EUV-Lithografie

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EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (englisch extreme ultra violet, EUV). Dies soll es ermöglichen, auch zukünftig die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um kleinere, effizientere, schnellere und günstigere integrierte Schaltkreise herstellen zu können.

Hintergrund und wesentliche Probleme[Bearbeiten]

Die EUV-Lithografie kann als Weiterführung der optischen Lithografie mit kleineren Wellenlängen angesehen werden. Der Technologiesprung von den derzeit verwendeten 193-nm-Belichtungsanlagen zu 13,5 nm erfordert die Lösung einer ganzen Reihe technischer Probleme. Im Februar 2008 präsentierten IBM und AMD die erste vollständige Belichtung eines Wafers mit EUVL mit einem realen Chip in 45-nm-Technologie. Technische Details wurden nicht veröffentlicht.[1]

Es wird davon ausgegangen, dass die Technologie ab einem industrieüblichen Durchsatz für Lithografieanlagen von wenigstens 100 Wafer/Stunde wirtschaftlich wird. Sofern die technischen Herausforderungen rechtzeitig gelöst werden können, wird erwartet, dass die EUV-Lithografie erst nach 2019 und erst für Strukturgrößen kleiner als 16 nm (16-nm-Technologie) zur Verfügung steht.[2]

Die Verringerung der Wellenlänge bringt eine Vielzahl von Herausforderungen und technologischen Änderungen mit sich, die weitaus komplexer sind als bei den bisherigen Verringerungen der Wellenlänge, beispielsweise von 248 nm (KrF-Excimerlaser) auf 193 nm (ArF-Excimerlaser). Neben Problemen, die bei jeder Wellenlängenverringerung auftreten, wie Bereitstellung von hochwertigen und stabilen Strahlungsquellen ausreichender Strahlungsleistung oder einem Fotolacksystem, das den hohen Anforderungen an die Auflösung und Ätzresistenz gerecht wird, kommen bei der EUV-Lithografie vor allem folgende Herausforderungen neu hinzu:

  1. Mit seiner sehr kurzen Wellenlänge von 13,5 nm wird die EUV-Strahlung schon von Luft und von den meisten Materialien stark absorbiert.[3] Die mittlere Absorptionslänge in Luft beträgt weniger als einen Millimeter, somit wird die Verwendung von Vakuum unumgänglich.
  2. Die hohe Absorption bringt es mit sich, dass keine refraktiven Optiken, z. B. Linsen, verwendet werden können, stattdessen müssen Spiegeloptiken eingesetzt werden. Die Masken müssen ebenfalls stark reflektierende (rund 70 %) Oberflächen besitzen und unterscheiden sich somit von den konventionellen Belichtungsmasken.
  3. Die EUV-Technik stellt aufgrund der Rayleigh-Streuung an die Formtreue der Masken, Spiegel und der zu belichtenden Materialien sehr viel höhere Anforderungen an die Oberflächenrauheit (0,25 nm).

EUV-Lithografiesysteme[Bearbeiten]

Ein EUV-Lithografiesystem besteht vereinfacht aus folgenden Elementen:

  • Strahlungsquelle mit Debrisschutz und Kollektor
  • abbildende Optik und Maske
  • Wafer mit Fotolack

Strahlungsquelle[Bearbeiten]

EUV-Strahlung wird bei der Erzeugung von Plasmen frei. Solche Plasmen werden in Gasen durch starke elektrische Entladungen (engl. gas discharge produced plasma, GDPP) oder durch Fokussierung von Laserstrahlung (engl. laser-produced plasma, LPP, LPP-Strahlungsquelle) erzeugt. Je nach Art des Mediums liegt ein Teil des emittierten Strahlungsspektrums im gewünschten Bereich von 2 % Bandbreite der Zentralwellenlänge 13,5 nm. Als Medium wurde zunächst Xenon verwendet, wegen einer höheren Konversionseffizienz konnte sich Zinn (vgl. [4]) durchsetzen. Diese Technik wurde in den letzten Jahren von den drei wichtigsten Firmen auf diesem Gebiet (Cymer, Philips Extreme UV und Gigaphoton) kontinuierlich weiterentwickelt.

Die Lichtdosis, die auf den Fotolack einfällt, hat direkten Einfluss auf die Prozessdauer und somit dem Waferdurchsatz. Laut Literatur wird für die erste Generation von EUV-Lithografieanlagen eine Strahlungsleistung von ca. 100 W im Bereich von 13,5 nm benötigt, um eine ausreichend hohen und halbwegs ökonomischen Durchsatz von ca. 60 Wafern pro Stunde für 28-nm-Produkte und darunter zu gewährleisten. 2009 stellte Cymer ein System mit einer Strahlungsleistung von 70 W vor.[4]

Debrisschutz[Bearbeiten]

Das in der Strahlungsquelle erzeugte Plasma besteht aus Ionen und Elektronen, die sich mit großer Geschwindigkeit bewegen. Um zu verhindern, dass diese Schäden an den verwendeten Optiken verursachen, werden solche Teilchen abgefangen (Folienfallen, Puffergas) oder es werden Reinigungsverfahren (chemische Prozesse oder thermische Verfahren) für betroffene Optiken angewendet.

