Doris Schmitt-Landsiedel

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Zur Navigation springen Zur Suche springen

Doris Schmitt-Landsiedel (* 13. Dezember 1952; † vor oder am 8. Juli 2023[1]) war eine deutsche Elektrotechnikerin. Sie war Professorin an der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der Technischen Universität München (TUM) und Mitglied des Aufsichtsrats der Infineon Technologies AG.

Leben[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Schmitt-Landsiedel schloss ihr Studium der Elektrotechnik 1977 als Diplom-Ingenieurin an der Universität Karlsruhe und ihr Studium der Physik 1980 als Diplom-Physikerin an der Universität Freiburg ab.[2] Im Jahre 1984 promovierte sie an der Technischen Universität München mit dem Thema Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide und heisse Elektronen. Von 1981 bis 1996 war sie Mitarbeiterin und Leiterin eines Forschungssektors in der Zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG. Von 1996 bis 2016 war sie Inhaberin des Lehrstuhls für Technische Elektronik an der Technischen Universität München.

Doris Schmitt-Landsiedel war zuletzt Mutter zweier erwachsener Kinder.[3]

Wissenschaftliches Werk[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Schmitt-Landsiedels Forschungsthemen lagen im Bereich des Zusammenspiels von elektronischen Bauelementen und integrierten Schaltungen, wie z. B. Schaltungen mit niedriger Verlustleistung bei zugleich hoher Ausbeute und Zuverlässigkeit, trotz zunehmender Schwankungen und Degradationseffekte in neuen CMOS-Technologien.[4] Sie veröffentlichte mehr als 300 wissenschaftliche Arbeiten.[5] Zudem war sie Erfinderin oder Miterfinderin von mehr als 50 Patenten und Patentanmeldungen.[6] Sie war Koeditorin der Fachbuch-Reihe Springer Series in Advanced Microelectronics.[7]

Schmitt-Landsiedel war bis 2014 Mitglied des Senats der Deutschen Forschungsgemeinschaft[8] und der Deutschen Akademie der Technikwissenschaften acatech.[9] Von 2005 bis 2016 war sie Mitglied des Aufsichtsrats der Infineon Technologies AG.[10] Von 2004 bis 2010 war sie Mitglied des Wissenschaftsrats.[2] Als Mitglied der Kuratorien des Fraunhofer-Instituts für System- und Innovationsforschung (ISI) sowie der Fraunhofer-Einrichtung für Modulare Festkörpertechnologien gehörte sie der Fraunhofer-Gesellschaft an.[11] Ab 2010 war sie Kuratoriumsmitglied des Deutschen Museums in München.[12] Von 2000 bis 2008 war sie Hochschulrätin der Universität der Bundeswehr München und war ab dem 1. Oktober 2011 Mitglied des Hochschulrats der Hochschule für angewandte Wissenschaften – Fachhochschule Rosenheim.[13]

Ehrungen und Auszeichnungen[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Ausgewählte Werke[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  • mit M. Becherer, G. Csaba, R. Emling, W. Porod und P. Lugli: Field-coupled Nanomagnets for Interconnect-Free Nonvolatile Computing. In: Digest Internat. Solid-State Circuits Conf. ISSCC (solicited). 2009, S. 474–475.
  • mit B. Wicht und S. Paul: Analysis and Compensation of the Bitline Multiplexer in SRAM Current Sense Amplifiers. In: IEEE J. Solid-State Circuits. 36(11), 2001, S. 1745–1755.
  • mit M. Eisele, J. Berthold u. a.: Impact of Intra-Die Device Parameter Variations on Path Delays and Design for Yield of Low Voltage Digital Circuits. In: IEEE Trans. Very Large Scale Integration Systems. 5 (4), 1997, S. 360–368.
  • mit W. Maly, J. Khare und S. Griep: Yield oriented computer-aided defect diagnosis. IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing, 1995, S. 195–206.
  • mit G. Dorda: Novel hot-electron effects in the channel of MOSFETs observed by capacitance measurements. In: IEEE Trans. Electron Devices. 32, 1985, S. 1294–1301.

Weblinks[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. ↑ Traueranzeige in der Süddeutschen Zeitung, 8. Juli 2023, abgerufen am 21. Juli 2023.
  2. ↑ a b c Doris Schmitt-Landsiedel. AcademiaNet, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  3. ↑ a b Prof. Dr. rer. nat. Doris Schmitt-Landsiedel – Top 25. deutsche ingenieurinnenbund e.V., abgerufen am 2. Dezember 2012.
  4. ↑ Professoren. TU München, abgerufen am 2. Dezember 2012.
  5. ↑ Lehrstuhl für Technische Elektronik. Archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 25. August 2012; abgerufen am 2. Dezember 2012.  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.lte.ei.tum.de
  6. ↑ Schmitt-Landsiedel, Doris – Inventor. PatentBuddy, abgerufen am 2. Dezember 2012.
  7. ↑ Springer Series in Advanced Microelectronics. Springer, abgerufen am 2. Dezember 2012.
  8. ↑ Senat der Deutschen Forschungsgemeinschaft. Deutsche Forschungsgemeinschaft, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  9. ↑ Mitglieder. acatech, archiviert vom Original am 9. Mai 2018; abgerufen am 8. Dezember 2012.
  10. ↑ Aufsichtsrat. Infineon, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  11. ↑ Kuratorium. Fraunhofer-Institut für System- und Innovationsforschung, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  12. ↑ Kuratorium. Deutsches Museum, archiviert vom Original am 15. Mai 2014; abgerufen am 8. Dezember 2012.
  13. ↑ Hochschulrat. Hochschule Rosenheim, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  14. ↑ Bundes-Verdienstorden für Doris Schmitt-Landsiedel. In: Pressemitteilungen. TU München, 6. Oktober 2008, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  15. ↑ Heinz Maier-Leibnitz-Medaille. TU München, abgerufen am 8. Dezember 2012.
  16. ↑ Pressemitteilung der bayerischen Staatsregierung über die Verleihung, abgerufen 8. Dezember 2012 (Memento vom 9. Dezember 2015 im Internet Archive)
Personendaten
NAME Schmitt-Landsiedel, Doris
KURZBESCHREIBUNG deutsche Elektrotechnikerin und Hochschullehrerin
GEBURTSDATUM 13. Dezember 1952
STERBEDATUM vor 8. Juli 2023
Abgerufen von „https://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Doris_Schmitt-Landsiedel&oldid=240172095“