Elektrische Leitfähigkeit

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Physikalische Größe
Name elektrische Leitfähigkeit
Formelzeichen der Größe \sigma, \gamma, \kappa
Größen- und
Einheitensystem
Einheit Dimension
SI S·m−1 = Ω−1·m−1
= 10−6 S·m·mm−2
M−1·L−3·T3·I2
Siehe auch: spezifischer Widerstand, elektrischer Leitwert

Die elektrische Leitfähigkeit, auch als Konduktivität bezeichnet, ist eine physikalische Größe, die die Fähigkeit eines Stoffes angibt, elektrischen Strom zu leiten.

Das Formelzeichen der elektrischen Leitfähigkeit ist \sigma (griechisch sigma), auch \gamma (gamma), in der Elektrochemie \kappa (kappa).[1] Die abgeleitete SI-Einheit der elektrischen Leitfähigkeit ist S/m (Siemens pro Meter). Den Kehrwert der elektrischen Leitfähigkeit nennt man spezifischen Widerstand.

Die elektrische Leitfähigkeit ist definiert als die Proportionalitätskonstante zwischen der Stromdichte \vec J und der elektrischen Feldstärke \vec E:[1][2]

\vec J = \sigma\;\vec E

Im Spezialfall konstanter elektrischer Leitfähigkeit entspricht diese Definitionsgleichung dem ohmschen Gesetz.

Leitfähigkeit als Tensor[Bearbeiten]

Im speziellen Fall eines isotropen (richtungsunabhängigen) und linearen (feldgrößenunabhängigen) Mediums ist die elektrische Leitfähigkeit ein Skalar (eindimensionaler Wert). Nur in diesem einfachen, in der Anwendung aber häufigen Fall erfolgt daher die Stromleitung proportional und in derselben Richtung wie das die Stromdichte verursachende elektrische Feld.

In einem anisotropen und linearen Material ist die elektrische Leitfähigkeit ein Tensor 2. Stufe (Dyade), also ein mehrdimensionaler Wert.[2] Beispiele für Materialien mit solchen Eigenschaften sind Materialien mit Strukturen wie Graphit, Kristalle und Hochtemperatursupraleiter.

Zusammenhänge und Einheiten[Bearbeiten]

Es ist zu beachten, dass obige Gleichung – sie zählt zu den drei fundamentalen Materialgleichungen – sich nicht aus den Maxwellschen Gleichungen ableiten lässt. Die Maxwellschen Gleichungen mit den Kontinuitätsgesetzen und den Materialgleichungen stellen das Fundament der nichtrelativistischen elektrodynamischen Feldtheorie dar.

Der Leitwert G als Kehrwert des Widerstandes ist eine Eigenschaft eines Körpers. Die Leitfähigkeit \sigma als Kehrwert des spezifischen Widerstands ist eine Eigenschaft eines Materials. G und \sigma sind miteinander verknüpft über einen Faktor, der sich aus dem geometrischen Aufbau des Körpers ergibt.

Hinweis: Die grundlegenden Normen wie DIN 1304, DIN EN 80000-6[1], IEC 60050 bzw. IEV[2] verwenden den Begriff „Leitfähigkeit“ oder „elektrische Leitfähigkeit“, aber ein Zusatz „spezifisch“ kommt dort im Zusammenhang mit Leitfähigkeit nicht vor. Die Abhängigkeit vom jeweiligen Material steckt bereits in der Definition des Begriffs.

Die abgeleitete SI-Einheit der elektrischen Leitfähigkeit ist S/m (Siemens pro Meter). Gebräuchlich sind zudem S/cm, m/(Ω·mm2) und S·m/mm2, wobei die Zusammenhänge 1 S/cm = 100 S/m und 1 m/(Ω·mm2) = 1 S·m/mm2 = 106 S/m gelten.

Eine weitere besonders in den USA gebräuchliche Einheit ist IACS, für englisch International Annealed Copper Standard. Hier wird die Leitfähigkeit in Bezug zur Leitfähigkeit in reinem geglühten Kupfer ausgedrückt: 100 % IACS = 58 · 106 S/m.

