am Drain des JFET durch das Wärmerauschen wird über L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub> und C<sub>2</sub> auf die Source gekoppelt. Diese kleine Änderung am Eingang wird verstärkt. Die Amplitude der Wechselspannung am Schwingkreis steigt bis die Spannung am Drain ungefähr zwischen der Spannung am Source und der doppelten [[Betriebsspannung]] oszilliert. Der JFET arbeitet nun in der [[Endstufe#C-Betrieb|Betriebsart Klasse C]]. Während einem kleinen [[Stromflusswinkel]] zu der Zeit der minimalen Drain-Spannung arbeitet der JFET im [[Sperrschicht-Feldeffekttransistor#Funktion|linearen Bereich]] (ohmsche Region). Wie lange der JFET im linearen Bereich bleibt wird durch R<sub>1</sub> festgelegt. Damit das sinusförmige Ausgangssignal wenig [[Oberwellen]] enthält sollte der Verstärker nur die Verluste im Schwingkreis und den Abfluss nach R<sub>L</sub> ausgleichen. Aufgrund der Bauteile-Toleranzen ist es oft nötig R<sub>1</sub> einstellbar auszuführen um beide Ziele, sicheres Anschwingen und geringe Oberwellen, zu erreichen. |
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Der Transformator L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub> hat ein Übersetzungsverhältnis der Impedanzen von 10:1. Dadurch wird der niederohmige Lastwiderstand R<sub>L</sub> an den hochohmigen Schwingkreis L<sub>1</sub>-C<sub>1</sub> |
Der Transformator L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub> hat ein Übersetzungsverhältnis der Impedanzen von 10:1. Dadurch wird der niederohmige Lastwiderstand R<sub>L</sub> an den hochohmigen Schwingkreis L<sub>1</sub>-C<sub>1</sub> angepasst. Der Lastwiderstand R<sub>L</sub> gehört nicht mehr zum Oszillator sondern bildet die Belastung des Oszillator durch die folgenden Stufen nach. Die Werte von Lastwiderstand und Gütefaktor sind wichtig für die Dimensionierung oder die [[Schaltungssimulation]] <ref>{{Internetquelle|autor=Paul Falstad|url=http://www.falstad.com/circuit/|titel=Circuit Simulator Applet|zugriff=2016-07-08}}</ref>. Die [[Drossel (Elektrotechnik)|HF-Drossel]] L<sub>3</sub> verhindert das der Hochfrequenzstrom von L<sub>2</sub> über C<sub>2</sub> und R<sub>1</sub> abfließt. Der Widerstand R<sub>S</sub> bildet den [[Gütefaktor]] des unbelasteten Schwingkreises nach. Ein Gütefaktor von Q=100 ist bei der Oszillatorfrequenz von 30MHz leicht mit einem [[Ringkern#Ringkerne aus Ferrit oder Pulverwerkstoffen|Ringkern]] aus Eisenpulver realisierbar. Das [[RC-Glied]] R<sub>2</sub>-C<sub>3</sub> entkoppelt den Oszillator von anderen Baugruppen. Der Kondensator C<sub>3</sub> verbindet Hochfrequenz mäßig den oberen Anschluss des Schwingkreises mit dem unteren Anschluss des Lastwiderstandes. |
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Die Ausgangsfrequenz berechnet sich nach der [[Thomsonsche Schwingungsgleichung|thomsonschen Schwingungsgleichung]]: |
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Version vom 8. Juli 2016, 17:05 Uhr
Ein Meißner-Oszillator, oder auch Armstrong-Oszillator, ist ein rückgekoppelter Verstärker mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis, welcher zur Gruppe der Sinus-Oszillatoren zählt. Die Schaltung ist nach ihrem Erfinder Alexander Meißner benannt, der sie 1913 patentierte.[1]
Beim Meißner-Oszillator liegt der Schwingkreis am Ausgang des Verstärkerbauteiles. Bei der Audion-Schaltung von Edwin Howard Armstrong liegt der Schwingkreis am Eingang des Verstärkerbauteiles.[2]
Aufbau
Der Oszillator kann mit unterschiedlichen aktiven Bauelementen als Verstärker wie einem Bipolartransistor, Feldeffekttransistor oder auch mittels Elektronenröhre realisiert werden. Der eigentliche Schwingkreis wird aus einer Spule L2 und einem Kondensator C2 gebildet. Zusätzlich wird über eine zweite Wicklung L1, die wie bei einem Transformator magnetisch mit L2 gekoppelt ist, die Spannung am Schwingkreis mit passender Phase zurückgeführt. In der ersten Schaltung dient der Bipolartransistor Q als Verstärker, in der zweiten Schaltung der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET) Q1.
