Trimethylgallium
| Strukturformel | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Trimethylgallium | |||||||||||||||
| Andere Namen |
| |||||||||||||||
| Summenformel | C3H9Ga | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
klare, farblose Flüssigkeit[1] | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
| ||||||||||||||||
| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 114,827 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand |
flüssig | |||||||||||||||
| Siedepunkt |
~55 °C[2] | |||||||||||||||
| Dampfdruck |
193 hPa (20 °C)[3] | |||||||||||||||
| Löslichkeit |
Reagiert heftig mit Wasser[1] | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
| ||||||||||||||||
| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | ||||||||||||||||
Trimethylgallium mit der Konstitutionsformel Ga(CH3)3, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.
Darstellung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.[4]
Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.[4]
Eigenschaften[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert.[1][4] Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.
Verwendung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (InxGa1−xN), die unter anderem im Bereich der Optoelektronik Ausgangsstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden sind.
Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
- ↑ a b c D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
- ↑ Hess, K.L., Dapkus, P.D., Manasevit, H.M. et al.: An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium. JEM 11, 1122 (1982). doi:10.1007/BF02658919.
- ↑ a b c Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011 (PDF).
- ↑ a b c C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19. Jahrgang, Nr. 3, 1933, S. 292–298, doi:10.1073/pnas.19.3.292, PMID 16577510, PMC 1085965 (freier Volltext).