Elektrische Leitfähigkeit verschiedener Stoffe[Bearbeiten]

Elektrische Leitfähigkeit ausgewählter Materialien bei einer Temperatur von 20 bis 25 °C
Die Daten hängen erheblich vom nie 100-prozentigen Reinheitsgrad ab.
Material Einordnung σ in S/m Quelle
Silber Metall 61 · 106 [3]
Kupfer Metall 58 · 106 [4][5]
Gold Metall 45 · 106 [3]
Aluminium Metall 37 · 106 [3]
Wolfram Metall 19 · 106 [3]
Eisen (unlegierter Stahl) Metall 10 · 106 [3]
Edelstahl (1.4301) Metall 1,4 · 106
Quecksilber Metall 1,0 · 106 [3]
Graphit (parallel zu Schichten) Nichtmetall 3 · 106
Leitfähige Polymere 10−11 bis 105
Germanium Halbleiter 2 · 103  [3][6]
Silizium Halbleiter 1 · 103  [3]
Meerwasser 5 · 100 
Leitungswasser 50 · 10−3
Reinstwasser 5 · 10−6

Nach der elektrischen Leitfähigkeit unterteilt man Stoffe in

Unterhalb einer materialabhängigen Sprungtemperatur sinkt der elektrische Widerstand auf null und die Leitfähigkeit wird quasi „unendlich“.
Typischerweise (bei 25 °C): > 106 S/m.
Die höchste elektrische Leitfähigkeit aller Metalle hat Silber.
Bei Halbleitern hängt die Leitfähigkeit von verschiedenen Faktoren wie Temperatur, Druck oder Belichtung ab. Die Leitfähigkeit von Halbleitern liegt dabei zwischen der von Leitern und Nichtleitern (Isolatoren): Diese Einteilung stammt noch aus Zeiten, als man die Eigenschaften spezieller Halbleiter wie Germanium und Silizium nicht kannte, insbesondere die Möglichkeit, ihre Leitfähigkeit durch gezielte Einlagerung von Fremdatomen (Dotierung) extrem zu verändern (Faktor 106). Halbleiter wurden in der Folge vor allem dadurch interessant, dass man mit ihnen spezielle Bauelemente der Elektronik wie z. B. Transistoren herstellen kann, aufgrund des p-n-Übergangs.
Typischerweise: < 10−8 S/m.
  • Bei Elektrolytlösungen schließlich spricht man von einer elektrolytischen Leitfähigkeit. G und \sigma sind miteinander verknüpft über einen Faktor, der sich aus dem geometrischen Aufbau der Elektrolyt-Messzelle ergibt. Zur auf ihre Konzentration bezogenen Leitfähigkeit eines Elektrolyten siehe Molare Leitfähigkeit.

Warum ist ein Stoff elektrisch leitfähig?[Bearbeiten]

Die Leitfähigkeit eines Stoffes oder Stoffgemisches hängt von der Verfügbarkeit beweglicher Ladungsträger ab. Dies können locker gebundene Elektronen wie beispielsweise in Metallen, aber auch Ionen oder delokalisierte Elektronen in organischen Molekülen sein, wie sie häufig durch mesomere Grenzstrukturen beschrieben werden.

Beispiele[Bearbeiten]

Ionen[Bearbeiten]

Reines (also destilliertes oder demineralisiertes) Wasser hat eine äußerst geringe Leitfähigkeit (ca. 1:1013 im Vergleich zu Metallen, jedoch immer noch ca. 1000-mal leitfähiger als ein Isolierstoff). Werden dem Wasser Salze, Säuren oder Basen hinzugefügt, die in wässriger Lösung freibewegliche Ionen freisetzen, steigt die Leitfähigkeit an (schon im Leitungswasser ist die Leitfähigkeit rund um 4 Zehnerpotenzen größer).

Brände in Hochspannungsanlagen (z. B. Schaltanlagen) sollen daher nicht mit Wasser gelöscht werden, um das Löschpersonal nicht dem Risiko eines Stromschlags auszusetzen. Nasslöscher (Löschmittel Wasser) können nach DIN VDE 0132 in Niederspannungsanlagen bis 1000 V aus mindestens 1 m Abstand (Sprühstrahl) bzw. 3 m Abstand (Vollstrahl) benutzt werden.

