Liste elektrischer Bauelemente

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Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt.

Verschiedene elektronische Bauelemente

[Bearbeiten] Grundbausteine

[Bearbeiten] Elektrische Leitungen

[Bearbeiten] Wellenleiter

Hohlleiter
Bestandteile von Antennen (Antennenelemente)
Goubau-Leitung
Zirkulator

[Bearbeiten] Elektromechanische Bauelemente

[Bearbeiten] Bauelemente für die Stromversorgung

[Bearbeiten] Bauelemente für die Frequenzerzeugung

- Schwingquarze
- Keramikresonatoren
- Quarzoszillatoren, (PXO, TCXO, OCXO, VXO, VCXO, DTCXO)
- SAW-Oszillatoren
- SAW-Filter
- Keramikfilter

[Bearbeiten] Passive Bauelemente

Widerstand
- Festwiderstände
  - Dünnschichtwiderstand
  - Dickschichtwiderstand
  - Heizwiderstand
  - Fotowiderstand – lichtabhängiger Widerstand
- Nichtlineare Widerstände
  - Temperaturabhängige Widerstände
    - Kaltleiter (PTC)
    - Pt100 (Platinwiderstand)
    - Heißleiter (NTC)
  - Spannungsabhängige Widerstände
    - Varistor – spannungsabhängiger Widerstand
- Variable Widerstände
  - Potentiometer – mechanisch einstellbarer Widerstand

Kondensatoren
- Festkondensatoren
- Leistungskondensatoren
- Variable Kondensatoren, (Trimmkondensator, Drehkondensator)
Induktive Bauelemente
- Induktivität (Bauelement),
  - Chipinduktivität, Mikroinduktivität
  - Spule (Elektrotechnik),
  - Luftspule, Toroidspule, Zündspule, Schwingspule, Tauchspule, Helmholtz-Spule
  - Drossel (Elektrotechnik)
- Transformatoren
- Magnete
Sonstige passive Bauelemente
- Gasableiter, Funkenstrecke (Schutzelemente vor Überspannung)
- elektrische Lampen und Strahlungsquellen
  - Gasentladungslampen
    - Leuchtstofflampe
    - Metalldampflampe
  - Glühlampen
- Memristor

[Bearbeiten] Energiequellen im engeren Sinn

Galvanische Zelle, galvanisches Element
Brennstoffzelle
Elektrischer Generator
Solarzelle
Peltier-Element als thermoelektrischer Generator
Daniell-Element, eine spezielle galvanische Zelle

[Bearbeiten] Aktive Bauelemente

[Bearbeiten] Röhren

Nullode, elektrodenlose Gasentladungsröhre
Röhrendiode, Zweipolröhre
Triodenröhre, die einfachste Verstärkerröhre (Anode, Gitter, Kathode)
Tetrode – Röhre mit zwei Gittern
Pentode – Röhre mit drei Gittern (Schirm-, Steuer- und Bremsgitter)
Hexode – Röhre mit vier Gittern (Steuer- und Bremsgitter, 2 Schirmgitter)
Braun’sche Röhre: Kathodenstrahlröhre
Röntgenröhre
Klystron
Krytron
Magnetron
Sekundärelektronenvervielfacher
Photomultiplier
Thyratron
Excitron
Ignitron
Senditron
Quecksilberdampfgleichrichter
Verbundröhre
Abstimmanzeigeröhre
Nixie-Röhre – Röhre zur Darstellung verschiedener Zeichen (Ziffern)

[Bearbeiten] Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter

Dioden (außer Optoelektronik)
- Avalanche-Diode
- Backward-Diode
- Gleichrichter
- Kapazitätsdiode
- Schottky-Diode
- Suppressordiode
- Tunneldiode
- Zener-Diode (auch Z-Diode oder Begrenzerdiode)
- Gunndioden

Transistoren
- Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
  - Bipolare Transistoren
    - Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
      - Darlington-Transistor (engl. Darlington transistor bzw. Darlington amplifier)
      - grown-junction transistor (dt. „gezogener Transistor“ auch „Wachstumstransistor“)^[1]
      - Mesatransistor (engl. mesa transistor)
      - Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
        
        Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
        
        MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
        
        PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
        
        Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
        
        Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
        
        „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
      - Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
        
        Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl. insulated-gate bipolar transistor, IGBT)
    - Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor
    - Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
    - heterojunction bipolar transistor (HBT bzw. HBJT)
    - double-heterojunction bipolar transistor (DHBT)
    - tunneling-emitter bipolar transistor
    - Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl. avalanche bipolar transistor) (ABT)
      - V-groove insulated-gate avalanche transistor (VIGAT)
  - tunneling hot-electron-transfer amplifier (THETA)
    - metal-base transistor
      - metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) transistor
        
        metal-oxide metal-oxide-metal (MOMOM) transistor
      - metal-insulator-metal-semiconductor (MIMS) transistor
        
        metal-oxide-metal-semiconductor (MOMS) transistor
      - semiconductor-metal-semiconductor transistor (SMST) transistor
      - metal-insulator-p-n (MIp-n) transistor
        
        metal-oxide-p-n (Mop-n) transistor
    - hot-electron-transistor (THETA)
  - planar-doped-barrier transistor
    - camel transistor
    - field-effect hot-electron transistor
  - real-space-transfer transistor (RSTT),
    - negative-resistance field-effect transistor (NERFET),
    - charge-injection transistor (CHINT)
  - bipolar inversion-channel field-effect transistor (BICFET).
    - bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
  - heterojunction hot-electron transistor
  - induced-base transistor
  - resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET)
  - quantum-well-base resonant-tunneling transistor (QWBRTT)
  - Multiemitter-Transistor
  - Spacistor
  - tunnel-emitter transistor, TETRAN),
  - inversion-base bipolar transistor
    - surface-oxide transistor
  - resonant-tunneling bipolar transistor, RTBTIRBT)
- Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
  - Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
    - Sperrschicht-Feldeffekttransistor (engl. junction field-effect transistor, JFET)
      - V-groove field-effect transistor (VFET)
    - Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field-effect transistor, MESFET)
      - planar-doped field-effect transistor
        
        delta-doped field-effect transistor (dFET)^[2]
        
        pulse-doped field-effect transistor ^[3]
  - Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
    - Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal insulator semiconductur field-effect transistor, MISFET)
      - Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal oxide semiconductur field-effect transistor, MOSFET)
      - Floating-Gate-Transistor (engl. floating-gate transistor)
      - Organischer Feldeffekttransistor (engl. organic field-effect transistor, OFET)
      - Dünnschichttransistor (engl. thin film transistor, TFT)
      - metal-oxide-semiconductor transistor (MOST)
      - Double-diffused metal-oxide-semiconductor (DMOS) transistor
      - Hexagonal field-effect transistor (HEXFET)
      - V-groove (or vertical) metal-oxide-semiconductor (VMOS) transistor
      - U-groove metal-oxide-semiconductor (UMOS) transistor
      - Gate-controlled diode
      - FinFET
        
        Multigate-Typen (engl. Multigate device)
        
        (engl. dual gate field-effect transistor)
        
        (engl. Trigate transistors)
        
        (engl. Tetrode transistor)
        
        (engl. Pentode transistor)
      - Leistungs-MOSFET
      - Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor
    - fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor (FREDFET) auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor
    - Umgebungsgesteuerte Feldeffektransitoren
      - Ionensensitiver Feldeffekttransistor (engl. ion-sensitive field effect transistor, ISFET)
      - electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (EOSFET)
      - deoxyribonucleic acid field-effect transistor (DNAFET)
      - Fototransistor (engl. photo transistor)
      - Enzym-Feldeffekttransistor (engl. enzyme field-effect transistor, ENFET)
      - pressure-sensitive field-effect transistor (PRESSFET)
      - Radiation sensing field-effect transistor (RADFET)
  - modulation-doped field-effect transistor (MODFET),
    auch bekannt als: high-electron-mobility transistor (HEMT), two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) oder heterojunction field-effect transistor (HFET)
    - inverted heterojunction field-effect transistor (inverted MODFET)
    - planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
    - single-quantum-well heterojunction field-effect transistor, double-heterojunction field-effect transistor (DHFET)
    - superlattice heterojunction field-effect transistor
    - pseudomorphic heterojunction field-effect transistor (PMHFET)
    - heterojunction insulated-gate field-effect transistor (HIGFET)
    - semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor (SISFET)
    - doped-channel heterojunction field-effect transistor
  - permeable-base transistor (PBT)
  - static-induction transistor (SIT)
    - analog transistor (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre), siehe auch Spacitor)
    - multi-channel field-effect transistor (McFET)
    - gridistor ^[4]
    - bipolar-mode static-induction transistor (BSIT)
    - depleted-base transistor (DBT)
  - lateral resonant-tunneling field-effect transistor (LRTFET) ^[5]
  - Stark-effect transistor
  - velocity-modulation transistor (VMT).
- Weitere Transistortypen:
  - Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET
  - Einzelelektronentransistor (engl. single-electron transistor, SET)
  - Leistungstransistor
    - bipolarer Leistungstransistor (Power BJT)
    - Leistungsfeldeffekttransistor (Power MOSFET)
  - Unijunction-Transistor (engl. unijunction transitor, UJT)
  - Spin-Transistor (engl. spin field-effekt transistor, Spin-FET)
  - nanofluidic transistor
  - Atomarer Transistor
  - ballistic transistor
  - Y-Transistor

