Isamu Akasaki

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Wechseln zu: Navigation, Suche

Isamu Akasaki (jap. 赤崎 勇, Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 in der Präfektur Kagoshima) ist ein japanischer Wissenschaftler, der im Jahr 1989 erstmals blaue Leuchtdioden, basierend auf dem p-n-Übergang mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid herstellte.[1] Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der IEEE vergebene Auszeichnung IEEE Edison Medal.[2] Im Jahr 2014 wurde er gemeinsam mit Hiroshi Amano und Shuji Nakamura mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet.

Isamu Akasaki studierte zunächst bis 1952 Elektrotechnik an der Universität Kyōto, danach folgte die Promotion an der Universität Nagoya. Erste Arbeiten im Bereich der Optoelektronik und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und 1970er Jahren, unter anderem bei Firmen wie Matsushita, wo er die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.[3] 1981 und in den Folgejahren, wieder an der Universität Nagoya, setzte er die MOVPE zur Herstellung hochreiner Einkristalle aus Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in der Folge mit Magnesium p-dotieren, zur n-Dotierung kam Silicium zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als direkter Halbleiter eine Bandlücke im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.[4][1] Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem indirekten Halbleiter Siliciumcarbid basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen.

Ausgewählte Auszeichnungen[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]

  1. a b Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112
  2. IEEE Edison Medal Recipients (PDF; 151 kB) IEEE. Abgerufen am 23. Februar 2011.
  3. Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, doi:10.1143/JJAP.45.9001
  4. Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355