Maria Hämmerli
Maria Alexandrova Hämmerli (* 18. Juli 1986 in Moskau) ist eine schweizerisch-russische Ingenieurin und Forscherin im Bereich Elektrotechnik mit Spezialgebiet Lichtquanten.
Leben[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Maria Hämmerli schloss ihr Masterstudium 2010 am Moskauer Institut für Physik und Technologie (MFTI) mit einer Forschungsarbeit zur Quantenelektronik ab. Anschliessend arbeitete sie als Research Assistent und PhD-Student an der ETH Zürich. 2015 promovierte sie zum Doctor of Philosophy (PhD), Electrical and Electronics Engineering. Ihre Dissertation zum Thema «Development and Optimization of High-Speed InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors»,[1] erbrachte einen Durchbruch bei der Transistor-Miniaturisierung.
Wirken[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Nach ihrer Tätigkeit als Forschungs- und Entwicklungsingenieur bei ABB Schweiz wirkt sie heute als Forscherin und Abteilungsleiterin bei Albis Optoelectronics in Rüschlikon, Schweiz. Ihr Forschungsprojekt «Four-quadrant inGaAs avalanche photodiodes for LEO dirct-to-Earth optical ground station» wurde 2023 von der Europäischen Weltraumorganisation (ESA) zur Realisierung angenommen.
Maria Hämmerli ist verheiratet und hat zwei Töchter.
Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
- ↑ Development and Optimization of High-Speed InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors, Dissertation an der ETH Zürich, 2015 (PDF)
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Hämmerli, Maria |
| ALTERNATIVNAMEN | Hämmerli, Maria Alexandrova (vollständiger Name) |
| KURZBESCHREIBUNG | schweizerisch-russische Ingenieurin |
| GEBURTSDATUM | 18. Juli 1986 |
| GEBURTSORT | Moskau |