Adolf Goetzberger

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche

Adolf Goetzberger (* 29. November 1928 in München) ist ein deutscher Physiker.

Leben[Bearbeiten]

Adolf Goetzberger war im ersten Teil seines Berufslebens in der Halbleiterphysik tätig. 1955 promovierte er in München Über die Kristallisation aufgedampfter Antimonschichten. Er arbeitete zusammen mit dem Nobelpreisträger und Miterfinder des Transistors William Shockley in Palo Alto, Kalifornien und in den Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey.

1968 kehrte er nach Deutschland zurück und leitete das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik in Freiburg. 1971 wurde er von der Universität Freiburg zum Honorarprofessor an der Fakultät für Physik ernannt.

Im Jahre 1981 gründete er das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme in Freiburg, das rasch zu einem der führenden Institute für Solarforschung heranwuchs. Die Vorbereitungen dazu begannen bereits fünf Jahre zuvor im Jahr 1976 mit der Erfindung und Patentierung des Fluoreszenzkollektors.

Als erster deutscher Forscher wurde Adolf Goetzberger 1983 mit dem "J.J. Ebers Award" der amerikanischen IEEE Electron Devices Society für seine herausragenden Leistungen bei der Entwicklung des Silizium-Feldeffekttransistors ausgezeichnet. Weiterhin erhielt er 1989 die Verdienstmedaille des Landes Baden-Württemberg und 1992 das Bundesverdienstkreuz erster Klasse ausgezeichnet. 1993 wurde er mit dem Achievement through Action Award der ISES ausgezeichnet; 1995 die Ehrendoktorwürde der Universität Uppsala und den Farrington Daniels Award der ISES. Es folgten 1997 die Karl Boer Medaille, der Bequerel Prize und der William R. Cherry Award. 2006 verliehen ihm die Solar World AG den Einstein Award 2006 und EUROSOLAR den European Solar Award. Im Jahre 2009 ist er vom Europäischen Patentamt in der Kategorie "Lebenswerk" mit dem Europäischen Erfinderpreis ausgezeichnet worden.[1]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. EPO:Europäischer Erfinderpreis