Velocity overshoot
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Velocity overshoot (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der Halbleiterphysik, das auftritt wenn Ladungsträger in einem Halbleiter einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.[1] Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.
Literatur[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
- Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79 ff.
Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
- ↑ Andreas Schenk: Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation. Hrsg.: ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory. 2001, doi:10.3929/ethz-a-004303105 (Lehrmaterial).