3D XPoint

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Räumliche Gitterstruktur von 3D XPoint

3D XPoint (gesprochen „Crosspoint“) ist eine von Intel und Micron Technology entwickelte und im Juli 2015 vorgestellte nichtflüchtige Speichertechnologie. Der Speicher weist laut Herstellerangaben eine geringere Speicherlatenz auf als der ebenfalls nichtflüchtige und verbreitet eingesetzte NAND-Flash-Speicher und lässt sich häufiger überschreiben. Bei Intel wird diese Technologie auch Optane genannt.

Während Speicherzellen in NAND-Flash den Speicherinhalt durch unterschiedliche elektrische Spannungsniveaus in Feldeffekttransistoren speichern, basiert 3D XPoint auf der Veränderung des elektrischen Widerstands.[1] Die Speicherchips weisen eine räumliche Gitterstruktur auf, an deren Kreuzungspunkten die eigentlichen Informationsspeicher sitzen. Sie kommen ohne Feldeffekttransistoren wie die Flash-Zellen aus, was eine höhere Integrationsdichte möglich macht.[2]

Da Intel und Micron über den genauen Technologie-Typ keine Details verlauten lassen, wird in der Fachwelt auf Grund von bestehenden Patenten und älteren Aussagen vertiefend spekuliert.[3]

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. Neue Speichertechnik 3D XPoint: tausendmal schneller als Flash, cnet.de am 29. Juli 2015
  2. Breakthrough Nonvolatile Memory Technology, Micron Technology am 28. Juli 2015
  3. If Intel and Micron's "Xpoint" is 3D Phase Change Memory, Boy Did They Patent It, DailyTech Report am 29. Juli 2015

Weblinks[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]