Dotierung (Elektronen, Defektelektronen)[Bearbeiten]

In Halbleitern nutzt man gezielte Verunreinigungen des Grundmaterials, sog. Dotierungen, um seine Leitfähigkeit (stark) zu beeinflussen. Wird das Grundmaterial mit Elektronendonatoren (Elemente mit mehr Außenelektronen als das Grundmaterial) versetzt, spricht man von n(egativ)-Dotierung, bei Zusatz von Elektronenakzeptoren (Elemente mit weniger Elektronen als das Grundmaterial) dagegen von p(ositiv)-Dotierung. Durch die p-Dotierung entstehen Elektronenfehlstellen, auch Löcher oder „Lochelektronen“ genannt, die ebenso die Leitung des elektrischen Stroms und damit eine gute Leitfähigkeit bewirken wie die überzähligen Elektronen im Falle n-dotierter Halbleiter.

Siehe auch[Bearbeiten]

Ein Modell zur Veranschaulichung oder Erklärung der Leitfähigkeit eines Kristalls ist durch das Bändermodell gegeben.

Da die thermische Leitfähigkeit in metallischen Festkörpern vor allem durch die Elektronen bestimmt wird, sind elektrische und thermische Leitfähigkeit durch das Wiedemann-Franzsche Gesetz verknüpft.

Ursache des elektrischen Widerstandes[Bearbeiten]

1900 formulierte Paul Drude ein nach ihm benanntes Modell, wonach der elektrische Widerstand durch Kollision der Leitungselektronen mit den als starr angenommenen Atomrümpfen des Metalls verursacht wird. Danach ist die Leitfähigkeit

\sigma = \frac {n e^2 \tau}{m}.

Hier ist n die Konzentration freier Elektronen, e die Ladung, m die Masse eines Elektrons und \tau die mittlere Flugzeit des Elektrons zwischen zwei Stößen (Relaxationszeit). Dieses Modell veranschaulicht die elektrische Leitfähigkeit zwar recht gut, sagt aber manche experimentellen Ergebnisse falsch voraus, da die Annahme des freien Elektronengases zu ungenau ist: Elektronen sind Fermionen, das heißt, jeder Energiezustand im reziproken k-Raum E(k)=E(p)(\approx E(v)) kann nur von zwei Elektronen eingenommen werden, so dass selbst am absoluten Nullpunkt Energieniveaus bis zur Fermi-Energie E_\text{F} besetzt sind und die Fermi-Kugel bilden. Die temperaturabhängige Wahrscheinlichkeit, ob ein Energieniveau E(k) mit Elektronen besetzt ist, wird dabei durch die Fermi-Dirac-Verteilung

f_0(k,T)=\frac1{\mathrm e^{\frac{E(k)-E_\text{F}}{k_\text{B}T}}+1}

gegeben. Da die Fermi-Energie E_\text{F} mit einigen Elektronenvolt wesentlich größer als die thermische Energie k_\text{B}T mit einigen Dutzend Millielektronenvolt ist, sind nur Elektronen nahe der Fermi-Energie angeregt und tragen zur elektrischen Leitfähigkeit bei. Im Nicht-Gleichgewichtszustand wird die Zeitabhängigkeit der Verteilung durch die Boltzmann-Gleichung beschrieben. Mit dieser Verbesserung, der Sommerfeld-Theorie, folgt schließlich die gleiche Leitfähigkeit wie nach Drude, jedoch mit zwei entscheidenden Veränderungen:

  • Die Relaxationszeit \tau ist die Relaxationszeit der Elektronen an der Fermikante, also die der Elektronen mit der Energie E_\text{F}.
  • Die Masse der Elektronen m hat im Kristall scheinbar eine abweichende, effektive Masse m^*, die richtungsabhängig und somit auch eine tensorielle Größe ist.

