Aluminiumgalliumnitrid

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Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) ist eine Legierung aus Aluminiumnitrid (AlN) und Galliumnitrid (GaN) und zählt zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter. Die Legierung dient als Werkstoff zur Herstellung von Leuchtdioden (LED) vom sichtbaren blauen Farbbereich bis zum UV-C-Bereich mit Wellenlängen knapp unter 250 nm. Die konkrete Wellenlänge wird im Rahmen der Herstellung durch Variation des Mischungsverhältnisses von Aluminiumnitrid zu Galliumnitrid eingestellt.[1]

Weitere Anwendung des III-V-Verbindungshalbleiters liegen als Werkstoff bei High-Electron-Mobility-Transistoren (HMET) als Detektor für ultraviolette Strahlung. Zur Bildung von Heteroübergängen in der Halbleitertechnik wird die Legierung Aluminiumgalliumnitrid gemeinsam mit den beiden Ausgangshalbleitern Aluminiumnitrid und Galliumnitrid eingesetzt.

Literatur[Bearbeiten]

  •  Stephen J. Pearton, Cammy R. Abernathy, Fan Ren: Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics. Springer, London 2010, ISBN 978-1-849-96965-9.

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1.  K. Sairam: Optical Communications. Laxmi Publications, 2008, ISBN 978-8-13180242-7, S. 68–69.