Trotzdem kommt es zu einer stetigen Verschmutzung der Spiegeloberflächen, die eine Reinigung der Spiegeloberflächen im Abstand von etwa 100 Stunden notwendig machen. Diese im Vergleich zur 193 nm-Lithografie kurzen Zeiten führen zu weiteren Aufwänden.

Kollektor[Bearbeiten]

Das Plasma in der Quelle emittiert Strahlung in alle Raumrichtungen. Damit diese Strahlung für einen Belichtungsprozess nutzbar wird, muss ein möglichst großer Teil davon durch eine Sammeloptik (Kollektor) in Richtung der eigentlichen Lithografieanlage reflektiert werden. Für Quellen nach dem GDPP-Prinzip werden angepasste Wolter-Teleskope verwendet, in denen die Strahlung unter streifendem Einfallswinkel reflektiert wird. Für LPP-Quellen kommen Mehrschichtspiegel[4] aus Molybdän und Silizium bei nahezu senkrechtem Einfallswinkel zum Einsatz.

Als optische Schnittstelle zur Lithografieanlage ist ein Zwischenfokus definiert (engl. intermediate focus, IF), an dem mindestens 100 W EUV-Strahlung (2 Prozent spektrale Bandbreite) zur Verfügung gestellt werden müssen.

Abbildende Optik und Maske[Bearbeiten]

Durch ein komplexes optisches System von sechs oder mehr Spiegeln wird die Strahlung für den eigentlichen Belichtungsprozess vorbereitet. Für EUV-Strahlung kommen sogenannte Mehrschichtspiegel (engl. multilayer mirror) zum Einsatz, die aus einer großen Anzahl (z. B. 50 oder 100) von Molybdän/Silizium-Schichtpaaren bestehen. Die Möglichkeit diese Mo-Si-Spiegel herzustellen und ihr im Vergleich hoher Reflexionsgrade sind einer der Gründe für die Wahl der Wellenlänge von 13,5 nm.[4] Einer Alterung der Spiegel durch Diffusion der Atome von einer Schicht in eine andere kann durch Zwischenschichten von nur einigen Atomlagen Dicke vorgebeugt werden. Die Oberfläche des Mehrschichtspiegels wird durch eine Schutzschicht (engl. capping layer) geschützt. Die Anforderungen an die Ebenheit – ca. 2 nm[4] für einen Spiegel mit 30 cm Durchmesser – der Spiegelsubstrate und die Qualität der Schichten sind enorm und stellen technologische Herausforderungen dar. Der theoretisch erreichbare Reflexionsgrad dieser Spiegel liegt bei etwa 72 Prozent[4], in einem 6-Spiegelsystem gehen damit mehr als 86 Prozent der Strahlung an diesen Spiegeln verloren. Daher müssen zum einen ausreichend starke Strahlungsquellen – Quellen mit 100 W Strahlungsleistung[4] bei 13,5 nm werden vermutlich in der ersten Generation von EUV-Anlagen benötigt – zur Verfügung stehen, zum anderen kann nur eine sehr begrenzte Anzahl optische Elemente genutzt werden. Aufgrund der hohen Strahlungsleistungen und der hohen Absorption muss das System zudem stärker gekühlt und dennoch auf einer konstanten Temperatur gehalten werden als konventionelle Systeme.

EUV-Strahlung wird vor allem an den inneren Orbitalen der Atome absorbiert. Die relativ hohe Absorption an Sauerstoff-, Argon- oder Stickstoff-Atomen bedeutet zudem, dass die Strahlung bereits im optischen System merklich abgeschwächt wird.[3] Daher muss sich das ganze optische System, von der Quelle bis zum Wafer, zumindest in einem schwachen Vakuum befinden.[4] Dies erhöht den technischen Aufwand gegenüber derzeitigen 193-nm-Lithografiesystem weiter.