Meißner-Oszillator mit Bipolartransistor
Damit die Schaltung eine ungedämpfte Schwingung erzeugt, muss die Schleifenverstärkung gleich 1 und die Rückkopplung in Phase sein (0° oder ein anderes Vielfaches von 360°). Da die Meißner-Schaltung im Schaltungsbeispiel eine Emitterschaltung ist, wird durch den Transistor das Signal invertiert. Dies wird durch den Transformator rückgängig gemacht, da L1 und L2 einen entgegengesetzten Wicklungssinn haben, in der Schaltung durch die zwei schwarzen Punkte gekennzeichnet, die den Wicklungsanfang angeben.
Die gezeigte erste Schaltung ist eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung, bei der die Verstärkung gleich dem Verhältnis von Kollektorwiderstand (Wechselstromwiderstand des Schwingkreises) und dem Emitterwiderstand R3 ist. Da übliche LC-Parallel-Schwingkreise außerhalb der Resonanzfrequenz sehr kleine Widerstände haben, ist nur für die Resonanzfrequenz die Schleifenverstärkung größer als eins. Das Übersetzungsverhältnis des Transformators wird so gewählt, dass die Schleifenverstärkung für den Resonanzwiderstand des LC-Kreises sicher größer als eins ist, und die Spannung am Eingang den Transistor nicht übersteuert.
Meißner-Oszillator mit JFET
In der JFET–Schaltung nach [3] besteht der Schwingkreis aus C1 und Wicklung L1 des Transformators L1-L2. C1 ist oft ein variabler Kondensator. Der JFET J1 in Gate-Schaltung hat eine Phasenverschiebung von 0°. Der Verstärker-Eingang ist die Source und der Verstärker-Ausgang ist der Drain. Der Transformator erzeugt keine Phasenverschiebung. Nach dem Einschalten arbeitet der JFET in der Betriebsart Klasse A. Die Spannung am Drain des JFET ist ungefähr die Betriebsspannung. Eine kleine Änderung der Spannung am Drain des JFET durch das Wärmerauschen wird über L1-L2 und C2 auf die Source gekoppelt. Diese kleine Änderung am Eingang wird verstärkt. Die Amplitude der Wechselspannung am Schwingkreis steigt bis die Spannung am Drain ungefähr zwischen der Spannung am Source und der doppelten Betriebsspannung oszilliert. Der JFET arbeitet nun in der Betriebsart Klasse C. Während einem kleinen Stromflusswinkel zu der Zeit der minimalen Drain-Spannung arbeitet der JFET im linearen Bereich (ohmsche Region). Wie lange der JFET im linearen Bereich bleibt wird durch R1 festgelegt. Damit das sinusförmige Ausgangssignal wenig Oberwellen enthält sollte der Verstärker nur die Verluste im Schwingkreis und den Abfluss nach RL ausgleichen. Aufgrund der Bauteile-Toleranzen ist es oft nötig R1 einstellbar auszuführen um beide Ziele, sicheres Anschwingen und geringe Oberwellen, zu erreichen.
Der Transformator L1-L2 hat ein Übersetzungsverhältnis der Impedanzen von 10:1. Dadurch wird der niederohmige Lastwiderstand RL an den hochohmigen Schwingkreis L1-C1 angepasst. Der Lastwiderstand RL gehört nicht mehr zum Oszillator sondern bildet die Belastung des Oszillator durch die folgenden Stufen nach. Die Werte von Lastwiderstand und Gütefaktor sind wichtig für die Dimensionierung oder die Schaltungssimulation [4]. Die HF-Drossel L3 verhindert das der Hochfrequenzstrom von L2 über C2 und R1 abfließt. Der Widerstand RS bildet den Gütefaktor des unbelasteten Schwingkreises nach. Ein Gütefaktor von Q=100 ist bei der Oszillatorfrequenz von 30MHz leicht mit einem Ringkern aus Eisenpulver realisierbar. Das RC-Glied R2-C3 entkoppelt den Oszillator von anderen Baugruppen. Der Kondensator C3 verbindet Hochfrequenz mäßig den oberen Anschluss des Schwingkreises mit dem unteren Anschluss des Lastwiderstandes.
Die Ausgangsfrequenz berechnet sich nach der thomsonschen Schwingungsgleichung:
Dimensionierung
Meißner-Oszillatoren können leicht falsch dimensioniert werden; sie schwingen dann zwar, aber die Schwingung weicht merklich von der Sinusform ab. Idealerweise ist die Gesamtverstärkung des Oszillators beim Einschalten größer als 1 und wird im Betrieb auf genau 1 reduziert. Für diese Amplitudenregelung benutzt man beim FET die Eigenschaft, dass die Spannungsverstärkung von der Gate-Spannung abhängig ist. Andere Oszillatorschaltungen, insbesondere mit mehr als einem Transistor, lassen sich besser hinsichtlich ihrer Amplitude regeln. Wie bei allen LC-Kreisen ist das Verhältnis von zu zu beachten, damit die Schaltung schwingt.