Der Reziprokwert der Relaxationszeit, die Streurate (Anzahl von Streuungen pro Zeit), ist dabei die Summe der individuellen Streuraten der Elektronen an Schwingungen der Atomrümpfe (den Phononen), an anderen Elektronen, an Gitterfehlern (Fremdatomen, Fehlstellen, etc.) im Kristall oder auch den Wänden des Kristalls. Daraus ergibt sich eine Verallgemeinerung der Matthiessenschen Regel:

\frac1\tau = \frac1{\tau_\text{Phonon}} +\frac1{\tau_\text{Elektron}} + \frac1{\tau_\text{Störstellen}} + \ldots \propto \rho = \frac1\sigma

Die individuellen Relaxationszeiten führen zu den verschiedenen Temperaturabhängigkeiten der Leitfähigkeit im Metall. So ist z. B. die Streuung an Störstellen temperaturunabhängig und führt zum Restwiderstand, wohingegen die Elektron-Phonon-Streuung bei Zimmertemperatur proportional zur Temperatur ist.

Wenn man in einem allgemeinen Festkörper die Beweglichkeit der Ladungsträger \mu = e\tau/m berücksichtigt, ergibt sich:

\sigma = e n \mu\,

wobei n die Ladungsträgerdichte (Anzahl je Volumeneinheit) ausdrückt.

Erweitert man diesen Ausdruck weiter, so erhält man:

\, \sigma = e (n \mu_n + p \mu_p)

Dabei ist die Elektronendichte n und deren Beweglichkeit \mu_n sowie der Lochdichte p und deren Beweglichkeit \mu_p.

Messung[Bearbeiten]

Die elektrische Leitfähigkeit kann nicht direkt gemessen werden, sondern wird meist mittels Transportmessungen aus Stromstärke, Spannungsabfall und Probengeometrie analog zum spezifischen Widerstand bestimmt. Je nach Probengeometrie können verschiedene Verfahren verwendet werden.

In Flüssigkeiten werden z. B. bei einfachen Messungen Elektroden bekannter Fläche A und bekannten Abstandes l eingesetzt und die Spannung U und Stromstärke I gemessen, siehe Leitfähigkeitsmessgerät. Die Formel hierzu ist:

\sigma = \frac{I \cdot l}{U \cdot A}

Bei einem vorzugsweise in einer Dimension ausgedehnten guten Leiter mit bekanntem Querschnitt A (wie bei einem Draht) wird die Leitfähigkeit mittels Vierleitermessung bestimmt, wobei I der Strom durch den Leiter und U der Spannungsabfall zwischen zwei im Abstand l befindlichen Messkontakten ist. Die Einspeisung des Stromes erfolgt hierbei jenseits dieser Messkontakte, um Messfehler zu vermeiden.

Ein Verfahren zur Messung des spezifischen Flächenwiderstandes einer großflächigen, homogenen Schicht ist die Vier-Punkt-Methode und wird vor allem in der Halbleiterindustrie angewendet. Ist die Schicht dagegen klein und hat eine beliebige Form, kann die Leitfähigkeit mit der Van-der-Pauw-Messmethode bestimmt werden.

Erste Leitfähigkeitsmessgeräte, auch als Konduktometer bezeichnet, gehen auf Arbeiten von Jean-Jacques Rousseau und das historische Messgerät Diagometer zurück.

Temperaturabhängigkeit[Bearbeiten]

Wie fast alle physikalischen Vorgänge ist auch die elektrische Leitfähigkeit von Materialien abhängig von der Temperatur. Der Verlauf dieser Temperaturabhängigkeit ist jedoch abhängig vom Aufbau und Art des Materials bzw. von den (dominierenden) Mechanismen für den Transport von elektrischen Ladungen. So ist er häufig nur bei kleinen Temperaturänderungen linear und zeigt bei Phasenwechseln sogar eine sprunghafte Änderung (wie zum Beispiel beim Schmelzen von Verbindungen, dem elektrischen Durchschlag in Gasen oder dem Erreichen von Sprungtemperaturen wie bei Supraleitern).

In Metallen ist n konstant, aber die Beweglichkeit nimmt mit steigender Temperatur ab wegen zunehmender Stöße mit den Atomen bzw. wegen dadurch sinkendem \tau. Also sinkt auch die Leitfähigkeit.