Da für EUV-Strahlung keine transparenten Medien zur Verfügung stehen, wird die Lithografiemaske ebenfalls als Mehrschichtspiegel ausgeführt, der in seiner Oberfläche ein Bild der herzustellenden Strukturen trägt. Dazu wird eine absorbierende Schicht aus Chrom oder Tantalnitrid an der Maskenoberfläche mittels Trockenätzverfahren strukturiert[5][6]. Eine besondere Schwierigkeit liegt in der defektfreien Ausführung der Maske, da ein vor Partikeln schützendes Pellikel vermutlich nicht eingesetzt werden kann. Sowohl Strukturierungsfehler in der Absorberschicht als auch Defekte in den darunterliegenden Multilagen können zu Abbildungsfehlern führen. Kritische Defektgrößen liegen dabei deutlich unter 30 nm[7]. Wird durch ein Partikel unterhalb der Multilagen die Ebenheit der Schichten verändert, kann ein Phasendefekt entstehen. Befindet sich dagegen ein Partikel im oberen Bereich der Multilagen, entsteht durch die Absorption des Partikels ein Amplitudendefekt. Defekte in den Multilagen können häufig nur unter EUV-Strahlung detektiert werden, wodurch die Maskeninspektion sehr aufwendig wird. Die Defektfreiheit der Multilagen der Maske ist eine der größten technologischen Herausforderungen der EUV-Lithographie[8].

Aufgrund des schrägen Einfalls der EUV-Strahlung (typischerweise 5° gegenüber der Oberflächennormale) entsteht durch Unebenheiten der Maskenoberfläche ein lateraler Versatz des Maskenbildes, der zu Lagefehlern der abbildenden Struktur auf der Waferoberfläche führt. Die Masken müssen daher eine Ebenheit von kleiner als 50 nm haben, wodurch die Herstellung der Maskensubstrate sehr aufwendig und teuer wird[9].

Wafer und Fotolack[Bearbeiten]

Von der Maske wird die Strahlung auf den mit einem geeigneten Fotolack (Resist) beschichteten Wafer reflektiert. Die chemischen und photochemischen Eigenschaften des Fotolacks bestimmen wesentlich die Qualität der herstellbaren Strukturen. Gewünscht ist eine hohe Empfindlichkeit für EUV-Strahlung, eine hohe Auflösung und eine geringe Kantenrauigkeit, die 3σ-Abweichung der vorhergesagten Linienkante, z. B. 1,5 nm für den 45-nm-Technologieknoten.[3] Die wesentliche Herausforderung besteht darin, diese Eigenschaften gleichzeitig mit einem Fotolack zu realisieren. Der Fotolack wird nach der Belichtung in einer Prozesskette entwickelt, um schließlich die gewünschten Strukturen zu erhalten.

In der (konventionellen) Fotolithografie werden typischerweise langkettige organische Polymere als Fotolacke verwendet. Durch die Strahlung wird im sogenannten Fotosäuregenerator (engl. photo-acid generator, PAG) ein Proton freigesetzt, welches mit organischen Schutzgruppen in den Polymerseitenketten reagiert. Hierdurch wird die Löslichkeit des belichteten Polymers erhöht, so dass die belichteten Bereiche durch ein organisches Lösungsmittel (Entwickler) entfernt werden können. In diesem Fall handelt es sich um einen sogenannten Positivlack, da die belichteten Strukturen entfernt werden. Alternativ können Negativlacke eingesetzt werden, bei denen durch strahlungsinduzierte Quervernetzung der Polymerketten die Löslichkeit der belichteten Bereiche reduziert wird. Diese Lacke erzielen jedoch typischerweise eine geringere Auflösung als die Positivlacke.[10].

Aufgrund der hohen Energie der EUV-Photonen tragen pro Fläche nur wenige Photonen zur Belichtung bei. Eine zu hohe Empfindlichkeit der Lacke führt daher zu einer Erhöhung der Kantenrauhigkeit aufgrund statistischer Shot-Noise-Effekte[11]. Bei den geforderten Kantenrauhigkeiten im Bereich von einem Nanometer werden außerdem bereits die mittleren Längen der Polymerketten erreicht, so dass die molekulare Struktur der Lacke limitierend für die Kantenrauhigkeit ist. Aus diesem Grund werden auch kurzkettige Polymere als EUV-Lacke untersucht[12]. Diese können jedoch zu einem erhöhten Ausgasen im Vakuum führen. Dadurch besteht die Gefahr, dass die Spiegeloptik durch eine Kohlenstoffschicht kontaminiert wird und die Transmission der Optik deutlich reduziert wird.