Berechnungsbeispiel
Ein typischer Kleinsignaltransistor hat in dem betrachteten Bereich eine Gleichstromverstärkung B von ungefähr B = 100 und eine Basis-Emitter-Spannung UBE = 0,65 V.
Ferner sei IC = 2 mA (Kollektorstrom im Arbeitspunkt) und UB = 15 V (Versorgungsspannung der Schaltung)
Der Spannungsabfall an R3 soll 1 V betragen, also:
Damit muss der Spannungsteiler von R1 und R2 diese 1 V plus die Basis-Emitterspannung von ungefähr 650 mV liefern. Der Spannungsteiler wird durch den Basisstrom IB = IC / B = 2 mA / 100 = 20 µA belastet; nimmt man den zehnfachen Querstrom von 0,2 mA, dann kann man den Basistrom vernachlässigen und erhält:
Für eine Spule mit der Induktivität von L1 = 22 mH und einen Kondensator von C2 = 33 nF ergibt sich eine Schwingfrequenz von:
Um den Transistor Q nicht zu übersteuern und ein gutes Sinussignal zu erzeugen, darf die rückgekoppelte Spannung nicht wesentlich größer als 1,5 Vpp (Spannung Spitze-Spitze) sein. Die Spannung am Schwingkreis ist in Resonanz etwa 28 Vpp. Damit ergibt sich eine Untersetzung von 1:18 und für die Schaltung eine Verstärkung von v=18, für die der Kollektorwiderstand mindestens 9 kΩ sein muss (inkl. Ausgangswiderstand des Transistors von etwa 100 kΩ).
Nimmt man als Gütefaktor g = 50 an, dann ist der Widerstand des LC-Kreises bei der Resonanzfrequenz
Das erscheint ausreichend und entspricht einem ohmschen Spulenwiderstand von 16 Ω.
Die Koppelkondensatoren C1 und C3 lassen nur die Wechselspannung passieren und verändern nicht den Arbeitspunkt des Transistors. C1 arbeitet auf den Eingangswiderstand der Emitterschaltung (ca. R2). C3 und der Eingangswiderstand der nachfolgenden Stufe belasten bzw. verstimmen den Schwingkreis. Eine Auskopplung an R3 liefert jedoch selten ein gutes Sinussignal.
Anwendungsbeispiele
Die Meißner-Schaltung findet eher selten Anwendung, da der Transformator einen erheblichen Aufwand darstellt; die Hartley- und Colpitts-Schaltung, in manchen Zusammenhängen auch die Clapp-Schaltung werden meist bevorzugt, insbesondere wenn nur ein Transistor verwendet werden soll. Mit mehreren Transistoren sind weitere Oszillatorschaltungen möglich.
Bemerkenswert ist die Anwendung der Meißner-Schaltung als Peilsender FuG 23 der von der Luftwaffe im Zweiten Weltkrieg eingesetzten Marschflugkörper Fieseler Fi 103 („V1“).
Eine weit verbreitete Anwendung der Meißner-Schaltung waren Rückkopplungs-Audion genannte Geradeaus-Rundfunkempfänger wie z. B. die Volksempfänger. Hier dient die Mitkopplung nicht der Schwingungserzeugung sondern der Verstärkung des Eingangssignals, also der Verbesserung des Rundfunkempfangs.
Literatur
- H. Barkhausen: Lehrbuch der Elektronenröhren und ihrer technischen Anwendungen. 3. Band: Rückkopplung. Hirzel, Leipzig 1951.
- Andrei Grebennikov: RF and Microwave Transistor Oscillator Design. Wiley, Chichester u. a. 2007, ISBN 978-0-470-02535-2.
- Günter Kurz, Wolfgang Mathis: Oszillatoren. Schaltungstechnik, Analyse, Eigenschaften. Hüthig, Heidelberg 1994, ISBN 3-7785-2251-5.
- U. Tietze, Ch. Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik. 12. Auflage. Springer, Berlin u. a. 2002, ISBN 3-540-42849-6.
- O. Zinke, H. Brunswig: Hochfrequenztechnik. 2: Elektronik und Signalverarbeitung. 5. neubearbeitete Auflage. Springer, Berlin u. a. 1999, ISBN 3-540-64728-7, (Springer-Lehrbuch).
Einzelnachweise
- ↑ Patent DE291604: Einrichtung zur Erzeugung elektrischer Schwingungen. Angemeldet am 13. April 1913, Erfinder: Alexander Meissner (Online @ DepatisNet).
- ↑ Patent US1113149: Wireless Receiving System. Angemeldet am 29. Oktober 1913, Erfinder: E. H. Armstrong.
- ↑ Wes Hayward: Radio Frequency Design. ARRL, 1994, ISBN 0-87259-492-0, Kapitel 7.3 Further LC oscillator topics, S. 283.
- ↑ Paul Falstad: Circuit Simulator Applet. Abgerufen am 8. Juli 2016.