Diskussion:Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

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Ursprung der Elektronen im P-Subtrat[Quelltext bearbeiten]

Vielleicht sollte man erwähnen, wo die Elektronen aus dem P-Subtrat herkommen? Ist ja erst mal nicht klar. Folgendes Zitat aus Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik (genau genommen von der beigelegten CD) könnte man dazu benutzen:

"Wird die Spannung am Gate weiter erhöht, so dass schließlich die Einsatzspannung überschritten wird (UGB>Uth,n), werden Elektronen-Loch Paare generiert, wobei die positiven Löcher in das Substrat wandern, die negativen Elektronen jedoch von der positiven Elektrode angezogen werden, wo sie eine leitende Inversionsschicht bilden. Bei einem n-Kanal Feldeffekttransistor mit n-dotierten Source- und Drain-Anschlüssen stellt dieser Elektronen-Kanal eine leitende Verbindung zwischen Source und Drain dar: Ein Feldeffekttransistor leitet also, wenn die Gate-Source Spannung die Einsatzspannung überschreitet." -Emes2k 14:20, 24. Mär. 2009 (CET)

unferti[Quelltext bearbeiten]

Der Abschnitt " Spürbare Auswirkungen zeigt die Kanallängenmodulation bei Strukturgrößen von L < 1 µm. In Näherung lässt sich diesem Effekt durch folgende Näherungsgleichung Rechnung tragen, wobei der Kanallängenmodulationsparameter λ … wobei IDS0 der Transistorstrom ohne Berücksichtigung der ist. " ist mir unklar.
Da fehlt IMHO etwas. Kann das mal jemand mit detailierter Kenntniss der Zusammenhänge überarbeiten? Horst Emscher (Diskussion) 13:32, 17. Apr. 2018 (CEST)