Indiumtrimethyl

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Strukturformel
Strukturformel von Indiumtrimethyl
Allgemeines
Name Indiumtrimethyl
Andere Namen

Trimethylindium

Summenformel C3H9In
CAS-Nummer 3385-78-2
PubChem 76919
Kurzbeschreibung

weißer Feststoff[1]

Eigenschaften
Molare Masse 159,92 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[1]

Dichte

1,568 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

88 °C[3]

Siedepunkt

136 °C[3]

Löslichkeit

reagiert mit Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [2]
02 – Leicht-/Hochentzündlich 05 – Ätzend

Gefahr

H- und P-Sätze H: 250​‐​260​‐​314
EUH: 014
P: ?
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Indiumtrimethyl ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der metallorganische Verbindungen.

Gewinnung und Darstellung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Indiumtrimethyl kann durch Grignard-Reaktion von Indium und Magnesium mit Brommethan[3]

oder durch Metathesereaktion von Indium(III)-chlorid oder Indium(III)-bromid mit Methyllithium gewonnen werden.[3][4]

Es kann auch durch eine Transmetallierungsreaktion von metallischem Indium und Quecksilberdimethyl bei 135 °C dargestellt werden.[3][4]

Eigenschaften[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Indiumtrimethyl ist ein weißer pyrophorer Feststoff.[1] Er besteht aus monomeren Molekülen im Gaszustand und in Lösung (Benzol, Cyclopentan), ist aber tetramer im festen Zustand. Das Molekül besitzt eine trigonal-planare Struktur.[4] Die Verbindung ist Verhältnismäßig reaktionsträge. Eine heftige Reaktionen erfolgt mit Luft und kaltem Wasser. Mit Säuren erfolgt rasche Hydrolyse unter Methanentwicklung. Sie ist löslich in Ether, Petrolether, Cyclohexan, Benzol und Methylenchlorid, mit Alkoholen tritt Reaktion ein. Mit Elektronendonatoren wie Trialkylamine werden Addukte gebildet.[4]

Verwendung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Indiumtrimethyl wird zur Herstellung von Indiumphosphid verwendet.[5] In der Halbleiterproduktion wird es als Dotierungsreagenz bzw. zur Erzeugung von III/V-Halbleiterschichten benutzt.[4]

Siehe auch[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. a b c d EPICHEM: Trimethylindium
  2. a b c AMERICAN ELEMENTS: Trimethylindium C3H9In, abgerufen am Sonntag, 16. März 2014
  3. a b c d e Georg Brauer: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearb. Auflage. Band I. Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 864.
  4. a b c d e Wiberg, E.; Wiberg, N.; Holleman, A.F.: Anorganische Chemie, 103. Auflage, 2017 Walter de Gruyter GmbH & Co. KG, Berlin/Boston, ISBN 978-3-11-026932-1, S. 1405–1407, (abgerufen über De Gruyter Online).
  5. Anthony C. Jones, Paul O'Brien: CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Developmeny and ... John Wiley & Sons, 2008, ISBN 3-527-61462-1, S. 55 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).