Vierschicht-Bauelemente
- Thyristor
  - Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO)
Diac
Triac

Halbleiter mit speziellen Eigenschaften

[Bearbeiten] Sensoren

(außer Photohalbleiter)

Hall-Sensor
Feldplatte
SQUID
Mikrofon
Thermoelement
NAMUR-Sensoren
diverse Bauelemente, die den Piezoeffekt verwenden
diverse Bauelemente, die das Kondensatorprinzip verwenden

[Bearbeiten] Module, Systeme

Regler
- Analogregler, PID-Regler
- Digitalregler, Fuzzy-Regler
Speicherprogrammierbare Steuerung (SPS)
Verstärker
Sender
Empfänger
Filter
Gyrator
Wechselrichter

[Bearbeiten] Siehe auch

[Bearbeiten] Weblinks

Das Elektronik-Kompendium: Bauelemente

[Bearbeiten] Einzelnachweise

↑ Peter A. Schmitt: Langenscheidt Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Deutsch - Englisch. Langenscheidt Fachverlag, 2004, ISBN 386117233X (eingeschränkte Vorschau in der Google Buchsuche).
↑ E. F. Schubert, A. Fischer, K. Ploog: The delta-doped field-effect transistor (dFET). In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632.
↑ K. K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766.
↑ S. Teszner, R. Gicquel: Gridistor—A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502-1513 ([1]).
↑ S. Y. Chou, Jr. Harris, R. F. W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. 52, Nr. 23, 6. Mai 1988, S. 1982-1984, doi:0.1063/1.99656.

[0] Peter A. Schmitt: Langenscheidt Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Deutsch - Englisch. Langenscheidt Fachverlag, 2004, ISBN 386117233X (eingeschränkte Vorschau in der Google Buchsuche).

[1] E. F. Schubert, A. Fischer, K. Ploog: The delta-doped field-effect transistor (dFET). In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632.

[2] K. K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766.

[3] S. Teszner, R. Gicquel: Gridistor—A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502-1513 ([1]).

[4] S. Y. Chou, Jr. Harris, R. F. W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. 52, Nr. 23, 6. Mai 1988, S. 1982-1984, doi:0.1063/1.99656.

[1]

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[4]

[5]

Liste elektrischer Bauelemente

Inhaltsverzeichnis

[Bearbeiten] Grundbausteine

[Bearbeiten] Elektrische Leitungen

[Bearbeiten] Wellenleiter

[Bearbeiten] Elektromechanische Bauelemente

[Bearbeiten] Bauelemente für die Stromversorgung

[Bearbeiten] Bauelemente für die Frequenzerzeugung

[Bearbeiten] Passive Bauelemente

[Bearbeiten] Energiequellen im engeren Sinn

[Bearbeiten] Aktive Bauelemente

[Bearbeiten] Röhren

[Bearbeiten] Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter

[Bearbeiten] Integrierte Schaltkreise (ICs)

[Bearbeiten] Optoelektronische Bauelemente

[Bearbeiten] Aktoren

[Bearbeiten] Sensoren

[Bearbeiten] Module, Systeme

[Bearbeiten] Siehe auch

[Bearbeiten] Weblinks

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