Die Absorption der Strahlung ist bei der EUV-Lithografie allgemein ein wichtiges Thema. Verantwortlich dafür sind nicht nur die verhältnismäßig geringen Strahlungsleistungen heutiger EUV-Quellen und der geringe Absorptionsquerschnitt, der generell mit der Wellenlänge abnimmt, sondern auch der Umstand, dass die Absorption in diesem Wellenlängenbereich hauptsächlich an den inneren Orbitalen der Atome erfolgt. Daher hängt die Absorption vor allem von der elementaren und nicht der molekularen Zusammensetzung der Fotolacke ab. So zeigen Sauerstoff und Fluor einen der höchsten Absorptionskoeffizienten für EUV-Strahlung. Die Entwicklung von EUV-Fotolacken ist damit relativ kompliziert, da bestehende chemischverstärkte, hochauflösende Fotolacke nicht wirklich geeignet sind.[3] Die relativ hohe Absorption an Sauerstoff-, Argon- oder Stickstoff-Atomen bedeutet zudem, dass die Strahlung bereits im optischen System merklich abgeschwächt wird und daher wahrscheinlich Vakuum eingesetzt werden muss (siehe auch Abschnitt Abbildende Optik und Maske).[4] Bei einer hohen EUV-Absorption der Fotolacke müssen die Lackschichten dünner als ca. 100 nm sein. Diese Anforderung stellt für die Strukturierung der Wafer eine große Herausforderung dar, da während des Trockenätzens des Wafers auch die Dicke der Lackschicht reduziert wird. Die Ätzresistenz des entwickelten Lacks spielt daher ebenfalls eine wichtige Rolle. Je nach Anwendung müssen daher unter Umständen Mehrlagenfotolacke zur Strukturierung verwendet werden[10].

Literatur[Bearbeiten]

  •  Banqiu Wu, Ajay Kumar: Extreme ultraviolet lithography: A review. In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25, Nr. 6, 2007, S. 1743–1761, doi:10.1116/1.2794048.
  •  Uwe Stamm, Heinrich Schwoerer, Rainer Lebert: Strahlungsquellen für die EUV-Lithographie. In: Physik Journal. 1, Nr. 12, 2002, ISSN 1617-9439, S. 33–49 (PDF).
  •  Uwe Stamm: Extreme ultraviolet light sources for use in semiconductor lithography—state of the art and future development. In: Journal of Physics D: Applied Physics. 37, Nr. 23, 2004, S. 3244–3253, doi:10.1088/0022-3727/37/23/005.
  • Vivek Bakshi (Hrsg.): EUV Lithography. SPIE Press, Bellingham, WA, 2008, ISBN 9780819480705.

Weblinks[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. AMD Testing Functional Devices Made Using Extreme Ultra-Violet (EUV) Lithography on Test Chip. AMD-Pressemeldung, 26. Februar 2008.
  2. Mark Lapedus: Intel Sees Immersion Extending to 11 nm. In: Semiconductor International. 22. Februar 2010, abgerufen am 29. März 2013.
  3. a b c d  Daniel Bratton, Da Yang, Junyan Dai, Christopher K. Ober: Recent progress in high resolution lithography. In: Polymers for Advanced Technologies. 17, Nr. 2, 1. Januar 2006, S. 94-103, doi:10.1002/pat.662.
  4. a b c d e f g h i  Christian Wagner, Noreen Harned: EUV lithography: Lithography gets extreme. In: Nat Photon. 4, Nr. 1, 2010, S. 24-26, doi:10.1038/nphoton.2009.251.
  5. F. Letzkus, J. Butschke, M. Irmscher, F. M. Kamm, C. Koepernik, J. Mathuni, J. Rau and G. Ruhl.: Dry etch processes for the fabrication of EUV masks. In: Microelectronic Engineering. Vol. 73–74, 2004, S. 282–288, doi:10.1016/j.mee.2004.02.054.
  6. F. Sobela: Absorber stack optimization towards EUV lithography mask blank pilot production. In: 24th Annual BACUS Symposium on Photomask Technology, Proc. SPIE. 5567, S. 781, doi:10.1117/12.568787 (PDF, abgerufen am 12. Juli 2010).
  7. Ted Liang , et al.: Growth and Printability of Multilayer Phase Defects on EUV Mask Blanks. In: 2007 EUV Symposium, Sapporo, Japan. Abgerufen am 13. Juli 2010 (Vortragsfolien).
  8. SEMATECH and Carl Zeiss to Develop First-Ever EUV Aerial Imaging Tool. 8. Juli 2010, Abgerufen am 13. Juli 2010.
  9. Phil Seidel, Chris Van Peski, Stefan Wurm: EUV Substrate, Blank, and Mask Flatness Current Specifications & Issues Overview. In: EUV Mask Flatness & Carrier/Loadport Workshop October 19th 2006, Barcelona Spain. Abgerufen am 13. Juli 2010 (Vortragsfolien).
  10. a b Robert L. Brainard: Photoresists for Extreme Ultraviolet Lithography. In: Vivek Bakshi (Hrsg.): EUV Lithography, SPIE Press, Bellingham, WA, 2008, ISBN 9780819480705.
  11. A. R. Neureuther et. al.: Shot noise models for sequential processes and the role of lateral mixing. In: Journal of Vacuum Science and Technology B. 24, Nr. 4,2006, S. 1902–1908.
  12. Daiju Shiono et. al.: LER evaluation of molecular resist for EUV lithography. In: Microelectronic Engineering. 84, Nr. 5–8, 2007, S. 1084–1087.