TSMC

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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

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Rechtsform Aktiengesellschaft
ISIN US8740391003
Gründung 21. Februar 1987
Sitz Hsinchu, TaiwanRepublik China (Taiwan) Taiwan
Leitung Morris Chang (CEO)
Mitarbeiterzahl 45.272 (2015)[1]
Umsatz 843 Mrd. TWD (23,9 Mrd. Euro) (2015)[1]
Branche Halbleiterindustrie
Website www.tsmc.com

Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited (TSMC; chinesisch 台灣積體電路製造股份有限公司, kurz chinesisch 台積公司, Pinyin Táijī gōngsi) ist nach Intel und Samsung der weltweit drittgrößte Halbleiterhersteller und der weltweit größte unabhängige Auftragsfertiger für Halbleiterprodukte (Foundry). Die Gründung erfolgte 1987. Der Hauptsitz und die wichtigsten Unternehmensteile befinden sich in Hsinchu, Taiwan.

Das Geschäftsmodell ist darauf ausgerichtet, für fabless companies wie z. B. Apple, Qualcomm, NVIDIA, AMD, Conexant, Marvell, VIA oder Broadcom die Produktion von Halbleiterchips zu übernehmen.

Das Unternehmen ist dabei extrem profitabel und schnell wachsend. In den letzten 20 Jahren lag das durchschnittliche Wachstum je Jahr bei 21,5 %. Im Schnitt konnten Nachsteuer-Renditen größer 30 % erzielt werden. Inzwischen zählt TSMC zu den größten und profitabelsten Unternehmen der Welt.

Daten[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Die Aktien werden an der Taiwan Stock Exchange und an der New York Stock Exchange unter dem Kürzel TSM gehandelt. Der Vorsitzende des Unternehmens war über viele Jahrzehnte Morris Chang, der auch bis 2005 CEO war. Von 2005 bis 2009 war Rick Tsai CEO, der dann wiederum von Morris Chang abgelöst wurde. Chang blieb bis zum Sommer 2018 aktiv[2], seither dient Mark Liu als Vorsitzender und C. C. Wei als CEO und Vizevorsitzender.[3]

Am 13. Oktober 2016 betrug die Marktkapitalisierung 141,42 Mrd. Euro.

Finanzdaten (in Milliarden TWD)[4]
Zeitraum Umsatz Gewinn Wachstum Rendite
KJ 1993 12 4 unbek. 34 %
KJ 1994 19 8 57 % 44 %
KJ 1995 29 15 49 % 52 %
KJ 1996 39 19 37 % 49 %
KJ 1997 44 18 11 % 41 %
KJ 1998 50 15 15 % 30 %
KJ 1999 73 25 45 % 34 %
KJ 2000 166 65 127 % 39 %
KJ 2001 126 14 −24 % 12 %
KJ 2002 162 22 29 % 13 %
KJ 2003 203 47 25 % 23 %
KJ 2004 257 92 27 % 36 %
KJ 2005 267 94 4 % 35 %
KJ 2006 317 127 19 % 40 %
KJ 2007 323 109 2 % 34 %
KJ 2008 333 100 3 % 30 %
KJ 2009 296 89 −11 % 30 %
KJ 2010 420 162 42 % 39 %
KJ 2011 427 134 2 % 31 %
KJ 2012 506 166 19 % 33 %
KJ 2013 597 188 18 % 31 %
KJ 2014 763 264 28 % 35 %
KJ 2015 843 307 11 % 36 %
Q1 2016 203 65 −8 % 32 %
Q2 2016 222 73 8 % 33 %
Q3 2016 260 97 23 % 37 %

Werke[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Fab-5-Gebäude
Übersicht aktueller Fertigungsstätten[5]
Bezeich­nung Standort Kategorie Kapazität pro Monat
bei Vollausbau
Anmerkungen
Fab 12A Hsinchu
(24° 46′ 27,9″ N, 121° 0′ 57,7″ O)
300-mm-Werk zugleich Firmensitz
Fab 12B Hsinchu
(24° 46′ 47″ N, 120° 59′ 51″ O)
300-mm-Werk TSMC R&D Center
Fab 14 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 46,2″ N, 120° 16′ 26,9″ O)
300-mm-Werk
Fab 15 Taichung
(24° 12′ 41,3″ N, 120° 37′ 2,4″ O)
300-mm-Werk
Fab 16 Nanjing
(31° 58′ 33″ N, 118° 32′ 36″ O)
300-mm-Werk TSMC Nanjing Company Limited


