Trimethylgallium

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Strukturformel
Strukturformel von Trimethylgallium
Allgemeines
Name Trimethylgallium
Andere Namen
  • TMG
  • TMGa
Summenformel C3H9Ga
CAS-Nummer 1445-79-0
PubChem 15051
Kurzbeschreibung

klare, farblose Flüssigkeit[1]

Eigenschaften
Molare Masse 114,827 g·mol−1
Aggregatzustand

flüssig

Dichte

1,132 g·cm−3 (25 °C)[2]

Schmelzpunkt

−15,8 °C[2]

Siedepunkt

92,5 °C[2]

Dampfdruck

193 hPa (20 °C)[2]

Löslichkeit

Reagiert heftig mit Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [2]
02 – Leicht-/Hochentzündlich 05 – Ätzend

Gefahr

H- und P-Sätze H: 225​‐​250​‐​261​‐​314
P: 210​‐​222​‐​231+232​‐​280​‐​305+351+338​‐​422Vorlage:P-Sätze/Wartung/mehr als 5 Sätze [2]
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [3][2]
Ätzend Leichtentzündlich
Ätzend Leicht-
entzündlich
(C) (F)
R- und S-Sätze R: 14/15​‐​17​‐​34
S: 6​‐​8​‐​26​‐​36/37/39​‐​43​‐​45Vorlage:S-Sätze/Wartung/mehr als 5 Sätze
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Trimethylgallium, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.

Darstellung[Bearbeiten]

Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.[4]

\mathrm{ 2\ GaCl_3\ +\ 3\ (CH_3)_2Zn\ \rightarrow \ 2\ Ga(CH_3)_3\ +\ 3\ ZnCl_2}

Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.[4]

Eigenschaften[Bearbeiten]

Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert.[1][4] Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.

Verwendung[Bearbeiten]

Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (InxGa1−xN), welche unter anderem im Bereich der Optoelektronik als Werkstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden dient.

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. a b c D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
  2. a b c d e f g Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011 (PDF).
  3. Seit dem 1. Dezember 2012 ist für Stoffe ausschließlich die GHS-Gefahrstoffkennzeichnung zulässig. Bis zum 1. Juni 2015 dürfen noch die R-Sätze dieses Stoffes für die Einstufung von Gemischen herangezogen werden, anschließend ist die EU-Gefahrstoffkennzeichnung von rein historischem Interesse.
  4. a b c C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19, Nr. 3, 1933, S. 292–298. doi:10.1073/pnas.19.3.292. PMID 16577510. PMC: 1085965 (freier Volltext).