Diskussion:Diffusionsspannung
schwammig ausgedrückt bis falsch[Quelltext bearbeiten]
"Durch diese Ladungsträgerbewegung (Diffusionsstrom) bildet sich zwischen diesen Raumladungen im Inneren des Kristalls ein elektrisches Gegenfeld aus"
Das ist so nicht zu akzeptieren. Nicht durch die Bewegung an sich entsteht die Raumladungszone, sondern dadurch, dass sich die durch Dotierung hinzugebrachten Majoritätsträger von ihrem Trägermolekül entfernen und so eine ortsfeste Ladung hinterlassen. Im p-Gebiet ist diese ortsfeste Ladung negativ (da die positiven Löcher durch Elektronen besetzt werden, im Atom aber kein Proton als Ausgleichspartner vorhanden ist), im n-Gebiet ist diese positiv. Verschiedene Ladungen bewirken ein elektrisches Feld. Dieses wirkt als Barriere für die Diffusionsspannung, da eine Driftbewegung einsetzt, die der Diffusionsspannung entgegenwirkt. Ein Gleichgewicht stellt sich ein. Wenn das so von den Göttern des Wiki akzeptiert wird, möge es im Artikel verbessert werden. (nicht signierter Beitrag von 92.225.78.117 (Diskussion | Beiträge) 16:25, 5. Mai 2010 (CEST))
Verwirrung[Quelltext bearbeiten]
Diffusionsspannung ist also nur ein anderer Name für Dissusionsspannung? Bitte klären! Danke 132.187.253.18 00:12, 17. Dez. 2008 (CET)
Lemma[Quelltext bearbeiten]
Auch wenn Antidiffusionsspannung sinnvoll erscheint ist dieser Begriff doch deutlich seltener anzutreffen als Diffusionsspannung. Ich veranlasse daher die Verschiebung nach Diffusionsspannung. --Cepheiden 10:08, 25. Jan. 2010 (CET)
Warum je Material konstant?[Quelltext bearbeiten]
Hängt das mit der Bindungsenergie zusammen? Und steckt dahinter auch die Annahme, dass max. 1fach-ionisierte Atome vorliegen? -- Amtiss, SNAFU ? 22:43, 9. Okt. 2012 (CEST)
Unterschied zur Schwellenspannung?[Quelltext bearbeiten]
Gibt es einen Unterschied zur Schwellenspannung oder sind das nur zwei unterschiedliche Namen für dieselbe Spannung? Z.B. wird bei Germanium-Dioden für beide Größen ein Wert von ca. 0,3 V genannt. Bitte explizit erläutern. Danke --Acky69 (Diskussion) 10:32, 22. Apr. 2019 (CEST)
Gibt es, die Diffusionsspannung mit 0.7 V und 0.3 V für Si und Ge anzugeben ist ziemlich grob. Die Diffusionsspannung nähert sich bei hohen Dotierungen dem energetischen Wert der Bandlücke in eV an. D.h. für Si 1.1 V und bei Ge zu etwa 0.7 V. Die angegebene Schwellspannung markiert populärwissenschaftlich nur den Wert bei dem ein nennenswerter Strom durch den Übergang fließt, was aber nicht bzgl. der Stromstärke/-dichte spezifiziert ist.--84.176.144.37 15:53, 14. Sep. 2021 (CEST)