Diskussion:Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche
Archiv-Tabelle Archiv
Zum Archiv
Automatische Archivierung
Auf dieser Seite werden Abschnitte monatlich automatisch archiviert, deren jüngster Beitrag mehr als 90 Tage zurückliegt und die mindestens 2 signierte Beiträge enthalten. Um die Diskussionsseite nicht komplett zu leeren, verbleiben mindestens 2 Abschnitte.

Ursprung der Elektronen im P-Subtrat[Quelltext bearbeiten]

Vielleicht sollte man erwähnen, wo die Elektronen aus dem P-Subtrat herkommen? Ist ja erst mal nicht klar. Folgendes Zitat aus Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik (genau genommen von der beigelegten CD) könnte man dazu benutzen:

"Wird die Spannung am Gate weiter erhöht, so dass schließlich die Einsatzspannung überschritten wird (UGB>Uth,n), werden Elektronen-Loch Paare generiert, wobei die positiven Löcher in das Substrat wandern, die negativen Elektronen jedoch von der positiven Elektrode angezogen werden, wo sie eine leitende Inversionsschicht bilden. Bei einem n-Kanal Feldeffekttransistor mit n-dotierten Source- und Drain-Anschlüssen stellt dieser Elektronen-Kanal eine leitende Verbindung zwischen Source und Drain dar: Ein Feldeffekttransistor leitet also, wenn die Gate-Source Spannung die Einsatzspannung überschreitet." -Emes2k 14:20, 24. Mär. 2009 (CET)

Bodydiode oder Body-Diode[Quelltext bearbeiten]

Bitte im ganzen Artikel (und in der Zeichnung) konsequent entweder "Bodydiode" oder "Body-Diode" als Schreibweise verwenden. Hatte zuerst ziemlich Mühe mit der Suchfunktion, da es innerhalb des Artikels auf 2 verschiedene Arten geschrieben steht. Welche die Richtige/Bessere ist, weiss ich allerdings nicht. Eine Suche innerhalb von deutschem Google hat ziemliches Unentschieden ergeben, taugt also auch nicht zur Entscheidungsfindung. Also "Body-Diode" verwenden, dann muss immerhin die Zeichnung nicht geändert werden... -- Blunino 19:22, 3. Mai 2011 (CEST)

Ich sehe nur 1x im Text und 1x in einer Grafik "Body-Diode". Denke das hat sich erledigt. --Cepheiden (Diskussion) 21:30, 7. Dez. 2017 (CET)

Kanalweitenmodulation nur im Sättigungsbereich[Quelltext bearbeiten]

Laut meinem Professor wird der Faktor für die Kanalweitenmodulation nur im Sättigungsbereich multipliziert, und nicht wie es hier erwähnt war "aus Stetigkeitsgründen" auch im linearen Arbeitsbereich. (nicht signierter Beitrag von 89.13.101.180 (Diskussion) 13:03, 16. Okt. 2014 (CEST))

Hallo, das ist richtig. Sollte aber auch schon 2014 im Text als Bedingung gestanden haben. --Cepheiden (Diskussion) 21:29, 7. Dez. 2017 (CET)

Formel für die Kanalweitenmodulation[Quelltext bearbeiten]

In allen Quellen, die ich spontan finde, lautet die Formel für den Strom in Sättigungsbereich

und nicht wie im Artikel Oder ist mit etwas anderes gemeint, als ich darunter verstehe, nämlich dem Strom im Sättigungsbereich ohne Kanallängenmodulation. --Maggyrz (Diskussion) 22:30, 16. Mär. 2015 (CET)

Das kam mit dieser Änderung rein: Spezial:Diff/61966011. Diverse Bücher ist leider nicht nachvollziehbar. Ich habe das mal entsprechend der Literatur korrigiert. --Cepheiden (Diskussion) 21:26, 7. Dez. 2017 (CET)

spannungspfeile abb falsch[Quelltext bearbeiten]

Als Beispiel sei der selbstsperrende n-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp) gegeben.

die spannungen sind falsch herum gepfeilt// das heißt gepooohholt! (nicht signierter Beitrag von 188.104.143.188 (Diskussion) 23:46, 21. Mai 2017 (CEST))

Kannst du bitte sagen, welche Abbildung genau gemeint ist? --Cepheiden (Diskussion) 20:42, 7. Dez. 2017 (CET)