Fab 3 Hsinchu
(24° 46′ 31″ N, 120° 59′ 28″ O)
200-mm-Werk
Fab 5 Hsinchu
(24° 46′ 25″ N, 120° 59′ 55″ O)
200-mm-Werk
Fab 6 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 36,2″ N, 120° 16′ 24,7″ O)
200-mm-Werk
Fab 8 Hsinchu
(24° 45′ 44″ N, 121° 1′ 11″ O)
200-mm-Werk


Fab 10 Songjiang
(31° 2′ 7,6″ N, 121° 9′ 33″ O)
200-mm-Werk TSMC China Company Limited
Fab 11 Camas, Washington, USA
(45° 37′ 7,7″ N, 122° 27′ 20″ O)
200-mm-Werk WaferTech L.L.C.; 100 % zu TSMC gehörend
SSMC Singapur
(1° 22′ 58″ N, 103° 56′ 5,7″ O)
200-mm-Werk Systems on Silicon Manufacturing Cooperation, 1998 als Joint-Venture von TSMC, Philips Semiconductors (jetzt NXP Semiconductors) und mit EDB Investments aus Singapur gegründet. TSMC erhöhte im November 2006 seine Anteile an SSMC auf 38,8 %.[6]
Fab 2 Hsinchu
(24° 46′ 25″ N, 120° 59′ 55″ O)
150-mm-Werk


Advanced Backend Fab1 Hsinchu
(24° 46′ 39,6″ N, 120° 59′ 28,9″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab2 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 46,2″ N, 120° 16′ 26,9″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab3 Longtan (Taoyuan)
(24° 53′ 0,7″ N, 121° 11′ 11,3″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab5 Taichung
(24° 13′ 5,1″ N, 120° 37′ 11,7″ O)
Backend k. A.

Technik[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Stand der Technik war seit 2008 die Herstellung von Chips mit einer Strukturgröße von 40 Nanometern (im 40-nm-Prozess) durch die 193-nm-Immersionslithografie, gestrecktem Silizium und die Low-k-Dielektrikum-Halbleitertechnologie. Die ersten Produkte im 40-nm-Prozess waren unter anderem Alteras Hardcopy-ASICs, die RV740-GPU von AMD und die 40-nm-Stratix-IV-FPGA-Bausteinfamilie.

Im 3. Quartal 2010 hat man mit der Risikofertigung im 28-nm-Prozess begonnen, die Massenfertigung sollte im 4. Quartal 2010 beginnen.[7]

Seit 2014 bieten TSMC auch Chips im 16-nm-FinFET-Verfahren an.[8]

März 2017 startete man mit der 10-nm-FinFET-Fertigung für Apple.[9]

Seit 2019 läuft die 7-nm-FinFET Produktion, 5-nm-FinFET ist in der Risiko-Produktion und 3-nm-FinFET mittels EUV-Lithografie ist in Planung und für das Jahr 2022 angestrebt.[10][11][12]

Weblinks[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

 Commons: TSMC – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. a b TSMC: Annual Report 2016. (PDF) Abgerufen am 11. Oktober 2016 (englisch).
  2. A 7,300% Return for The Godfather Is Quite a Legacy. Bloomberg. Abgerufen am 24. November 2018.
  3. Corporate Executives. TSMC. Abgerufen am 20. Juni 2018.
  4. Umrechnungskurse (per Oktober 2016)
  5. Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, abgerufen am 31. März 2019.
  6. NXP Semiconductors Raises Stake in SSMC to More Than 60 Percent. 15. November 2006, abgerufen am 10. April 2019 (englisch).
  7. TSMC to begin 28 nm production in Q3 2010 (Memento vom 23. Januar 2010 im Internet Archive)
  8. Richard Goering: 2014 TSMC Technology Symposium: Full Speed Ahead for 16 nm FinFET Plus, 10 nm, and 7 nm. 28. April 2014, abgerufen am 22. September 2014.
  9. Jan-Frederik Timm: Apple A11: TSMC startet Serienfertigung des 10-nm-iPhone-SoC. In: ComputerBase. (computerbase.de [abgerufen am 9. Februar 2018]).
  10. Marc Sauter: 7 nm macht bei TSMC ein Fünftel des Umsatzes aus. 19. April 2019, abgerufen am 23. August 2019.
  11. Marc Sauter: TSMC startet 5-nm-Risk-Production. 5. April 2019, abgerufen am 23. August 2019.
  12. Anton Shilov: TSMC: 3nm EUV Development Progress Going Well, Early Customers Engaged. 23. Juli 2019, abgerufen am 23. August 2019.