Indiumphosphid

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Kristallstruktur
Struktur von Indiumphosphid
__ In3+     __ P3−
Allgemeines
Name Indiumphosphid
Andere Namen

Indium(III)-phosphid

Verhältnisformel InP
CAS-Nummer 22398-80-7
Kurzbeschreibung

dunkelgrauer Feststoff[1]

Eigenschaften
Molare Masse 145,79 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

4,79 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

1070 °C[2]

Löslichkeit

praktisch unlöslich in Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [1]
08 – Gesundheitsgefährdend

Achtung

H- und P-Sätze H: 351
P: 201​‐​302​‐​281​‐​308+313​‐​405​‐​501Vorlage:P-Sätze/Wartung/mehr als 5 Sätze [1]
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [3][2]
Gesundheitsschädlich
Gesundheits-
schädlich
(Xn)
R- und S-Sätze R: 40
S: 36/37
MAK

aufgehoben, da cancerogen[1]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
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Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber[4] eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter. Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere elektrooptische Anwendungen gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Vorkommen[Bearbeiten]

Indiumphosphid ist eine künstlich hergestellte Verbindung. Von den beiden Bestandteilen ist Indium, im Gegensatz zum Phosphor, ein seltenes Element.

Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten]

Indiumphosphid

InP basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

Eigenschaften[Bearbeiten]

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 Kelvin (26 °C) einen Wert von 1,34 eV.[5]

Sicherheitshinweise[Bearbeiten]

Indiumphosphid ist potentiell krebserregend.[6]

Siehe auch[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. a b c d e Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 23. August 2007 (JavaScript erforderlich).
  2. a b c Datenblatt Indiumphosphid bei AlfaAesar, abgerufen am 6. Februar 2010 (JavaScript erforderlich).
  3. Seit 1. Dezember 2012 ist für Stoffe ausschließlich die GHS-Gefahrstoffkennzeichnung zulässig. Bis zum 1. Juni 2015 dürfen noch die R-Sätze dieses Stoffes für die Einstufung von Gemischen herangezogen werden, anschließend ist die EU-Gefahrstoffkennzeichnung von rein historischem Interesse.
  4. Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.
  5. Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)
  6. Vorschläge für die Erweiterung der MAK-Liste (PDF; 108 kB)