Spin-Hall-Effekt

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Schematische Darstellung des Spin-Hall-Effekts: Ein Strom (rot) von Elektronen bewegt sich durch das Gitter eines Festkörpers. Je nach Ausrichtung ihres Spins (grün) werden die Elektronen seitlich abgelenkt. Dies entspricht einem transversalen Spin-Strom (blau).

Der Spin-Hall-Effekt ist ein quantenmechanischer Effekt, der in Analogie zum klassischen Hall-Effekt zu sehen ist.

Wenn ein elektrischer Strom durch einen Festkörper fließt, werden die Elektronen je nach Orientierung ihres Spins (quantenmechanischer Eigendrehimpuls) nach rechts bzw. links seitlich abgelenkt. Es fließt ein Spin-Strom  quer[1]  zur Probe, während die Bewegungsrichtung der Elektronen die Längsrichtung ist. Der Spin-Strom ist proportional zum elektrischen Feld , das die Elektronenbewegung treibt: . Dabei bezeichnet die Spin-Hall-Leitfähigkeit.

Im Gegensatz zum klassischen Hall-Effekt ist kein externes Magnetfeld erforderlich. Der Effekt beruht auf spinabhängiger Streuung der Elektronen an Defekten der Probe (extrinsischer Spin-Hall-Effekt). In Spin-Bahn-gekoppelten Systemen tritt der Spin-Hall-Effekt auch in idealen Systemen auf, die keine Defekte aufweisen (intrinsischer Spin-Hall-Effekt), wie 2003 von zwei Gruppen unabhängig gezeigt wurde.[2][3][4]

Experimente[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Theoretisch wurde der Spin-Hall-Effekt 1971 von Michail Djakonow und Wladimir Perel vorhergesagt,[5] experimentell aber erstmals 2004 von Yuichiro Katō, David Awschalom u. a. nachgewiesen.[6] Belegt ist der Effekt z. B. in GaAs-Halbleiterstrukturen bei Temperaturen von 30 K. Verglichen mit dem gewöhnlichen Hall-Effekt, der bereits seit mehr als hundert Jahren bekannt ist, ist der Spin-Hall-Effekt jedoch um Größenordnungen kleiner. Im Jahr 2006 wurde er auch bei Raumtemperatur (d. h. bei etwa 300 K) nachgewiesen, und zwar in ZnSe-Strukturen.[7]

Methode[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Die ortsabhängige Messung der Spinverteilung kann über Kerr-Rotations-Mikroskopie erfolgen. Dabei wird ausgenutzt, dass bestimmte Materialien durch ihre Magnetisierung die Polarisationsebene einfallenden, linear polarisierten Lichts drehen. Da eine Ansammlung einer Spinausrichtung effektiv einer Magnetisierung entspricht, kann durch Abrastern der Probe eine Karte der Spinpolarisation erstellt werden. Der erste Nachweis von Kato, Awschalom et al.[6] erfolgte über die Kerr-Rotation.

Technische Anwendung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Von einer kontrollierten Erzeugung von Spin-Strömen erhofft man sich deutliche technische Fortschritte bei Speichermedien (MRAM) und des Spin-Transistors sowie wichtige Schritte hin zur Entwicklung eines Quantencomputers, dessen Realisierungsmöglichkeit jedoch umstritten ist.

Siehe auch[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. Die beiden gegenüberstehenden Querschnittsflächen sind also entgegengesetzt spin-polarisiert.
  2. S. Murakami, Intrinsic Spin Hall Effect, Adv. Solid State Phys., Band 45, 2005, S. 197–209
  3. Murakami, Nagaosa, Zhang, Dissipationless Quantum Spin Current at Room Temperature, Science, Band 301, 2003, S. 1348
  4. Dimitrie Culcer, Q. Niu, N. A. Sinitsyn, J. Sinova, T. Jungwirth, A.H. MacDonald: Universal Intrinsic Spin-Hall Effect, Phys. Rev. Lett. 92, 126603 (2004). Arxiv
  5. M. I. Dyakonov, V. I. Perel': Possibility of Orienting Electron Spins with Current. In: JETP Letters. Band 13, 1971, S. 206. (Zusammenfassung)
  6. a b Y. K. Kato, R. C. Myers, A. C. Gossard, D. D. Awschalom: Observation of the Spin Hall Effect in Semiconductors. In: Science. Band 306, Nr. 5703, 2004, S. 1910–1913, doi:10.1126/science.1105514.
  7. T. Kimura, Y. Otani, T. Sato, S. Takahashi, S. Maekawa: Room-Temperature Reversible Spin Hall Effect. In: Physical Review Letters. Band 98, Nr. 15, 2007, S. 156601–156604, doi:10.1103/PhysRevLett.98.156601.