Beispiel: Eine elektrische Glühlampe ist im ausgeschalteten Zustand kalt und damit gut leitfähig. Im Augenblick des Einschaltens fließt zunächst ein hoher Einschaltstrom, der bis zu zehnmal größer sein kann als der spätere Betriebsstrom. Dadurch wird die Glühwendel erhitzt, erhöht ihren Widerstand und der Strom sinkt auf das Normalniveau. Grobe Faustregel: Pro Grad Temperaturerhöhung steigt der Widerstand um ½ % seines Wertes. Glühlampen werden manchmal (statt zur Lichterzeugung) zur Strombegrenzung in elektronischen Schaltungen verwendet, z. B. in Lautsprecherverstärkern. Kleine Glühlampen können auch zur Verstärkungs- bzw. Amplitudenregelung in Wien-Brückensinusgeneratoren auf Grund ihres positiven Widerstands-Temperaturkoeffizienten verwendet werden.

In Halbleitern nimmt die Beweglichkeit zwar aus demselben Grund ab, aber die Ladungsträgerdichte kann sich auch verändern. Im Bereich der Störstellenreserve und Eigenleitung steigt sie überproportional (genauer: exponentiell) durch Anregung von Elektronen ins Leitungsband. Im Bereich der Störstellenleitung bleibt die Ladungsträgerdichte dagegen annähernd konstant. Die Leitfähigkeit kann also mit der Temperatur stark steigen oder leicht sinken und hängt somit auch von der Dotierung ab.

Eine praktische Anwendung der Temperaturabhängigkeit bei Halbleitern ist die Temperaturmessung mit Hilfe einer stromdurchflossenen Diode, ihr Durchgangswiderstand reagiert sehr empfindlich auf kleine Temperaturänderungen. Dafür werden im industriellen Bereich für Mess-, Steuer- und Regelsysteme jedoch vor allem Heißleiter und Kaltleiter eingesetzt, die als Elektronikkomponenten die Änderung des elektrischen Widerstandes mit der Temperatur ausnutzen. Bei Heißleitern verringert sich der Widerstand mit steigender Temperatur, bei Kaltleitern erhöht sich dieser.

In Supraleitern sinkt unterhalb der Sprungtemperatur der Widerstand auf null, verschwindet also. Beim Überschreiten der Sprungtemperatur tritt der Widerstand genauso plötzlich wieder auf, was bei stromdurchflossenen Spulen aus Supraleitern zur Zerstörung durch Quenchen, also massive Überhitzung der betroffenen Stelle führen kann.

In Gasen, Lösungen und Elektrolyten ist der Widerstand stark temperaturabhängig, da dort die Beweglichkeit der Ionen und die Anzahl der Ladungsträger (da bei schwachen Elektrolyten der Dissoziationsgrad ebenfalls stark temperaturabhängig ist) mit steigender Temperatur stark zunimmt. In der Regel steigt die Ladungsträgerbeweglichkeit mit der Temperatur und der Widerstand wird kleiner.[7]

Literatur[Bearbeiten]

  •  Neil W. Ashcroft, N. David Mermin: Solid State Physics. Saunders College Publishing, New York 1976, ISBN 0-03-083993-9.

Weblinks[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. a b c EN 80000-6, Größen und Einheiten − Teil 6: Elektromagnetismus, 2013, Eintrag 6-43
  2. a b c IEC 60050, siehe DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE: Internationales Elektrotechnisches Wörterbuch IEV Eintrag 121-12-03
  3. a b c d e f g h WebElements Periodic Table
  4. Datenblatt für Cu 99,9 % bei 20 °C mit einer Toleranz von ±10 %, abgerufen am 1. Februar 2016.
  5. Für Kupferkabel gilt typisch ca. 56 · 106 S/m (kein reines Kupfer), siehe Spezifischer Widerstand.
  6. Datenblatt für Ge 99,999 % bei 20 °C, abgerufen am 2. Februar 2016.
  7. Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes (PDF; 892 kB).